砷化稼(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]_______________。
(2)根据元素周期律,元素的电负性Ga______(填“大于”或“小于”, 下同)As,第一电离能B ____ Ga;BF3和NH3的分子能够通过配位键相结合的原因是_______。
(3)杀虫剂Na3AsO4中阴离子的空问构型为______,As原子采取________杂化。
(4)组成相似的GaF3和GaCl3晶体,前者属于离子晶体,后者属于分子晶体。从F-和Cl-结构的不同分析其原因是____________。
(5)原子晶体GaAs的晶胞参数a=xpm,它的晶胞结构如下图所示。该晶胞内部存在的共价健数为______;A原子距离B原子所在六面体的侧面的最短距离为______ (用x表示)pm ;该晶胞的密度为_____g·cm-3。(阿伏伽德罗常数用NA表示)。
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【化学——选修3:物质结构】砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga As,第一电离能Ga As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为 ,其中As的杂化轨道类型为 。
(4)GaF3的熔点高于1000℃,GaCl3的熔点为77.9℃,其原因是 。
(5)GaAs的熔点为1238℃,密度为,其晶胞结构如图所示。
该晶体的类型为 。Ga与As的摩尔质量分别为和,原子半径分别为和,阿伏加德罗常数值为,则晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为 。(已知1m=1012pm)
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga______As,第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________,其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃,GaCl3的熔点为77.9 ℃,其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃,密度为ρ g·cm-3,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1和MAs g·mol-1,原子半径分别为rGa pm和rAs pm,阿伏加德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga______As,第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________,其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃,GaCl3的熔点为77.9 ℃,其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃,密度为ρ g·cm-3,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1和MAs g·mol-1,原子半径分别为rGa pm和rAs pm,阿伏加德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga______As,第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________,其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃,GaCl3的熔点为77.9 ℃,其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃,密度为ρ g·cm-3,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1和MAs g·mol-1,原子半径分别为rGa pm和rAs pm,阿伏加德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga______As,第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________,其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃,GaCl3的熔点为77.9 ℃,其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃,密度为ρ g·cm-3,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1和MAs g·mol-1,原子半径分别为rGa pm和rAs pm,阿伏加德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga______As,第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________,其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃,GaCl3的熔点为77.9 ℃,其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃,密度为ρ g·cm-3,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1和MAs g·mol-1,原子半径分别为rGa pm和rAs pm,阿伏加德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。
试回答下列问题
(1)写出基态As原子的核外电子排布式_______。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga _____As(填“>”或“<”下同),第一电离能Ga _____As
(3)AsCl5分子的立体构型为___________,其中As的杂化轨道类型为_______。
(4)GaF3的熔点高于1000℃,GaCl3的熔点为79℃,其原因是________。
(5)GaAs的熔点为1238℃,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为_______,与As以_____键键合。已知阿伏加德罗常数为NA,晶胞参数=lnm,此晶体的密度为_____ g·cm—3(写出计算式)。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。部分元素在周期表中位置如下:
回答下列问题:
(1)六种元素中,非金属性最强的元素是:_______。写出 As 原子的最外层的电子排布式_______,As 原子核外有_______个未成对电子。
(2)根据元素周期律,可判断原子半径Ga_______As。(选填“>”、“<”或“=”)。写出铝的最高价氧化物对应水化物的电离方程式:______。
(3)NH3 的 分 子 构 型 是_____。 GaF3 的 熔 点 高 于 1000℃ , GaCl3 的 熔 点 为 77.9℃ , 可 能 的 原 因 是_____。写出 C2H2 的电子式为:____。
(4)比较下列锗卤化物的熔点和沸点,分析其变化规律及原因_____。
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[化学——选修3:物质结构与性质]
砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)写出基态As原子的核外电子排布式________________________。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga_____________As,第一电离能Ga____________As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________________,其中As的杂化轨道类型为_________。
(4)GaF3的熔点高于1000℃,GaCl3的熔点为77.9℃,其原因是_____________________。
(5)GaAs的熔点为1238℃,密度为ρg·cm-3,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1 和MAs g·mol-1,原子半径分别为rGa pm和rAs pm,阿伏伽德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________________。
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砷化稼(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]_______________。
(2)根据元素周期律,元素的电负性Ga______(填“大于”或“小于”, 下同)As,第一电离能B ____ Ga;BF3和NH3的分子能够通过配位键相结合的原因是_______。
(3)杀虫剂Na3AsO4中阴离子的空问构型为______,As原子采取________杂化。
(4)组成相似的GaF3和GaCl3晶体,前者属于离子晶体,后者属于分子晶体。从F-和Cl-结构的不同分析其原因是____________。
(5)原子晶体GaAs的晶胞参数a=xpm,它的晶胞结构如下图所示。该晶胞内部存在的共价健数为______;A原子距离B原子所在六面体的侧面的最短距离为______ (用x表示)pm ;该晶胞的密度为_____g·cm-3。(阿伏伽德罗常数用NA表示)。
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