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如图所示电路中，三个相同的灯泡额定功率是40W，在不损坏灯泡的情况下（设定灯泡的阻值不会随温度改变），这三个灯泡消耗的总功率最大不应超过（ ）
A．40W B．60W C．80W D．120W
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对于理想变压器来说，下列说法中不正确的是（ ）
A．变压器是利用互感现象制成的
B．变压器可以改变各种电源的额定功率
C．变压器不仅能改变电压，还同时改变电流
D．变压器的初级电流随次级电流的增大而增大
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如图所示，电流表、电压表均为理想电表，L为小电珠．R为滑动变阻器，电源电动势为E，内阻为r．现将开关S闭合，当滑动变阻器滑片P向左移动时，下列结论正确的是（ ）
A．电流表示数变小，电压表示数变大
B．小电珠L变亮
C．电容器C上电荷量减小
D．电源的总功率变大
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如图所示，理想变压器原、副线圈的匝数比n1：n2=1：3，次级回路中联入三个均标有“36V，40W”的灯泡，且均正常发光，那么，标有“36V、40W”的灯泡A（ ）
A．也正常发光 B．将被烧毁 C．比另三个灯暗 D．无法确定
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两只阻值相等的电阻分别通以正弦交流电与方形交流电，它们电流的最大值相等，如图，则两只电阻的热功率之比是（ ）
A．1：4 B．1：2 C．1：
D．1：1难度: 简单查看答案及解析
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如图所示，在MNQP中有一垂直纸面向里匀强磁场．质量和电荷量都相等的带电粒子a、b、c以不同的速率从O点沿垂直于PQ的方向射入磁场，图中实线是它们的轨迹．已知O是PQ的中点，不计粒子重力．下列说法中正确的是（ ）
A．粒子a带负电，粒子b、c带正电
B．射入磁场时粒子a的速率最小
C．射出磁场时粒子b的动能最小
D．粒子c在磁场中运动的时间最长
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关于感应电流，下列说法中正确的是（ ）
A．只要闭合电路内有磁通量，闭合电路中就有感应电流产生
B．穿过螺线管的磁通量发生变化时，螺线管内部就一定有感应电流产生
C．线框不闭合时，即使穿过线圈的磁通量发生变化，线圈中也没有感应电流
D．只要电路的一部分作切割磁感线运动，电路中就一定有感应电流
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下面关于自感的说法正确的是（ ）
A．自感电动势总是阻碍电路中原来电流的增加
B．自感电动势总是阻碍电路中原来电流的变化
C．同一电感线圈中的电流越大，自感电动势越大
D．同一电感线圈中的电流变化越大，自感电动势越大
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如图所示，a、b分别表示一个电池组和一只电阻的伏安特性曲线．以下说法正确的是（ ）
A．电池组的内阻是1Ω
B．电阻的阻值为0.33Ω
C．将该电阻接在该电池组两端，电池组的输出功率将是4W
D．改变外电阻的阻值时，该电池组的最大输出功率为4W
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导体导电是导体中自由电荷定向移动的结果，这些可以定向移动的电荷又叫载流子，例如金属导体中的载流子就是电子．现代广泛应用的半导体材料分为两大类：一类是N型半导体，其载流子是电子，另一类是P型半导体，其载流子称为“空穴”，相当于带正电的粒子．如果把某种导电材料制成长方体放在匀强磁场中，磁场方向如图所示，且与长方体的前后侧面垂直，当长方体中通有向右的电流I时，测得长方体的上下表面的电势分别为φ上和φ下，则（ ）
A．长方体如果是N型半导体，必有φ上＞φ下
B．长方体如果是P型半导体，必有φ上＞φ下
C．长方体如果是P型半导体，必有φ上＜φ下
D．长方体如果是金属导体，必有φ上＜φ下
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如图所示，通电导体棒静止于水平导轨上，棒的质量为m，长为L，通过的电流大小为I且垂直纸面向里，匀强磁场的磁感强度B的方向与导轨平面成θ角，则导体棒受到的（ ）
A．安培力大小为BIL
B．安培力大小为BILsinθ
C．摩擦力大小为BILsinθ
D．支持力大小为mg﹣BILcosθ
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如图所示，一电子以初速度v沿与金属板平行的方向飞入MN极板间，发现电子向M板偏转，则可能是（ ）
A．电键S闭合瞬间
B．电键S由闭合到断开瞬间
C．电键S是闭合的，变阻器滑片P向左迅速滑动
D．电键S是闭合的，变阻器滑片P向右迅速滑动
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D．1：1
为多大？
圆弧轨道间距为L，其顶端a、b与圆心处等高，轨道光滑且电阻不计，在其上端连有一阻值为R的电阻，整个装置处于辐向磁场中，圆弧轨道所在处的磁感应强度大小均为B．将一根长度稍大于L、质量为m、电阻为R0的金属棒从轨道顶端ab处由静止释放．已知当金属棒到达如图所示的cd位置（金属棒与轨道圆心连线和水平面夹角为θ）时，金属棒的速度达到最大；当金属棒到达轨道底端ef时，对轨道的压力为1.5mg．求：