如图所示，圆形空腔内存在磁感应强度为B，方向垂直纸面向里的匀强磁场，空腔半径为R。空腔左侧...

如图所示，圆形空腔内存在磁感应强度为B，方向垂直纸面向里的匀强磁场，空腔半径为R。空腔左侧存在方向向右的匀强电场，电场强度为E。一质量为m，带正电的粒子从距离空腔壁l0处由静止出发，由圆形空腔上的S孔进入磁场区域，与空腔内壁撞击3次后仍由S孔飞出，撞击前后速度大小不变，方向相反，粒子所受的重力不计。求：

（1）带电粒子的比荷；

（2）粒子距离S孔至少多远由静止释放，粒子在空腔中运动时间最短，最短时间为多少？

（3）若粒子能够由S孔射出，求释放点离S孔的距离x需满足的条件。

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如图所示，在以R为半径、O为圆心的圆形区域内存在磁场，直径PQ左侧区域存在一方向垂直于纸面向里、磁感应强度大小为B1的匀强磁场；PQ右侧区域存在一方向垂直于纸面向外、磁感应强度大小为B2的匀强磁场。现有一质量为m、电荷量为q的带负电粒子（不计重力）从C点沿垂直于PQ的方向射入磁场，并仅通过PQ—次，最终从D点离开磁场，离开磁场时粒子的运动方向仍垂直于PQ。图中CE与DF均垂直于PQ，EF＝R。已知OC与PQ的夹角为θ1＝30°，OD与PQ的夹角为θ2，粒子在PQ左侧和右侧磁场区域中的运动时间分别为t1和t2，则以下说法中正确的是

A. θ2＝60°　　 B. 　　 C. 　　 D.

高三物理多选题中等难度题查看答案及解析

如图所示，在x-o-y坐标系中，以（r，0）为圆心、r为半径的圆形区域内存在匀强磁场，磁场的磁感应强度大小为B，方向垂直于纸面向里。在y > r的足够大的区域内，存在沿y轴负方向的匀强电场，场强大小为E。从O点以相同速率向不同方向发射质子，质子的运动轨迹均在纸面内，且质子在磁场中运动的轨迹半径也为r。已知质子的电荷量为q，质量为m，不计质子所受重力及质子间相互作用力的影响。

1.求质子射入磁场时速度的大小；

2.若质子沿x轴正方向射入磁场，求质子从O点进入磁场到第二次离开磁场经历的时间；

3.若质子沿与x轴正方向成夹角θ的方向从O点射入第一象限的磁场中，求质子在磁场中运动的总时间。

高三物理计算题简单题查看答案及解析

如图所示，在x-o-y坐标系中，以（r，0）为圆心、r为半径的圆形区域内存在匀强磁场，磁场的磁感应强度大小为B，方向垂直于纸面向里。在y > r的足够大的区域内，存在沿y轴负方向的匀强电场，场强大小为E。从O点以相同速率向不同方向发射质子，质子的运动轨迹均在纸面内，且质子在磁场中运动的轨迹半径也为r。已知质子的电荷量为q，质量为m，不计质子所受重力及质子间相互作用力的影响。

（1）求质子射入磁场时速度的大小；

（2）若质子沿x轴正方向射入磁场，求质子从O点进入磁

场到第二次离开磁场经历的时间；

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如图所示，在xoy坐标系中，以（r，0）为圆心、r为半径的圆形区域内存在匀强磁场，磁场的磁感应强度大小为B，方向垂直于纸面向里。在y>r的足够大的区域内，存在沿y轴负方向的匀强电场，场强大小为E。从O点以相同速率向不同方向发射质子，质子的运动轨迹均在纸面内，且质子在磁场中运动的轨迹半径也为r。已知质子的电荷量为q，质量为m，不计质子所受重力及质子间相互作用力的影响。

（1）求质子射入磁场时速度的大小；

（2）若质子沿x轴正方向射入磁场，求质子从O点进入磁场到第二次离开磁场经历的时间；

（3）若质子沿与x轴正方向成夹角θ的方向从O点射入第一象限的磁场中，求质子在磁场中运动的总时间。

高二物理计算题中等难度题查看答案及解析

如图所示，在坐标系中，以（r，0）为圆心、r为半径的圆形区域内存在匀强磁场，磁场的磁感应强度大小为B，方向垂直于纸面向里。在y>r的足够大的区域内，存在沿y轴负方向的匀强电场，场强大小为E。从O点以相同速率向不同方向发射质子，质子的运动轨迹均在纸面内，且质子在磁场中运动的轨迹半径也为r。已知质子的电荷量为q，质量为m，不计质子所受重力及质子间相互作用力的影响。

（1）求质子从O点射入磁场时速度的大小；

（2）若质子沿x轴正方向射入磁场，求质子从O点射入磁场到第二次离开磁场经历的时间；

（3）若质子沿与x轴正方向成夹角θ的方向从O点射入第一象限的磁场中，求质子在磁场中运动的总时间。

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高三物理解答题中等难度题查看答案及解析

如图所示，在x-o-y坐标系中，以（r，0）为圆心，r为半径的圆形区域内存在匀强磁场，磁场的磁感应强度大小为B，方向垂直于纸面向里。在y>r的足够大的区域内 ，存在沿y轴负方向的匀强电场，场强大小为E。从O点以相同速率向不同方向发射质子，质子的运动轨迹均在纸面内，且质子在磁场中运动的轨迹半径也为r。已知质子的电荷量为q，质量为m，不计质子所受重与及质子间相互作用力的影响。

1.求质子射入磁场时速度的大小：

2.若质子沿x轴正方向射入磁场，求质子从O点进入磁场到第二次离开磁场经历的时间。

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