二氧化铬（CrO2）可用于生产电子信息记录材料，制备CrO2的主要流程如下：
（1）上述流程中，Cr元素的化合价有_____种。
（2）推测反应器1放出的气体中含N2，从元素守恒角度说明理由：_____。
（3）上述流程中，用于分离提纯的设备有_____。
九年级化学流程题简单题
二氧化铬（CrO2）可用于生产电子信息记录材料，制备CrO2的主要流程如下：
（1）上述流程中，Cr元素的化合价有_____种。
（2）推测反应器1放出的气体中含N2，从元素守恒角度说明理由：_____。
（3）上述流程中，用于分离提纯的设备有_____。
九年级化学流程题简单题
二氧化铬（CrO2）可用于生产电子信息记录材料，制备CrO2的主要流程如下：
（1）上述流程中，Cr元素的化合价有_____种。
（2）推测反应器1放出的气体中含N2，从元素守恒角度说明理由：_____。
（3）上述流程中，用于分离提纯的设备有_____。
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高纯硅可用于制备硅半导体材料．制备高纯硅的主要生产流程如下图所示：
查阅资料：①石英砂的主要成分是二氧化硅；
②MgO能与稀盐酸反应生成氯化镁溶液。
(1)标出二氧化硅中硅元素的化合价___；写出合理处理中间产物CO的一种方法__；
(2)操作1中用到的玻璃仪器有烧杯、玻璃棒和___；
(3)反应2除生成高纯硅外，同时还生成一种气体化合物．请写出此过程所发生反应的化学方程式__；
(4)反应2要在无氧气环境中进行，从安全角度考虑，原因是____。
九年级化学流程题中等难度题查看答案及解析
高纯硅可用于制备硅半导体材料．制备高纯硅的主要生产流程如下图所示：
查阅资料：①石英砂的主要成分是二氧化硅；
②MgO能与稀盐酸反应生成氯化镁溶液。
（1）标出二氧化硅中硅元素的化合价_________；写出合理处理中间产物CO的一种方法_____________；
（2）操作1中用到的玻璃仪器有烧杯、玻璃棒和______________；
（3）反应2除生成高纯硅外，同时还生成一种气体化合物．请写出此过程所发生反应的化学方程式___________；
（4）反应 2 要在无氧气环境中进行，从安全角度考虑，原因是___________。
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高纯硅可用于制备硅半导体材料．制备高纯硅的主要生产流程如图所示．
信息：石英砂的主要成分是SiO2，反应①化学方程式
（1）石英砂属于 （填“纯净物”或“混合物”）；SiCl4中硅元素的化合价为 ；写出合理处理中间产物CO的一种方法 ．
（2）反应③反应除生成高纯硅外，同时还生成一种化合物．请写出此过程的化学方程式 ；
（3）反应③如果H2中混入O2，从安全角度考虑，可能引起的后果是 ．
（4）若杂质不参加反应，利用反应①生产含硅质量分数为9O%的粗硅2.8吨，计算至少需要焦炭多少吨？
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高纯硅可用于制备硅半导体材料，其主要生产流程如下图所示：
（1）① 发生反应的化学方程式为SiO2 + 2C
Si + 2CO↑，该反应中碳元素的化合价变化为零价→+2价，硅元素的化合价变化为_____。
（2）② 反应的基本反应类型为_____（填“化合反应”或“分解反应”）。
（3）SiO2属于_____（填序号）。
A．纯净物 B 化合物 C 氧化物
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工业上利用某废渣（含FeSO4、Fe2（SO4）3及少量CaO和MgO）制备高档颜料铁红（主要成分为Fe2O3）和回收（NH4）2SO4．具体生产流程如下：
（背景信息）
a 氧化还原反应中，会有元素化合价发生变化。
b 3Fe2（SO4）3+12NH3•H2O=（NH4）2Fe6（SO4）4（OH）12↓（铵黄铁矾晶体）+5（NH4）2SO4
（1）步骤③中操作Y的名称是_______________。
（2）加入物质X溶解废渣，X应选用______________（填序号）。
A 盐酸 B 硫酸 C 氨水 D 氢氧化钠
步骤①酸浸时，生成盐的化学方程式为___________________________（任写一个）。
（3）步骤②通入氧气氧化的目的是_________________；工业上对该操作控制在4小时左右为宜，根据如图有关数据分析，影响Fe2+氧化率的变化规律：________
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工业上利用某废渣（含FeSO4、Fe2（SO4）3及少量CaO和MgO）制备高档颜料铁红（主要成分为Fe2O3）和回收（NH4）2SO4．具体生产流程如下：
（背景信息）
a 氧化还原反应中，会有元素化合价发生变化。
b 3Fe2（SO4）3+12NH3•H2O=（NH4）2Fe6（SO4）4（OH）12↓（铵黄铁矾晶体）+5（NH4）2SO4
（1）步骤③中操作Y的名称是_______________。
（2）加入物质X溶解废渣，X应选用______________（填序号）。
A 盐酸 B 硫酸 C 氨水 D 氢氧化钠
步骤①酸浸时，生成盐的化学方程式为___________________________（任写一个）。
（3）步骤②通入氧气氧化的目的是_________________；工业上对该操作控制在4小时左右为宜，根据如图有关数据分析，影响Fe2+氧化率的变化规律：________
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硅是太阳能电池和电脑芯片不可缺少的材料．利用石英砂（主要成分为二氧化硅）生产高纯硅的流程图如图（整个制备过程必须达到无水、无氧气）．请回答：
（1）二氧化硅中硅元素的化合价是 ．
（2）该流程中无氧气的原因可能是 ．
（3）以上流程中，可循环使用的物质是 ．
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硅（Si）是太阳能电池和电脑芯片不可缺少的材料。利用石英砂（主要成分为二氧化硅）生产高纯硅的流程图如图（整个制备过程必须达到无水、无氧气）。
回答下列问题：
（1）三氯硅烷是由__元素（填数字）组成的化合物，请写出由纯SiHCl3制备高纯硅的化学反应方程式为_____________________，反应的基本类型为______。
（2）整个制备过程必须严格控制无水无氧气。SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3、HCl和另一种物质，写出化学反应方程式为_________________________；H2还原SiHCl3过程中若混入O2，可能引起的后果是________。
（3）以上生产高纯硅的流程中，可循环使用的物质是____________。
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无机非金属材料中，用于电子工业的高纯碳酸钙、高纯氧化钙生产流程如下：
请回答下列问题：
(1)硝酸钙与碳酸铵在溶液中反应，其基本反应类型为___________。
(2)高纯氧化钙生产过程中，“干燥”的主要目的是为了防止__________________ (用化学方程式表示)。
(3)生产高纯碳酸钙时，选择“220℃恒温干燥”而不选择“灼烧”的原因是_______。
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