边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图的有界匀强磁场，磁场区域的宽度为...

边长为 L 的正方形金属框在水平恒力 F 作用下运动，穿过方向如图的有界匀强磁场区域，磁场区域的宽度为 d（d>L）。已知 ab 边进入磁场时，线框的加速度恰好为零。则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，有

A. 产生的感应电流方向相反

B. 进入磁场过程和穿出磁场过程中 a 点的电势都比 b 点的电势低

C. 进入磁场过程的时间等于穿出磁场过程的时间

D. 进入磁场过程和穿出磁场过程中通过导体内某一截面的电量相等

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边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图所示的有界匀强磁场区域，磁场区域的宽度为．已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零，则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，有 [　　　 ]

A．产生的感应电流方向相反

B．所受的安培力方向相反

C．进入磁场过程的时间等于穿出磁场过程的时间

D．进入磁场过程的发热量等于穿出磁场过程的发热量

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如图所示，边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动，穿过方向垂直纸面向外的有界匀强磁场区域，磁场区域的宽度为d（d>L）.已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场和穿出磁场的过程相比较，有

A．产生的感应电流方向和大小均相同

B．受的安培力方向相反

C．进入磁场过程中通过ab的电荷量等于穿出磁场过程中通过ab的电荷量

D．进入磁场过程中产生的热量小于穿出磁场过程产生的热量

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边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图的有界匀强磁场区域。磁场区域的宽度为d（d＞L）．已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，有

A. 产生的感应电流方向相反

B. 所受的安培力方向相同

C. 经过的时间相同

D. 通过导体内某一截面的电量相等

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边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d（d>L）。已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，有（　　 ）

A．产生的感应电流方向相反

B．所受的安培力方向相同

C．进入磁场过程的时间等于穿出磁场过程的时间

D．进入磁场过程和穿出磁场过程中通过导体内某一截面的电量相等

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边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d（d>L）。已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，有

A．产生的感应电流方向相反

B．所受的安培力方向相反

C．进入磁场过程的时间等于穿出磁场过程的时间

D．进入磁场过程的发热量少于穿出磁场过程的发热量

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边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d（d>L）。已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，有（　 　）

A. 产生的感应电流方向相反

B. 所受的安培力方向相反

C. 进入磁场过程的时间等于穿出磁场过程的时间

D. 进入磁场过程和穿出磁场过程中通过导体内某一截面的电量相等

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边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d（d>L）。已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，有（　 　）

A. 产生的感应电流方向相反

B. 所受的安培力方向相反

C. 进入磁场过程的时间等于穿出磁场过程的时间

D. 进入磁场过程和穿出磁场过程中通过导体内某一截面的电量相等

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边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d（d>L）。已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，有

A．产生的感应电流方向相反

B．所受的安培力方向相同

C．进入磁场过程的时间等于穿出磁场过程的时间

D．进入磁场过程和穿出磁场过程中通过导体内某一截面的电量相等

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边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图所示的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d（d>L）．已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，正确的是（　　 ）

A．金属框中产生的感应电流方向相反

B．金属框所受的安培力方向相反

C．进入磁场过程的所用的时间等于穿出磁场过程的时间

D．进入磁场过程的发热量少于穿出磁场过程的发热量

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