高二物理解答题中等难度题
高二物理解答题中等难度题查看答案及解析
(10分)质谱仪是一种测定带电粒子质量和分析同位素的重要工具.它的构造原理如图所示,离子源S产生电荷量为q的某种正离子,离子产生时的速度很小,可以看作是静止的,离子经过电压U加速后形成离子流,然后垂直于磁场方向进入磁感应强度为B的匀强磁场,沿着半圆周运动而到达记录它的照相底片P上.实验测得,它在P上的位置到入口处S1的距离为a,离子流的电流为I.请回答下列问题:
(1)在时间t内到达照相底片P上的离子的数目为多少?
(2)单位时间内穿过入口S1处离子流的能量为多大?
(3)试求这种离子的质量m?.
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质谱仪是一种测定带电粒子质量和分析同位素的重要工具.它的构造原理如图10所示,离子源S产生电荷量为q的某种正离子,离子产生时的速度很小,可以看作是静止的,离子经过电压U加速后形成离子流,然后垂直于磁场方向进入磁感应强度为B的匀强磁场,沿着半圆周运动而到达记录它的照相底片P上.实验测得,它在P上的位置到入口处S1的距离为a,离子流的电流为I.请回答下列问题:
(1)在时间t内到达照相底片P上的离子的数目为多少?
(2)单位时间内穿过入口S1处离子流的能量为多大?
(3)试证明这种离子的质量为
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质谱仪是一种测定带电粒子质量和分析同位素的重要工具.它的构造原理如图所示,离子源S产生电荷量为q的某种正离子,离子产生时的速度很小,可以看作是静止的,离子经过电压U加速后形成离子流,然后垂直于磁场方向进入磁感应强度为B的匀强磁场,沿着半圆周运动而到达记录它的照相底片P上。实验测得,它在P上的位置到入口处S1的距离为a,离子流的电流为I。
(1)在时间t内到达照相底片P上的离子的数目为多少?
(2)这种离子的质量为多少?
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质谱仪是一种测定带电粒子质量和分析同位素的重要工具,它的构造原理如图所示。离子源产生的各种不同正离子束(速度可看作为零),经加速电场(加速电场极板间的距离为、电势差为)加速,然后垂直进入磁感应强度为的有界匀强磁场中做匀速圆周运动,最后到达记录它的照相底片上。设离子在上的位置与入口处之间的距离为。
(1)求该离子的荷质比。
(2)若离子源产生的是带电量为、质量为和的同位素离子(),它们分别到达照相底片上的、位置(图中末画出),求、间的距离。
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质谱仪是一种测定带电粒子的质量及分析同位素的重要工具,它的构造原理如图所示,离子源产生的各种不同正离子束(速度可看成为零),经加速电场加速后垂直进入有界匀强磁场,到达记录它的照相底片上,设离子在上的位置到入口处的距离为.
(1)设离子质量为、电荷量为、加速电压为、磁感应强度大小为,求的大小.
(2)氢的三种同位素、、从离子源出发,到达照相底片的位置距入口处的距离之比为多少?
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质谱仪是一种测定带电粒子质量和分析同位素的重要工具,它的构造原理如图,离子源产生的各种不同正离子束(速度可看作为零),经加速电场加速后垂直进入有界匀强磁场,到达记录它的照相底片上,设离子在上的位置到入口处的距离为,则下列判断正确的是( )
A. 若离子束是同位素,则越小,离子质量越大
B. 若离子束是同位素,则越小,离子质量越小
C. 只要相同,则离子质量一定相同
D. 越大,则离子的比荷一定越大
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质谱仪是一种测定带电粒子质量和分析同位素的重要工具,它的构造原理如图所示,离子源S产生的各种不同正离子束(速度可看为零),经加速电场加速后垂直进入有界匀强磁场,到达记录它的照相底片P上,设离子在P上的位置到入口处S1的距离为x,可以判断 ( )
A. 若离子束是同位素,则x越大,离子质量越大
B. 若离子束是同位素,则x越大,离子质量越小
C. 只要x相同,则离子质量一定相同
D. 只要x相同,则离子的比荷一定相同
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质谱仪是一种测定带电粒子质量和分析同位素的重要工具,它的构造原理如图所示,离子源S产生的各种不同正离子束(速度可看为零),经加速电场加速后垂直进入有界匀强磁场,到达记录它的照相底片P上,设离子在P上的位置到入口处S1的距离为x,可以判断 ( )
A. 若离子束是同位素,则x越大,离子质量越大
B. 若离子束是同位素,则x越大,离子质量越小
C. 只要x相同,则离子质量一定相同
D. 只要x相同,则离子的比荷一定相同
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质谱仪是一种测定带电粒子质量和分析同位素的重要工具,它的构造原理如图所示,离子源S产生的各种不同正离子束(速度可看为零),经加速电场加速后垂直进入有界匀强磁场,到达记录它的照相底片P上,设离子在P上的位置到入口处S1的距离为x,可以判断 ( )
A. 若离子束是同位素,则x越大,离子质量越大
B. 若离子束是同位素,则x越大,离子质量越小
C. 只要x相同,则离子质量一定相同
D. 只要x相同,则离子的比荷一定相同
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