高纯硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅的化学反应原理为：①
②
③
反应①制得粗硅，通过反应②③进一步得到高纯硅。下列有关说法不正确的是
A.反应①②③均为置换反应
B.SiO2中Si的化合价为+4价
C.SiHCl3中硅、氯元素的质量比为 1∶3
D.SiHCl3由氢、硅、氯三种元素组成
九年级化学单选题中等难度题
高纯硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅的化学反应原理为：①② ③ 反应①制得粗硅，通过反应②③进一步得到高纯硅。下列有关说法不正确的是
A.反应①②③均为置换反应
B.SiO2中Si的化合价为+4价
C.SiHCl3中硅、氯元素的质量比为 1∶3
D.SiHCl3由氢、硅、氯三种元素组成
九年级化学单选题中等难度题
高纯硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅的化学反应原理为：①② ③ 反应①制得粗硅，通过反应②③进一步得到高纯硅。下列有关说法不正确的是
A.反应①②③均为置换反应
B.SiO2中Si的化合价为+4价
C.SiHCl3中硅、氯元素的质量比为 1∶3
D.SiHCl3由氢、硅、氯三种元素组成
九年级化学单选题中等难度题查看答案及解析
高纯度的单晶硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅的化学反应原理为：
①SiO2+2C
Si +2CO↑、②Si+3HCl
HSiCl3+H2、③HSiCl3+H2Si+3X，反应①制得粗硅，通过反应②③进一步得到高纯硅；三氯硅烷(HSiCl3)的沸点是31.8℃。下列有关说法不正确的是
A. 反应③中X的化学式为HCl
B. 三氯硅烷由氢、硅、氯三种元素组成
C. 三氯硅烷中硅、氯元素的质量比为1∶3
D. 反应②③实现了硅元素的富集，将粗硅转化为高纯硅
九年级化学单选题中等难度题查看答案及解析
单晶硅是制作电子集成电路的基础材料。工业上通过以下反应将自然界的二氧化硅 (SiO2)转化为硅：SiO2+2C
Si+2CO↑，该反应属于
A．化合反应 B．分解反应 C．复分解反应 D．置换反应
九年级化学选择题中等难度题查看答案及解析
Si+2CO↑，该反应属于（ ）九年级化学选择题中等难度题查看答案及解析
单晶硅是制作电子集成电路的基础材料．工业上通过以下反应将自然界的二氧化硅（SiO2）转化为硅：
，下列分析正确的是（ ）
A.二氧化硅发生了氧化反应
B.碳发生了还原反应
C.该反应属于复分解反应
D.该反应属于置换反应
九年级化学单选题中等难度题查看答案及解析
Si+2CO↑．下列分析正确的是（ ）九年级化学选择题中等难度题查看答案及解析
Si+2CO↑．下列分析正确的是（ ）九年级化学选择题中等难度题查看答案及解析
Si+2CO↑．下列分析正确的是（ ）九年级化学选择题中等难度题查看答案及解析
九年级化学选择题中等难度题查看答案及解析
Si+2CO↑，下列分析正确的是（ ）九年级化学选择题中等难度题查看答案及解析