高纯度的单晶硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅的化学反应原理为：①SiO2+...

高纯度的单晶硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅的化学反应原理为：

①SiO2+2CSi +2CO↑、②Si+3HClHSiCl3+H2、③HSiCl3+H2Si+3X，反应①制得粗硅，通过反应②③进一步得到高纯硅；三氯硅烷(HSiCl3)的沸点是31.8℃。下列有关说法不正确的是

A. 反应③中X的化学式为HCl

B. 三氯硅烷由氢、硅、氯三种元素组成

C. 三氯硅烷中硅、氯元素的质量比为1∶3

D. 反应②③实现了硅元素的富集，将粗硅转化为高纯硅

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单晶硅是制作电子集成电路的基础材料。用化学方法可制得高纯度硅，其化学方程式为：①SiO2＋2CSi＋2CO↑；②Si＋2Cl2SiCl4；③SiCl4＋2H2Si＋4HCl，其中反应①和③属于（　　）

A.化合反应 B.分解反应 C.置换反应 D.复分解反应

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单晶硅是制作电子集成电路的基础材料，通过以下的化学反应可以制得高纯硅：①SiO2＋2CSi＋2CO↑；②Si＋2Cl2SiCl4；③SiCl4＋2H2Si＋4HCl，对于上述的反应，下列描述正确的是（　　）

A.这三个反应都属于置换反应

B.在①反应中，SiO2发生了氧化反应

C.在③反应中，氢元素的化合价没有发生变化

D.在①反应中，C作还原剂

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硅的元素符号为Si，单晶硅是制作电子集成电路的基础材料．用化学方法可制得高纯硅，有关化学反应方程式为：①SiO2+2CSi+2CO↑　　 ②Si+2Cl2SiCl4 ③SiCl4+2H2Si+4HCl．

上述反应③的反应类型属于(　　　 )

A. 复分解反应　　 B. 分解反应　　 C. 置换反应　　 D. 化合反应

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高纯硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅的化学反应原理为：①② ③ 反应①制得粗硅，通过反应②③进一步得到高纯硅。下列有关说法不正确的是

A.反应①②③均为置换反应

B.SiO2中Si的化合价为+4价

C.SiHCl3中硅、氯元素的质量比为 1∶3

D.SiHCl3由氢、硅、氯三种元素组成

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单晶硅是制作电子集成电路的基础材料。工业上通过以下反应将自然界的二氧化硅   (SiO₂)转化为硅：SiO₂+2CSi+2CO↑，该反应属于

A．化合反应      B．分解反应       C．复分解反应        D．置换反应

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