霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中，例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型，...

霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中，例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型，研究半导体内载流子浓度的变化等。在霍尔效应实验中，如图所示，宽为 ，长， 厚为 的导体，沿方向通有的电流，当磁感应强度的匀强磁场垂直向里穿过 平面时，产生了的霍尔电压，（已知导体内定向移动的自由电荷是电子），则下列说法正确的是

A. 在导体的前表面聚集自由电子，电子定向移动的速率

B. 在导体的上表面聚集自由电子，电子定向移动的速率

C. 在其它条件不变的情况下，增大的长度，可增大霍尔电压

D. 每立方米的自由电子数为个

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霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中，例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型，研究半导体内载流子浓度的变化等。在霍尔效应实验中，如图所示，宽为cm，长为4cm，厚为cm的导体，沿方向通有3A的电流，当磁感应强度的匀强磁场垂直向里穿过平面时，产生了V的霍尔电压，（已知导体内定向移动的自由电荷是电子），则下列说法正确的是

A．在导体的前表面聚集自由电子，电子定向移动的速率

B．在导体的上表面聚集自由电子，电子定向移动的速率

C．在其它条件不变的情况下，增大的长度，可增大霍尔电压

D．每立方米的自由电子数为个

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霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中，例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型，研究半导体内载流子浓度的变化等．在霍尔效应实验中，如图所示，宽ab为1 cm、长ad为4 cm、厚ae为1.0×10－3cm的导体，沿ad方向通有3 A的电流，当磁感应强度B＝1.5 T的匀强磁场垂直向里穿过abcd平面时，产生了1.0×10－5V的霍尔电压，(已知导体内定向移动的自由电荷是电子)则下列说法正确的是

A. 在导体的上表面聚集自由电子，电子定向移动的速率v＝×10－3m/s

B. 在导体的前表面聚集自由电子，电子定向移动的速率v＝×103m/s

C. 在其它条件不变的情况下，增大ad的长度，可增大霍尔电压

D. 每立方米的自由电子数为n＝2.8×1029个

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霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中，例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型，研究半导体内载流子浓度的变化等．在霍尔效应实验中，如图所示，宽ab为1 cm、长ad为4 cm、厚ae为1.0×10－3cm的导体，沿ad方向通有3 A的电流，当磁感应强度B＝1.5 T的匀强磁场垂直向里穿过abcd平面时，产生了1.0×10－5V的霍尔电压，(已知导体内定向移动的自由电荷是电子)则下列说法正确的是

A. 在导体的上表面聚集自由电子，电子定向移动的速率v＝×10－3m/s

B. 在导体的前表面聚集自由电子，电子定向移动的速率v＝×103m/s

C. 在其它条件不变的情况下，增大ad的长度，可增大霍尔电压

D. 每立方米的自由电子数为n＝2.8×1029个

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半导体内导电的粒子—“载流子”有两种：自由电子和空穴（空穴可视为能自由移动带正电的粒子），以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体，以空穴导电为主的半导体叫P型半导体。图为检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的原理图，图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中，磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时，会在与z轴垂直的两个侧面之间产生霍尔电势差UH，霍尔电势差大小满足关系，其中k为材料的霍尔系数。若每个载流子所带电量的绝对值为e，下列说法中正确的是（　 ）

A. 如果上表面电势高，则该半导体为P型半导体

B. 霍尔系数越大的材料，其内部单位体积内的载流子数目越多

C. 若将磁场方向改为沿z轴正方向，则在垂直y轴的两个侧面间会产生的霍尔电势差变小。

D. 若将电流方向改为沿z轴正方向，则在垂直x轴的两个侧面间会产生的霍尔电势差变大。

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现代广泛应用的半导体材料分为两大类：一类是N型半导体，其载流子是电子，另一类是P型半导体，其载流子称为“空穴”，相当于带正电的粒子．如果把某种导电材料制成长方体放在匀强磁场中，磁场方向如图所示，且与长方体的前后侧面垂直，当长方体中通有向右的电流I时，测得长方体的上下表面的电势分别为φ上和φ下，则(　　)

A. 长方体如果是N型半导体，必有φ上<φ下

B. 长方体如果是P型半导体，必有φ上<φ下

C. 长方体如果是P型半导体，必有φ上>φ下

D. 长方体如果是金属导体，必有φ上>φ下

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导体导电是导体中自由电荷定向移动的结果，这些可以定向移动的电荷又叫载流子，例如金属导体中的载流子就是电子．现代广泛应用的半导体材料分为两大类：一类是N型半导体，其载流子是电子，另一类是P型半导体，其载流子称为“空穴”，相当于带正电的粒子．如果把某种导电材料制成长方体放在匀强磁场中，磁场方向如图所示，且与长方体的前后侧面垂直，当长方体中通有向右的电流I时，测得长方体的上下表面的电势分别为φ上和φ下，则（　 ）

A．长方体如果是N型半导体，必有φ上＞φ下

B．长方体如果是P型半导体，必有φ上＞φ下

C．长方体如果是P型半导体，必有φ上＜φ下

D．长方体如果是金属导体，必有φ上＜φ下

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导体导电是导体中的自由电荷定向移动的结果，这些可以移动的电荷又叫载流子，例如金属导体中的载流子就是自由电子。现代广泛应用的半导体材料可以分成两大类，一类为N型半导体，它的载流子是电子；另一类为P型半导体，它的载流子是“空穴”，相当于带正电的粒子。如果把某种材料制成的长方体放在匀强磁场中，磁场方向如图所示，且与前后侧面垂直。长方体中通入水平向右的电流，测得长方体的上、下表面M、N的电势分别为φM、φN，则该种材料

A. 如果是P型半导体，有φM＞φN

B. 如果是N型半导体，有φM＜φN

C. 如果是P型半导体，有φM＜φN

D. 如果是金属导体，有φM＞φN

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