常用的温差发电装置的主要结构是半导体热电偶。如图所示，热电偶由N型半导体和P型半导体串联而...

常用的温差发电装置的主要结构是半导体热电偶。如图所示，热电偶由N型半导体和P型半导体串联而成，N型半导体的载流子（形成电流的自由电荷）是电子，P型半导体的载流子是空穴，空穴带正电且电荷量等于元电荷e。若两种半导体相连一端和高温热源接触，而另一端A、B与低温热源接触，两种半导体中的载流子都会从高温端向低温端扩散，最终在A、B两端形成稳定的电势差，且电势差的大小与高温热源、低温热源间的温度差有确定的函数关系。下列说法正确的是（　　　 ）

A. B端是温差发电装置的正极

B. 热电偶内部非静电力方向和载流子扩散方向相反

C. 温差发电装置供电时不需要消耗能量

D. 可以利用热电偶设计一种测量高温热源温度的传感器

高二物理单选题中等难度题查看答案及解析

某兴趣小组查阅资料发现：1957年，科学家首先提出了两类超导体的概念，一类称为Ⅰ型超导体，主要是金属超导体，另一类称为Ⅱ型超导体（载流子为电子），主要是合金和陶瓷超导体。Ⅰ型超导体对磁场有屏蔽作用，即磁场无法进入超导体内部，而Ⅱ型超导体则不同，它允许磁场通过。现将一块长方体Ⅱ型超导体通入稳恒电流I后放入匀强磁场中，如图所示，该小组就以下问题进行分析讨论：

（1）超导体的内部________热能（填“产生”或“不产生”）；

（2）超导体所受安培力_______其内部所有电荷定向移动所受洛伦兹力的合力（填“等于”或“不等于”）；

（3）超导体表面上两点的电势关系为_______（填“等于”或“大于”或“小于”）。

高二物理填空题简单题查看答案及解析

1957年，科学家首先提出了两类超导体的概念，一类称为I型超导体，主要是金属超导体，另一类称为II型超导体（载流子为电子），主要是合金和陶瓷超导体。I型超导体对磁场有屏蔽作用，即磁场无法进入超导体内部，而Ⅱ型超导体则不同，它允许磁场通过。现将一块长方体Ⅱ型超导体通入稳恒电流I后放入匀强磁场中，如图所示．下列说法正确的是（　　 ）

A. 因为安培力是洛伦兹力的宏观体现，所以在任何情况下安培力对超导体都不做功

B. 超导体的内部产生了热能

C. 超导体表面上a、b两点的电势关系为φa<φ b

D. 超导体中电流I越大，a、b两点的电势差越小

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为了保护电脑元件不受损害，在电脑内部有很多传感器，其中最重要的就是温度传感器，常用的温度传感器有两种，一种是用金属做的热电阻，另一种是用半导体做的热敏电阻．关于这两种温度传感器的特点说法正确的是(　　)

A. 金属做的热电阻随着温度的升高电阻变大

B. 金属做的热电阻随着温度的升高电阻变小

C. 用半导体做的热敏电阻随着温度的升高电阻变大

D. 用半导体做的热敏电阻随着温度的升高电阻变小

高二物理不定项选择题简单题查看答案及解析

如图所示，电磁炮是一种新型的发射炮弹的装置。把待发射的炮弹放在匀强磁场中的两平行导电导轨上，给导轨通以大电流，炮弹作为一个载流导体在磁场作用下沿导轨加速，使炮弹获得极大的发射速度．下列各俯视图中正确表示磁场B方向的是(　 )

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半导体中参与导电的电流载体称为载流子。N型半导体的载流子是带负电的电子，P型半导体的载流子是带正电的“空穴”，如图所示，一块厚度为d、宽度为L的长方形半导体样品，置于方向如图所示、磁感应强度大小为B的匀强磁场中，当半导体样品中通以向右的电流强度为I的恒定电流时，样品上、下底面出现恒定电势差U，且上表面带正电、下表面带负电。设半导体样品中每个载流子带电荷量为q，半导体样品中载流子的密度（单位体积内载流子的个数）用n表示（已知电流I=nqvS，其中v为载流子定向移动的速度，S为导体横截面积），则下列关于样品材料类型的判断和其中载流子密度n大小的表达式正确的是（    ）

A.是N型半导体，

B.是P型半导体 ，

C.是N型半导体 ，

D.是P型半导体 ，

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半导体中参与导电的电流载体称为载流子．N型半导体的载流子是带负电的电子，P型半导体的载流子是带正电的“空穴”，如图所示，一块厚度为d、宽度为L的长方形半导体样品，置于方向如图所示、磁感应强度大小为B的匀强磁场中，当半导体样品中通以向右的电流强度为I的恒定电流时，样品上、下底面出现恒定电势差U，且上表面带正电、下表面带负电．设半导体样品中每个载流子带电荷量为q，半导体样品中载流子的密度（单位体积内载流子的个数）用n表示（已知电流I=nqvS，其中v为载流子定向移动的速度，S为导体横截面积），则下列关于样品材料类型的判断和其中载流子密度n大小的表达式正确的是

（　 ）

A．是N型半导体，n=　　 B．是P型半导体，n=

C．是N型半导体，n=　　 D．是P型半导体，n=

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高二物理解答题中等难度题查看答案及解析

现代广泛应用的半导体材料分为两大类：一类是N型半导体，其载流子是电子，另一类是P型半导体，其载流子称为“空穴”，相当于带正电的粒子．如果把某种导电材料制成长方体放在匀强磁场中，磁场方向如图所示，且与长方体的前后侧面垂直，当长方体中通有向右的电流I时，测得长方体的上下表面的电势分别为φ上和φ下，则(　　)

A. 长方体如果是N型半导体，必有φ上<φ下

B. 长方体如果是P型半导体，必有φ上<φ下

C. 长方体如果是P型半导体，必有φ上>φ下

D. 长方体如果是金属导体，必有φ上>φ下

高二物理多选题中等难度题查看答案及解析

霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中，例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型，研究半导体内载流子浓度的变化等。在霍尔效应实验中，如图所示，宽为 ，长， 厚为 的导体，沿方向通有的电流，当磁感应强度的匀强磁场垂直向里穿过 平面时，产生了的霍尔电压，（已知导体内定向移动的自由电荷是电子），则下列说法正确的是

A. 在导体的前表面聚集自由电子，电子定向移动的速率

B. 在导体的上表面聚集自由电子，电子定向移动的速率

C. 在其它条件不变的情况下，增大的长度，可增大霍尔电压

D. 每立方米的自由电子数为个

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