如图所示，导电物质为电子的霍尔元件位于两串联线圈之间，线圈中电流为I，线圈间产生匀强磁场，磁感应强度大小B与I成正比，方向垂直霍尔元件的两侧面，此时通过霍尔元件的电流为
，与其前后表面相连的电压表测出的霍尔电压
满足：
，式中k为霍尔系数，d为霍尔元件两侧面间的距离，电阻R远大于
，霍尔元件的电阻可以忽略，则
A.霍尔元件前表面的电势低于后表面，
B.若电源的正负极对调，电压表将反偏
C.与I成正比
D.电压表的示数与消耗的电功率成正比
高二物理选择题中等难度题
如图所示，导电物质为电子的霍尔元件位于两串联线圈之间，线圈中电流为I，线圈间产生匀强磁场，磁感应强度大小B与I成正比，方向垂直霍尔元件的两侧面，此时通过霍尔元件的电流为，与其前后表面相连的电压表测出的霍尔电压满足：，式中k为霍尔系数，d为霍尔元件两侧面间的距离，电阻R远大于，霍尔元件的电阻可以忽略，则
A.霍尔元件前表面的电势低于后表面，
B.若电源的正负极对调，电压表将反偏
C.与I成正比
D.电压表的示数与消耗的电功率成正比
高二物理选择题中等难度题
如图所示，导电物质为电子的霍尔元件位于两串联线圈之间，线圈中电流为I，线圈间产生匀强磁场，磁感应强度大小B与I成正比，方向垂直霍尔元件的两侧面，此时通过霍尔元件的电流为，与其前后表面相连的电压表测出的霍尔电压满足：，式中k为霍尔系数，d为霍尔元件两侧面间的距离，电阻R远大于，霍尔元件的电阻可以忽略，则
A.霍尔元件前表面的电势低于后表面，
B.若电源的正负极对调，电压表将反偏
C.与I成正比
D.电压表的示数与消耗的电功率成正比
高二物理选择题中等难度题查看答案及解析
如图所示，导电物质为电子的霍尔元件位于两串联线圈之间，线圈中电流为I，线圈间产生匀强磁场，磁感应强度大小B与I成正比，方向垂直于霍尔元件的两侧面，此时通过霍尔元件的电流为IH，与其前后表面相连的电压表测出的霍尔电压UH满足：UH=k
，式中k为霍尔系数，d为霍尔元件两侧面间的距离．电阻R远大于RL，霍尔元件的电阻可以忽略，则（ ）
A．霍尔元件前表面的电势低于后表面
B．若电源的正负极对调，电压表将反偏
C．IH与I成正比
D．电压表的示数与RL消耗的电功率成正比
高二物理选择题简单题查看答案及解析
如图所示，导电物质为正电荷的霍尔元件位于两串联线圈之间，线圈中电流为I，线圈间产生匀强磁场，磁感应强度大小B与I成正比，方向垂直于霍尔元件的两侧面，此时通过霍尔元件的电流为IH，与其前后表面相连的电压表测出的霍尔电压UH。电阻R远大于RL，霍尔元件的电阻可以忽略，则（ ）
A．霍尔元件前表面的电势低于后表面
B．网IH与I成正比
C．电压表的示数与RL消耗的电功率成正比
D．若电源的正负极对调，电压表指针将反偏
高二物理选择题中等难度题查看答案及解析
如图所示，导电物质为电子的霍尔元件位于两串联线圈之间，线圈中电流为I，线圈间产生匀强磁场，磁感应强度大小B与I成正比，方向垂直于霍尔元件的两侧面，此时通过霍尔元件的电流为IH，与其前后表面相连的电压表测出的霍尔电压UH满足：UH＝
，式中k为霍尔系数，d为霍尔元件两侧面间的距离。电阻R远大于RL，霍尔元件的电阻可以忽略，则（ ）
A. 霍尔元件前表面的电势低于后表面
B. 若电源的正负极对调，电压表将反偏
C. IH与I成正比
D. 电压表的示数与RL消耗的电功率成正比
高二物理多选题中等难度题查看答案及解析
利用霍尔效应制作的霍尔元件，广泛应用于测量和自动控制等领域。如图是霍尔元件的工作原理示意图，一块长为a，宽为c的矩形半导体霍尔元件，元件内的导电粒子是电荷量为e的自由电子，通入图示方向的电流I时，电子的定向移动速度为v，当磁感应强度B垂直于霍尔元件的工作面向下时，前后两侧面会形成电势差U，下列说法中正确的是
A.前、后表面间的电压U与v无关 B.前表面的电势比后表面的高
C.自由电子受到的洛伦兹力大小为
D.前、后表面间的电压U与c成正比
高二物理多选题中等难度题查看答案及解析
如图所示，宽度为h、厚度为d的霍尔元件放在与它垂直的磁感应强度大小为
的匀强磁场中，当恒定电流I通过霍尔元件时，在它的前后两个侧面之间会产生电压，这样就实现了将电流输入转化为电压输出。为提高输出的电压，可采取的措施是（ ）
A．增大d B．减小d C．增大h D．减小h
高二物理选择题中等难度题查看答案及解析
如图所示，宽度为h、厚度为d的霍尔元件放在与它垂直的磁感应强度大小为的匀强磁场中，当恒定电流I通过霍尔元件时，在它的前后两个侧面之间会产生电压，这样就实现了将电流输入转化为电压输出。为提高输出的电压，可采取的措施是（ ）
A．增大d B．减小d C．增大h D．减小h
高二物理单选题中等难度题查看答案及解析
霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器,已发展成一个品种多样的磁传感器产品族,得到广泛应用．如图为某霍尔元件的工作原理示意图,该元件中电流I由正电荷定向运动形成,下列说法正确的是( )
A.M点电势比N点电势高
B.用霍尔元件可以测量地磁场的磁感应强度
C.用霍尔元件能够把磁学量转换为电学量
D.若保持电流I恒定,则霍尔电压UH与B成正比例
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如图所示，导电物质为电子的霍尔元件样品置于磁场中，表面与磁场方向垂直，图中的1、2、3、4是霍尔元件上的四个接线端．当开关S1、S2闭合后，三个电表都有明显示数，下列说法正确的是( )
A. 通过霍尔元件的磁场方向向上
B. 若适当减小R1、增大R2，则电压表示数一定增大
C. 仅将电源E1、E2反向接入电路，电压表的示数不变
D. 接线端2的电势低于接线端4的电势
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一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿z轴方向，并通有沿x轴方向的电流I．
(1)此元件的CC/两个侧面中，哪个面电势高？
(2)试证明在磁感应强度一定时，此元件的CC/ 两个侧面的电势差与其中的电流成正比；
(3)磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B的仪器．其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通以电流I，用毫伏表测量C、C/间的电压U， 就可测得B．若已知其霍尔系数
，并测得U =0.6mV，I=3mA．试求该元件所在处的磁感应强度B的大小．
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