如图所示，用相同导线绕制的边长为L或2L的四个闭合导体线框，以相同的速度匀速进入右侧匀强磁...

如图所示，用相同导线绕制的边长为L或2L的四个闭合导体线框，以相同的速度匀速进入右侧匀强磁场。在每个线框进入磁场的过程中，M、N两点间的电压分别为Ua、Ub、Uc和Ud.下列判断正确的是（　　　 ）

A．Ua<Ub<Uc<Ud　　　　 B．Ua<Ub<Ud<Uc

C．Ua=Ub<Uc=Ud　 　　　　 D．Ub<Ua<Ud<Uc

高二物理选择题中等难度题查看答案及解析

用相同导线绕制的边长为L或2L的四个闭合导体线框，以相同的速度匀速进入右侧匀强磁场，如图所示。在每个线框进入磁场的过程中，M、N两点间的电压分别为U_a、U_b、U_c和U_d。下列判断正确的是       (     )

A．U_a＜U_b＜U_c＜U_d    B．U_a＜U_b＜U_d＜U_c   C．U_a＝U_b＜U_c＝U_d   D．U_b＜U_a＜U_d＜U_c

高二物理选择题简单题查看答案及解析

用相同导线绕制的边长为L或2L的四个闭合导体线框，以相同的速度匀速进入右侧匀强磁场，如图所示。在每个线框进入磁场的过程中，M、N两点间的电压分别为Ua、Ub、Uc和Ud．下列判断正确的是（　　）

A.

B.

C.

D.

高二物理单选题中等难度题查看答案及解析

用相同导线绕制的边长为L或2L的四个闭合导体框，以相同的速度匀速进入右侧匀强磁场，如图所示。在每个线框进入磁场的过程中，M、N两点间的电压分别为U_a、U_b、U_c、U_d。下列判断正确的是：

A．U_a<U_b<U_c<U_d

B．U_a<U_b<U_d<U_c

C．U_a＝U_b<U_c＝U_d

D．U_b<U_a<U_d<U_c

高二物理选择题中等难度题查看答案及解析

用相同导线绕制的边长为L或2L的四个闭合导体线框，以相同的速度匀速进入右侧匀强磁场，如图所示。在每个线框进入磁场的过程中，M、N两点间的电压分别为Ua、Ub、Uc和Ud。下列判断正确的是 (    )

A．Ua＜Ub＜Uc＜Ud    B．Ua＜Ub＜Ud＜Uc

C．Ua＝Ub＜Uc＝Ud    D．Ub＜Ua＜Ud＜Uc

高二物理选择题简单题查看答案及解析

用相同导线绕制的边长为L或2L的四个闭合导线框，以相同的速度匀速进入右侧匀强磁场，如图所示．在每个线框进入磁场的过程中，M、N两点间的电压分别为Ua、Ub、Uc和Ud.下列判断正确的是(　　)

A. Ua<Ub<Uc<Ud　　 B. Ua<Ub<Ud<Uc

C. Ua＝Ub<Uc＝Ud　　 D. Ub<Ua<Ud<Uc

高二物理单选题简单题查看答案及解析

用相同导线绕制的边长为L或2L的四个闭合导线框，以相同的速度匀速进入右侧匀强磁场，如图所示．在每个线框进入磁场的过程中，M、N两点间的电压分别为Ua、Ub、Uc和Ud.下列判断正确的是(　　)

A. Ua＜Ub＜Uc＜Ud　　 B. Ub＜Ua＜Ud＜Uc　　 C. Ua＝Ub＜Uc＝Ud　　 D. Ua＜Ub＜Ud＜Uc

高二物理选择题简单题查看答案及解析

如图所示，甲、乙是用相同的导线绕制成的边长分别为L和2L的正方形闭合线框，现让它们以相同的速度匀速进入右侧的匀强磁场，在线框进入磁场的过程中a、b和c、d两点间的电压分别为U甲和U乙，ab边和cd边所受的安培力分别为F甲和F乙，则下列判断正确的是（　　）

A. U甲＝U乙　　 B. U甲＝2U乙

C. F甲＝F乙　　 D. F甲＝F乙

高二物理选择题中等难度题查看答案及解析

如图所示，一导线折成动长为a的正三角形闭合回路，虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂直于回路所在的平面，回路以速度v向右匀速进入磁场，边长CD始终与MN垂直，从D点到达边界开始到C点进入磁场为止，下列结论中正确的是（　　 ）

A. 导线框受到安培力方向始终向上

B. 导线框受到安培力方向始终向

C. 感应电动势的最大值为

D. 应电动势平均值为

高二物理多选题中等难度题查看答案及解析

高二物理选择题中等难度题查看答案及解析