如图所示，在光滑水平面上用恒力拉质量为、边长为、总电阻为的单匝均匀正方形铜线框，线框从位置...

如图所示，在光滑水平面上用恒力拉质量为、边长为、总电阻为的单匝均匀正方形铜线框，线框从位置1开始以速度进入磁感应强度为的匀强磁场，到达位置2时线框刚好全部进入磁场，在位置3时线框开始离开匀强磁场，到达位置4时线框刚好全部离开磁场。则　　

A．在位置1时，线框右侧边MN的两端电压为

B．线框从位置1到位置2的过程与从位置3到位置4的过程产生的感应电流方向相反

C．线框从位置1到位置2的过程与从位置3到位置4的过程所受的安培力方向相同

D．从位置1到位置2的过程中流过线框某一截面的电荷量等于

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如图甲所示，在光滑水平面上用恒力F拉质量m的单匝均匀正方形铜线框，边长为a，总电阻为R，在1位置以速度v0进入磁感应强度为B的匀强磁场，并开始计时t=0，若磁场的宽度为b(b>3a)，在3t0时刻线框到达2位置速度又为v0，并开始离开匀强磁场。此过程中v-t图象如图乙所示，则（　　 ）

A. t =0时，线框右侧边MN的两端电压为Bav0

B. 线框进入磁场过程中，流过某一截面的电量为

C. 线框完全离开磁场的瞬间位置3速度一定等于t0时刻线框的速度大小

D. 线框从1位置进入磁场到完全离开磁场位置3过程中，线框中产生的电热一定为2Fb

高二物理选择题简单题查看答案及解析

如图（a）所示，在光滑水平面上用恒力F拉质量为m的单匝均匀正方形铜线框，线框边长为a，在1位置以速度v0进入磁感应强度为B的匀强磁场并开始计时，若磁场的宽度为b（b>3a），在3t0时刻线框到达2位置，速度又为v0，并开始离开匀强磁场. 此过程中v－t图像如图（b）所示，则（　　）

A. t＝0时，线框右侧边MN的两端电压为Bav0

B. 在t0时刻线框的速度为v0－

C. 线框完全离开磁场的瞬间位置3的速度一定比t0时刻线框的速度大

D. 线框从1位置进入磁场到完全离开磁场位置3过程中线框中产生的电热为2Fb

高二物理选择题中等难度题查看答案及解析

如图(a)所示, 在光滑水平面上用恒力F拉质量为m的单匝均匀正方形铜线框, 线框边长为a, 在1位置以速度v0进入磁感应强度为B的匀强磁场并开始计时, 若磁场的宽度为b(b>3a), 在3t0时刻线框到达2位置, 速度又为v0, 并开始离开匀强磁场. 此过程中v－t图像如图(b)所示, 则(　　)

A. t＝0时, 线框右侧边MN的两端电压为Bav0

B. 在t0时刻线框的速度为

C. 线框完全离开磁场的瞬间位置3的速度一定比t0时刻线框的速度大

D. 线框从1位置进入磁场到完全离开磁场位置3过程中线框中产生的电热为2Fb

高二物理单选题中等难度题查看答案及解析

如图所示，在光滑水平面上用恒力F拉质量1kg的单匝均匀正方形铜线框，在1位置以速度进入匀强磁场时开始计时，此时线框中感应电动势为1V，在时刻线框到达2位置开始离开匀强磁场此过程中v--t图象如图所示，那么　　

A. 在时刻线框右侧的边两端MN间电压为V

B. 恒力F的大小为N

C. 线框完全离开磁场的瞬间位置3速度为2

D. 线框完全离开磁场的瞬间位置3速度为1

高二物理多选题困难题查看答案及解析

如图（a）所示在光滑水平面上用恒力F拉质量1kg的单匝均匀正方形铜线框，在1位置以速度　　 v0=3m/s进入匀强磁场时开始计时t=0，此时线框中感应电动势1V，在t=3s时刻线框到达2位置　　 开始离开匀强磁场。此过程中v-t图象如图（b）所示，那么（　　）

A．t=0时，线框右侧的边两端MN间电压为0.25V

B．恒力F的大小为0.5N

C．线框完全离开磁场的瞬间位置3速度为2m/s

D．线框完全离开磁场的瞬间位置3速度为1m/s

高二物理选择题中等难度题查看答案及解析

如图（a）所示,在光滑水平面上用恒力F拉质量为1kg的单匝均匀正方形铜线框,在1位置以速度v0=3m/s进入匀强磁场时开始计时t=0,此时线框中感应电动势为1 V,在t=3s时刻线框到达2位置开始离开匀强磁场．此过程中v-t图象如图（b）所示,那么（　　 ）

A. 线框右侧边两端MN间的电压为0.25V

B. 恒力F的大小为0.5N

C. 线框完全离开磁场的瞬间位置3的速度大小为3m/s

D. 线框完全离开磁场的瞬间位置3的速度大小为1m/s

高二物理单选题简单题查看答案及解析

如图（a）所示，在光滑水平面上用恒力F拉质量1 kg的单匝均匀正方形铜线框，在1位置以速度v0＝3 m/s进入匀强磁场时开始计时t＝0，此时线框中感应电动势为1 V，在t＝3 s时刻线框到达2位置开始离开匀强磁场。此过程中v-t图象如图（b）所示，那么（　　）

A. 线框右侧的边两端MN间电压最大为0.25V

B. 恒力F的大小为1.0N

C. 线框完全离开磁场的瞬间位置3速度为2 m/s

D. 线框完全离开磁场的瞬间位置3速度为1 m/s

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如图甲所示，在光滑水平面上用恒力F拉质量为1 kg的单匝均匀正方形铜线框，在1位置以速度v0＝3 m/s进入匀强磁场时开始计时t＝0，此时线框中感应电动势为1 V，在t＝3 s时刻线框到达2位置开始离开匀强磁场.此过程中v-t图象如图乙所示，那么（　　 ）

A.t＝0时线框右侧的边两端M、N间电压为0.25 V

B.恒力F的大小为1.0 N

C.线框完全离开磁场的位置3的瞬时速度为2 m/s

D.线框完全离开磁场的位置3的瞬时速度为1 m/s

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如图甲所示，在光滑水平面上用恒力F拉质量为1 kg的单匝均匀正方形铜线框，在1位置以速度v₀＝3 m/s进入匀强磁场时开始计时t＝0，此时线框中感应电动势为1 V，在t＝3 s时刻线框到达2位置开始离开匀强磁场.此过程中v-t图象如图乙所示，那么（   ）

A．t＝0时线框右侧的边两端M、N间电压为0.25 V

B．恒力F的大小为1.0 N

C．线框完全离开磁场的位置3的瞬时速度为2 m/s

D．线框完全离开磁场的位置3的瞬时速度为1 m/s

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