如图所示，有一边长为l的正方形导线框，质量为m，由高h处自由落下，其下边ab进入匀强磁场区...

如图所示，有一边长为l的正方形导线框，质量为m，由高h处自由落下，其下边ab进入匀强磁场区域后，线框开始做减速运动，直到其上边cd刚穿出磁场时，速度减小为ab边刚进入磁场时速度的一半，此匀强磁场的宽度也是l，则下列结论正确的是（　　 ）

A.线框穿过磁场区域时做匀减速直线运动

B.线框穿过磁场区域时加速度方向先向上后向下

C.线框进入磁场时的加速度大于穿出磁场时的加速度

D.线框穿过磁场区域的过程中产生的焦耳热为

高二物理多选题中等难度题查看答案及解析

如下图所示，有一边长为L的正方形导线框，质量为m，由高H处自由落下，其下边ab进入匀强磁场区后，线圈开始做减速运动，直到其上边cd刚刚穿出磁场时，速度减为ab边刚进入磁场时速度的一半，此匀强磁场的宽度也是L，则线框在穿越匀强磁场过程中产生的焦耳热为(　 )

A.2mgL B.2mgL＋mgH

C.2mgL＋mgH D.2mgL＋mgH

高二物理单选题中等难度题查看答案及解析

如下图所示，有一边长为L的正方形导线框，质量为m，由高H处自由落下，其下边ab进入匀强磁场区后，线圈开始做减速运动，直到其上边cd刚刚穿出磁场时，速度减为ab边刚进入磁场时速度的一半，此匀强磁场的宽度也是L，则线框在穿越匀强磁场过程中产生的焦耳热为(　 )

A.2mgL B.2mgL＋mgH

C.2mgL＋mgH D.2mgL＋mgH

高二物理单选题中等难度题查看答案及解析

有一边长l＝0.1 m的正方形导线框abcd，质量m＝10 g，由高度h＝0.2 m处自由下落，如图所示．其下边ab进入匀强磁场区域后，线圈开始做匀速运动，直到其上边dc穿出匀强磁场为止．磁场的磁感应强度B=5 T，g取10 m/s2．求：

（1）线框的电阻R；

（2）线框在穿越匀强磁场过程中产生的焦耳热Q．

高二物理解答题中等难度题查看答案及解析

如图所示，边长为L的正方形导线框质量为m，由距磁场高处自由下落，其下边ab进入匀强磁场后，线圈开始做减速运动，直到其上边cd刚刚穿出磁场时，速度减为ab边进入磁场时的一半，磁场的宽度也为L，则线框穿越匀强磁场过程中产生的焦耳热为（）

A. 3mgL　　 B. 　　 C. 2mgL　　 D.

高二物理单选题简单题查看答案及解析

如图所示，边长为L的正方形导线框质量为m，由距磁场H高处自由下落，其下边ab进入匀强磁场后，线圈开始作减速运动，直到其上边cd刚刚穿出磁场时，速度减为ab边进入磁场时的一半，磁场的宽度也为L，则线框在穿越匀强磁场过程中（　　 ）

A. 线圈做匀减速运动

B. 通过线圈某一截面的电荷量为0

C. 线圈中的感应电流方向保持不变

D. 线圈产生的焦耳热为

高二物理多选题中等难度题查看答案及解析

如图所示,边长为L的正方形导线框质量为m,由距磁场H高处自由下落,其下边ab进入匀强磁场后,线圈开始做减速运动,直到其上边cd刚刚穿出磁场时,速度减为ab边进入磁场时的一半,磁场的宽度也为L．则线框穿越匀强磁场过程中产生的焦耳热为（　　 ）

A．2mgL　　　　　　　　 B．2mgL+mgH

C．2mgL+mgH　 　　 D．2mgL+mgH

高二物理选择题极难题查看答案及解析

如图所示，边长为L的正方形导线框质量为m，由距磁场H高处自由下落，其下边ab进入匀强磁场后，线圈开始做减速运动，直到其上边dc刚刚穿出磁场时，速度减为ab边刚进入磁场时的一半，磁场的宽度也为L，则线框穿越匀强磁场过程中产生的焦耳热为(　　)

A. 2mgL　　 B. 2mgL＋mgH

C. 2mgL＋mgH　　 D. 2mgL＋mgH

高二物理选择题困难题查看答案及解析

如图所示，边长为L的正方形导线框质量为m，由距磁场H高处自由下落，其下边ab进入匀强磁场后，线圈开始做减速运动，直到其上边dc刚刚穿出磁场时，速度减为ab边刚进入磁场时的一半，磁场的宽度也为L，则线框穿越匀强磁场过程中产生的焦耳热为(　　)

A. 2mgL　　 B. 2mgL＋mgH

C. 2mgL＋mgH　　 D. 2mgL＋mgH

高二物理选择题困难题查看答案及解析

如图所示,边长为L的正方形导线框质量为m,由距磁场H高处自由下落其下边ab进入匀强磁场后,线圈开始做减速运动,直到其上边cd刚刚穿出场时,速度减为ab边进入磁场时的一半,磁场的宽度也为L.则线框穿越匀强磁过程中产生的焦耳热为

A. 2mgL

B. 2mgL+mgH

C. 2mgL+mgH

D. 2mgL+mgH

高二物理单选题中等难度题查看答案及解析