一块N型半导体薄片（电子导电）称霍尔元件，其横截面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿z轴方向，并通有沿x轴方向的电流I。
(1)此元件的C、C/ 两个侧面中， 面电势高。
(2)在磁感应强度一定时， CC/两个侧面的电势差与其中的电流关系是 （填成正比或成反比）。
(3)磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B的仪器。其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通以电流I，用毫伏表测量C、C/间的电压U， 就可测得B。若已知其霍尔系数为：
， 测得U =0.6mV，I=3mA。该元件所在处的磁感应强度B的大小是： 。
高二物理填空题简单题
一块N型半导体薄片（电子导电）称霍尔元件，其横截面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿z轴方向，并通有沿x轴方向的电流I。
(1)此元件的C、C/ 两个侧面中， 面电势高。
(2)在磁感应强度一定时， CC/两个侧面的电势差与其中的电流关系是 （填成正比或成反比）。
(3)磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B的仪器。其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通以电流I，用毫伏表测量C、C/间的电压U， 就可测得B。若已知其霍尔系数为：， 测得U =0.6mV，I=3mA。该元件所在处的磁感应强度B的大小是： 。
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一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿z轴方向，并通有沿x轴方向的电流I。
(1)此元件的CC/两个侧面中，哪个面电势高？
(2)试证明在磁感应强度一定时，此元件的CC/ 两个侧面的电势差与其中的电流成正比；
(3)磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B的仪器。其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通以电流I，用毫伏表测量C、C/间的电压U， 就可测得B。若已知其霍尔系数
，并测得U =0.6mV，I=3mA。试求该元件所在处的磁感应强度B的大小。
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．并测得UCC′=0.6mV，I=3mA．试求该元件所在处的磁感应强度B的大小． 高二物理解答题中等难度题查看答案及解析
一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿z轴方向，并通有沿x轴方向的电流I．
(1)此元件的CC/两个侧面中，哪个面电势高？
(2)试证明在磁感应强度一定时，此元件的CC/ 两个侧面的电势差与其中的电流成正比；
(3)磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B的仪器．其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通以电流I，用毫伏表测量C、C/间的电压U， 就可测得B．若已知其霍尔系数
，并测得U =0.6mV，I=3mA．试求该元件所在处的磁感应强度B的大小．
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利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器，广泛应用于测量和自动控制等领域。如图所示，将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中，在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时，另外两侧c、f间会产生电势差，这一现象称为霍尔效应。其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累，于是c、f间建立起电场
，同时产生霍尔电势差
。当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时，和达到稳定值，的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式
，其中比例系数
称为霍尔系数，仅与材料性质有关
(1)设半导体薄片的宽度（c、f间距）为l，请写出和的关系式；若半导体材料是由电子导电的，请判断图中c、f哪端的电势高；
(2)已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n，电子的电荷量为e，请推导出霍尔系数的表达式；（通过横截面积S的电流
，其中v是导电电子定向移动的平均速率）
(3)图一是霍尔测速仪的示意图，将非磁性圆盘固定在转轴上，圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体，相邻永磁体的极性相反。霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近。当圆盘匀速转动时，霍尔元件输出的电压脉冲信号图像如图二所示：
①若在时间t内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，请导出圆盘转速N的表达式；
②利用霍尔测速仪可以测量汽车行驶的里程.除此之外，请你展开“智慧的翅膀”，提出另一个实例或设想。
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利用霍尔效应制作的霍尔元件，广泛应用于测量和自动控制等领域。如图是霍尔元件的工作原理示意图，一块长为a，宽为c的矩形半导体霍尔元件，元件内的导电粒子是电荷量为e的自由电子，通入图示方向的电流I时，电子的定向移动速度为v，当磁感应强度B垂直于霍尔元件的工作面向下时，前后两侧面会形成电势差U，下列说法中正确的是
A.前、后表面间的电压U与v无关 B.前表面的电势比后表面的高
C.自由电子受到的洛伦兹力大小为
D.前、后表面间的电压U与c成正比
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在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，做成了一个霍尔元件，在E、F间通入恒定电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，M、N间的电压为UH．已知半导体薄片中的载流子为正电荷，电流与磁场的方向如图所示，下列说法正确的有（ ）
A. N板电势高于M板电势
B. 磁感应强度越大，MN间电势差越大
C. 将磁场方向变为与薄片的上、下表面平行，UH不变
D. 将磁场和电流分别反向，N板电势低于M板电势
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在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，做成了一个霍尔元件，在E、F间通入恒定电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，M、N间的电压为UH．已知半导体薄片中的载流子为正电荷，电流与磁场的方向如图所示，下列说法正确的有（ ）
A. N板电势高于M板电势
B. 磁感应强度越大，MN间电势差越大
C. 将磁场方向变为与薄片的上、下表面平行，UH不变
D. 将磁场和电流分别反向，N板电势低于M板电势
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如图所示，在一个很小的矩形半导体(例如砷化钢)薄片上，制作4个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件。在E、F 间通人恒定的电流1，同时外加与薄片垂直的磁场B，则薄片中的载流子就在洛伦兹力的作用下，向着与电流和磁场都垂直的方向漂移，使M、N间出现了电压，称为霍尔电压
。设霍尔元件的厚度为d，长度(E间距)为L，宽度(MN间距)为x，若保持沿EF方向的电流强度1恒定不变，关于霍尔电压则的变化情况正确的是：(物理学中，载流子是指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。金属导体的载流子是自由电子，电解液中的载流子是正负离子，而在半导体中，有两种载流子，即电子或空穴，空穴带正电。)
A. 磁场方向竖直向下时，不论是何种载流子，一定有
>
的规律
B. 只增加霍尔元件宽度x时， 不会改变
C. 只增加霍尔元件长度L时， 不会改变
D. 只增加霍尔元件厚度d时， 不会改变
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利用如图所示的方法可以测得金属导体中单位体积内的自由电子数n，现测得一块横截面为矩形的金属导体的宽为b，厚为d，并加有与侧面垂直的匀强磁场B，当通以图示方向电流I时，在导体上、下表面间用电压表可测得电压为U.已知自由电子的电荷量为e，则下列判断正确的是（ ）
A. 上表面电势高
B. 下表面电势高
C. 该导体单位体积内的自由电子数为
D. 该导体单位体积内的自由电子数为
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