如图所示，一导线弯成半径为的半圆形闭合回路，虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂...

如图所示，一导线弯成半径为 a 的半圆形闭合回路．虚线 MN 右侧有磁感应强度为 B 的匀强磁场．方向垂直于回路所在的平面．回路以速度 v 向右匀速进入磁场，直径 CD 始终与 MN 垂直．从 D 点到达边界开始到 C 点进入磁场为止，下列结论正确的是(　　 　　　　 )

A. 感应电流方向不变

B. CD 段直导线始终不受安培力

C. 感应电动势最大值

D. 感应电动势平均值

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（多选）如图所示，一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路．虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂直于半圆形回路所在的平面．半圆形回路以速度v向右匀速进入磁场，直径CD始终与MN垂直．从D点到达边界开始到C点进入磁场为止，下列结论正确的是（　　 ）

A．感应电流方向始终沿顺时针方向

B．CD段直导线始终不受安培力

C．感应电动势最大值Em＝Bav

D．感应电动势平均值E＝πBav

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如图所示，一导线弯成半径为的半圆形闭合回路，虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂直于回路所在的平面，回路以速度向右匀速进入磁场，直径CD始终与MN垂直，从D点到达边界开始到C点进入磁场为止，下列结论正确的是（　　　 ）

A.感应电流方向不变

B.CD段直导线始终不受安培力

C.感应电动势最大值

D.感应电动势平均值

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如图，一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路，虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂直于回路所在的平面。回路以速度v向右匀速进入磁场，直径CD始终与MN垂直。从D点到达边界开始到C点进入磁场为止，下列结论正确的是（　　 ）

A．感应电流方向不变

B．CD段直线始终不受安培力

C．感应电动势最大值E＝Bav

D．感应电动势平均值

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如图所示，一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路。虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂直于回路所在的平面。回路以速度v向右匀速进入磁场，直径CD始络与MN垂直。从D点到达边界开始到C点进入磁场为止，下列结论正确的是 （    ）

A．感应电流方向不变                      B．CD段直线始终不受安培力

C．感应电动势最大值E=2Bav                D．感应电动势平均值

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如图所示，一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路．虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂直于回路所在的平面．回路以速度v向右匀速进入磁场，直径CD始终与MN垂直．从D点到达边界开始到C点进入磁场为止，下列结论正确的是（　　 ）

A. 感应电流方向不变

B. CD段直导线始终不受安培力

C. 感应电动势最大值Em＝Bav

D. 感应电动势平均值

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如图所示，一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路．虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂直于回路所在的平面．回路以速度v向右匀速进入磁场，直径CD始终与MN垂直．从D点到达边界开始到C点进入磁场为止，下列结论不正确的是（　 ）

A．感应电流方向不变　　 　　　 B．CD段直线始终不受安培力

C．感应电动势最大值E=Bav　　 D．感应电动势平均值=πBav

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如图所示，一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路。虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场。方向垂直于回路所在的平面。回路以速度v向右匀速进入磁场，直径CD始络与MN垂直。从D点到达边界开始到C点进入磁场为止，下列结论正确的是（    ）

A．感应电流方向不变

B．CD段直线始终不受安培力

C．感应电动势最大值E＝Bav

D．感应电动势平均值

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如图所示，一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路．虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场．方向垂直于回路所在的平面．回路以速度v向右匀速进入磁场，直径CD始终与MN垂直．从D点到达边界开始到C点进入磁场为止，下列结论正确的是（　 ）

A．感应电流方向不变

B．CD段直线始终不受安培力

C．感应电动势最大值E=Bav

D．感应电动势平均值=πBav

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