高二物理解答题中等难度题
如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图。在平面的第一象限,存在以x轴、y轴及双曲线的一段()为边界的匀强电场xOy区域Ⅰ;在第二象限存在以的匀强电场区域Ⅱ。两个电场大小均为E,不计电子所受重力,电子的电荷量为,则:
(1)求从电场区域的边界B点(B点的纵坐标为L)处由静止释放电子,到达区域Ⅱ的M点时的速度;
(2)求(1)中的电子离开MNPQ时的坐标;
(3)证明在电场区域的AB曲线上任何一点处,由静止释放电子恰能从MNPQ区域左下角P点离开.
高二物理解答题困难题查看答案及解析
如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在xoy平面的第一象限,存在以轴、轴及双曲线的一段(0≤≤L,0≤≤L)为边界的匀强电场区域Ⅰ;在第二象限存在以=-L、=-2L、=0、=L的匀强电场区域Ⅱ.两个电场大小均为E,不计电子所受重力,电子的电荷量为e,则:
(1)从电场Ⅰ的边界B点处静止释放电子,电子离开MNPQ时的位置坐标;
(2)从电场I的AB曲线边界处由静止释放电子,电子离开MNPQ时的最小动能;
(3)若将左侧电场II整体水平向左移动(n≥1),要使电子从=-2L,=0处离开电场区域II,在电场I区域内由静止释放电子的所有位置。
高二物理简答题困难题查看答案及解析
(15分)如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在xOy平面的第一象限,存在以x轴、y轴及双曲线y=的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)为边界的匀强电场区域Ⅰ;在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0、y=L的匀强电场区域Ⅱ.两个电场大小均为E,不计电子所受重力,电子的电荷量为e,则:
(1)求从电场区域Ⅰ的边界B点处由静止释放电子,电子离开MNPQ时的坐标;
(2)证明在电场区域Ⅰ的AB曲线边界由静止释放电子恰能从MNPQ区域左下角P点离开;
(3)求由电场区域Ⅰ的AB曲线边界由静止释放电子到达P点所需最短时间.
高二物理计算题中等难度题查看答案及解析
如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图。在xoy平面的第一象限,存在以x轴、y轴及双曲线的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)为边界的匀强电场区域Ⅰ;在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0、y=L为边界的匀强电场区域Ⅱ.两个电场大小均为E,不计电子所受重力,电子的电荷量为e,则:
(1)从电场I的边界B点处静止释放电子,电子离开MNPQ时的位置坐标;
(2)从电场I的AB曲线边界处由静止释放电子,电子离开MNPQ时的最小动能;
(3)若将左侧电场II整体水平向左移动(n≥1),要使电子从x=-2L,y=0处离开电场区域II,在电场I区域内由静止释放电子的所有位置。
高二物理解答题困难题查看答案及解析
如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在xOy平面的第一象限,存在以x轴、y轴及双曲线的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)为边界的匀强电场区域Ⅰ;在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0、y=L的匀强电场区域Ⅱ.两个电场大小均为E,不计电子所受重力,电子的电荷量为e,则:
(1)求从电场区域Ⅰ的边界B点(B点的纵坐标为L)处由静止释放电子,到达区域Ⅱ的M点时的速度;
(2) 求(1)中的电子离开MNPQ时的坐标;
(3)证明在电场区域Ⅰ的AB曲线上任何一点处,由静止释放电子恰能从MNPQ区域左下角P点离开;
高二物理计算题极难题查看答案及解析
如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在Oxy平面的ABCD区域内,存在两个场强大小均为E的匀强电场Ⅰ和Ⅱ,两电场的边界均是边长为L的正方形(不计电子重力)电子电荷量为-e。
(1)在该区域AB边的中点处由静止释放电子,求电子离开ABCD区域的位置。
(2)在电场Ⅰ区域内适当位置由静止释放电子,电子恰能从ABCD区域左下角D处离开,求所有释放点的位置。
(3)若电子从(2)问求出位置中的某个位置出发,使电子出电场Ⅱ时动能最小,求释放的位置及电子出电场Ⅱ时最小动能为多少?
高二物理计算题困难题查看答案及解析
(11分).如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图。在Oxy平面的ABCD区域内,存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II,两电场的边界均是边长为L的正方形(不计电子所受重力)。
(1)在该区域AB边的中点处由静止释放电子,求电子离开ABCD区域的位置。
(2)在电场I区域内适当位置由静止释放电子,电子恰能从ABCD区域左下角D处离开,求所有释放点的位置。
(3)若将左侧电场II整体水平向右移动L/n(n≥1),仍使电子从ABCD区域左下角D处离开(D不随电场移动),求在电场I区域内由静止释放电子的所有位置。
高二物理计算题简单题查看答案及解析
如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图。在Oxy平面的ABCD区域内,存在两个场强大小均为E的匀强电场Ⅰ和Ⅱ,两电场的边界是边长为L的正方形(不计电子所受重力).
(1)在该区域AB边的中点处由静止释放电子,求电子离开ABCD区域的位置;
(2)在电场Ⅰ区域内适当位置由静止释放电子,电子恰能从ABCD区域左下角D处离开,求所有释放点的位置;
(3)若将左侧电场Ⅱ整体水平向右移动L/n(n≥1),仍使电子从ABCD区域左下角D处离开(D不随电场移动),求在电场Ⅰ区域内由静止释放电子的所有位置。
高二物理计算题简单题查看答案及解析
如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图。在Oxy平面的ABCD区域内,存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II,两电场的边界均是边长为L的正方形,电子的电量为e(不计电子所受重力)。
(1)在该区域AB边的中点处由静止释放电子, 求电子离开ABCD区域的位置坐标。
(2)在电场I区域内适当位置由静止释放电子,电子恰能从ABCD区域左下角D处离开,求所有释放点的位置坐标。
(3)在满足(2)的情况下,粒子从释放点出发到达D点所需的最短时间是多少。
高二物理解答题困难题查看答案及解析
高二物理解答题中等难度题查看答案及解析