如图所示，在光滑水平桌面上有一边长为L、总电阻为R的正方形导线框abcd，在导线框右侧有一边长为2L、磁感应强度为B、方向竖直向下的正方形匀强磁场区域．磁场的左边界与导线框的ab边平行．在导线框以速度v匀速向右穿过磁场区域的全过程中（ ）
A. 感应电动势的大小始终为
B. 感应电流的方向始终沿abcda方向
C. 导线框受到的安培力先向左后向右
D. 导线框克服安培力做功
高二物理单选题中等难度题
如图所示，在光滑水平桌面上有一边长为L、总电阻为R的正方形导线框abcd，在导线框右侧有一边长为2L、磁感应强度为B、方向竖直向下的正方形匀强磁场区域．磁场的左边界与导线框的ab边平行．在导线框以速度v匀速向右穿过磁场区域的全过程中（ ）
A. 感应电动势的大小始终为
B. 感应电流的方向始终沿abcda方向
C. 导线框受到的安培力先向左后向右
D. 导线框克服安培力做功
高二物理单选题中等难度题
如图所示，在光滑水平桌面上有一边长为L、总电阻为R的正方形导线框abcd，在导线框右侧有一边长为2L、磁感应强度为B、方向竖直向下的正方形匀强磁场区域．磁场的左边界与导线框的ab边平行．在导线框以速度v匀速向右穿过磁场区域的全过程中（ ）
A. 感应电动势的大小始终为
B. 感应电流的方向始终沿abcda方向
C. 导线框受到的安培力先向左后向右
D. 导线框克服安培力做功
高二物理单选题中等难度题查看答案及解析
如图所示，在光滑水平桌面上有一边长为L、总电阻为R的正方形导线框abcd，在导线框右侧有一边长为2L、磁感应强度为B、方向竖直向下的正方形匀强磁场区域．磁场的左边界与导线框的ab边平行．在导线框以速度v匀速向右穿过磁场区域的全过程中（ ）
A. 感应电动势的大小始终为
B. 感应电流的方向始终沿abcda方向
C. 导线框受到的安培力先向左后向右
D. 导线框克服安培力做功
高二物理单选题中等难度题查看答案及解析
如图，在光滑水平桌面上有一边长为L、电阻为R的正方形导线框，导线框右侧有两个宽度也为L的有界匀强磁场，磁感应强度大小均为B、方向分别竖直向下和竖直向上，t=0时导线框的右边恰与磁场的左边界重合，随后导线框在外力作用下，以速度v匀速进入并通过磁场区域．规定电流i沿逆时针方向时为正，磁感线竖直向下时磁通Φ为正，安培力的合力F向左为正．则以下关于Φ、i、F和线框中的电功率P随时间变化的图象大致是下列图中的（ ）
A. 
B. 
C. 
D. 
高二物理单选题中等难度题查看答案及解析
如图，在光滑水平桌面上有一边长为L、电阻为R的正方形导线框，导线框右侧有两个宽度也为L的有界匀强磁场，磁感应强度大小均为B、方向分别竖直向下和竖直向上，t=0时导线框的右边恰与磁场的左边界重合，随后导线框在外力作用下，以速度v匀速进入并通过磁场区域．规定电流i沿逆时针方向时为正，磁感线竖直向下时磁通Φ为正，安培力的合力F向左为正．则以下关于Φ、i、F和线框中的电功率P随时间变化的图象大致是下列图中的（ ）
A. 
B. 
C. 
D. 
高二物理多选题中等难度题查看答案及解析
如图,在光滑水平桌面上有一边长为
、电阻为
的正方形导线框;在导线框右侧有一宽度为
的条形匀强磁场区域,磁场的边界与导线框的一边平行,磁场方向竖直向下.导线框以某一初速度向右运动. 
时导线框的右边恰好与磁场的左边界重合,随后导线框进入并通过磁场区域.下列v-t图像中,可能正确描述上述过程的是( )
A. 
B. 
C. 
D. 
高二物理单选题中等难度题查看答案及解析
如图,在光滑水平桌面上有一边长为
、电阻为
的正方形导线框;在导线框右侧有一宽度为
的条形匀强磁场区域,磁场的边界与导线框的一边平行,磁场方向竖直向下.导线框以某一初速度向右运动.
时导线框的右边恰好与磁场的左边界重合,随后导线框进入并通过磁场区域.下列v-t图像中,可能正确描述上述过程的是( )
A. 
B. 
C. 
D. 
高二物理单选题中等难度题查看答案及解析
如图,在光滑水平桌面上有一边长为 、电阻为 的正方形导线框;在导线框右侧有一宽度为 的条形匀强磁场区域,磁场的边界与导线框的一边平行,磁场方向竖直向下.导线框以某一初速度向右运动. 时导线框的右边恰好与磁场的左边界重合,随后导线框进入并通过磁场区域.下列v-t图像中,可能正确描述上述过程的是( )
A. 
B. 
C. 
D. 
高二物理单选题中等难度题查看答案及解析
如图,在光滑水平桌面上有一边长为 、电阻为 的正方形导线框;在导线框右侧有一宽度为 的条形匀强磁场区域,磁场的边界与导线框的一边平行,磁场方向竖直向下.导线框以某一初速度向右运动. 时导线框的右边恰好与磁场的左边界重合,随后导线框进入并通过磁场区域.下列v-t图像中,可能正确描述上述过程的是( )
A. 
B. 
C. 
D. 
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如图，在光滑水平桌面上有一边长为L、电阻为R的正方形导线框；在导线框右侧有一宽度为d（d＞L ）的条形匀强磁场区域，磁场的边界与导线框的一边平行，磁场方向竖直向下。导线框以某一初速度向右运动，t=0时导线框的右边恰与磁场的左边界重合，随后导线框进入并通过磁场区域。下列v-t图像中，可能正确描述上述过程的是
高二物理选择题中等难度题查看答案及解析
如图，在光滑水平桌面上有一边长为L、电阻为R的正方形导线框；在导线框右侧有一宽度为d（d＞L）的条形匀强磁场区域，磁场的边界与导线框的一边平行，磁场方向竖直向下。导线框以某一初速度向右运动，t=0时导线框的的右边恰与磁场的左边界重合，随后导线框进入并通过磁场区域。下列v-t图像中，可能正确描述上述过程的是
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