图甲中bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触...

图甲bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度的变化如图乙，PQ始终静止，在时间(　　 　)

A. PQ受安培力方向始终沿轨道斜面向上

B. PQ受安培力方向始终沿轨道斜面向下

C. PQ受到的摩擦力可能一直增大

D. PQ受到的摩擦力可能先减小后增大

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图甲中bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度随时间的变化如图乙，导体棒PQ始终静止，在0～t1时间内(　　)

A. 导体棒PQ所受安培力的方向始终沿轨道斜面向上

B. 导体棒PQ所受安培力的方向始终沿轨道斜面向下

C. 导体棒PQ受到的摩擦力可能一直增大

D. 导体棒PQ受到的摩擦力可能先减小后增大

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如图甲所示，bacd为用导体做成的框架，其平面与水平面成角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ始终静止，则在0~t2 s内（t=0时刻，安培力大于mgsin），对PQ受到的摩擦力F的分析正确的是

A.F先减小后增大，且在t1时刻为零

B.F先减小后增大，且在t1时刻F=mgsin

C.F先增大后减小，且在时刻为最大值

D.F先增大后减小，且在t1时刻F=mgsin

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如图所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止，则0～t2时间内，PQ受到的安培力F和摩擦力Ff随时间变化的图象可能正确的是（取平行斜面向上为正方向）（　 ）

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如图所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止，则0～t2时间内，PQ受到的安培力F和摩擦力Ff随时间变化的图象可能正确的是（取平行斜面向上为正方向）（　 ）

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如图所示，甲中bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ始终静止，则0~ts内，PQ受到的摩擦力的变化情况是（　 　）

A. f一直增大

B. f一直减小

C. f先减小后增大

D. f先增大后减小

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如图所示，甲中bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ始终静止，则0~ts内，PQ受到的摩擦力的变化情况是（　 　）

A. f一直增大

B. f一直减小

C. f先减小后增大

D. f先增大后减小

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如图甲所示，abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab，cd接触良好静止在框架上，回路的总电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中，磁场的磁感应强度B的变化情况如图乙所示(取图中B的方向为正方向)。而PQ始终保持静止．则下列关于PQ与框架间的摩擦力在时间0～t1内的变化情况的说法中，有可能正确的是(　　)

A. 一直不变　　 B. 一直减小　　 C. 先减小，后增大　　 D. 先增大，后减小

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如图甲中abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中，磁感强度B随时间变化规律如图乙，PQ始终静止，在时间0～t内，PQ受到的摩擦力f的大小变化可能是（　 ）

A. f一直增大

B. f一直减小

C. f先减小后增大

D. f先增大后减小

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