如图所示为某电子元器件的工作原理示意图，在外界磁场的作用下，当存在AB方向流动的电流时，电...

如图所示为某电子元器件的工作原理示意图，在外界磁场的作用下，当存在AB方向流动的电流时，电子元器件C．D两侧面会形成电势差UCD，下列说法中正确的是（　　 ）

A. 若在AB方向上通以由A向B运动的粒子流，带正电粒子会在C板聚集

B. 当增大AB方向的电流I时， C、D两面的电势差会减小

C. 电子元器件C端电势低于D端电势

D. 电势差UCD的大小仅与电子元器件的制造材料有关

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利用霍尔效应制作的霍尔元件，广泛应用于测量和自动控制等领域。如图所示是霍尔元件的工作原理示意图，磁场方向垂直于霍尔元件的工作面向下，磁感应强度大小为B，通入图示方向的电流I，在C、D两侧面会形成电势差，则下列说法中正确的是

A. 若霍尔元件的载流子为正电荷，则C点的电势比D点高

B. 若电流I越大，则电势差越大

C. 若磁感应强度B越大，则电势差越小

D. 在测定地球赤道上方的地磁场强弱时，则该元件的工作面应保持水平

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反射式速调管是常用的微波器件之一，它利用电子团在电场中的振荡来产生微波，其振荡原理与下述过程类似．如图所示，在虚线MN两侧分别存在着方向相反的两个匀强电场，一带电微粒从A点由静止开始，在电场力作用下沿直线在A、B两点间往返运动．已知电场强度的大小分别是E1＝2.0×103 N/C和E2＝4.0×103 N/C，方向如图所示．带电微粒质量m＝1.0×10－20kg，带电荷量q＝－1.0×10－9 C，A点距虚线MN的距离d1＝1.0 cm，不计带电微粒的重力，忽略相对论效应．求：

(1)B点距虚线MN的距离d2；

(2)带电微粒从A点运动到B点所经历的时间t.

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反射式速调管是常用的微波器件之一，它利用电子团在电场中的振荡来产生微波，其振荡原理与下述过程类似．如图所示，在虚线MN两侧分别存在着方向相反的两个匀强电场，一带电微粒从A点由静止开始，在电场力作用下沿直线在A、B两点间往返运动．已知电场强度的大小分别是E1＝2.0×103 N/C和E2＝4.0×103 N/C，方向如图所示．带电微粒质量m＝1.0×10－20kg，带电荷量q＝－1.0×10－9 C，A点距虚线MN的距离d1＝1.0 cm，不计带电微粒的重力，忽略相对论效应．求：

(1)B点距虚线MN的距离d2；

(2)带电微粒从A点运动到B点所经历的时间t.

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在匀强磁场中放置一个矩形截面的载流导体，当磁场方向与电流方向垂直时，导体在与磁场、电流方向都垂直的方向上出现电势差，这个现象称为霍尔效应。如图所示是霍尔元件的工作原理示意图，上、下表面a、b是工作面，磁感应强度B垂直于工作面竖直向下，前、后表面c、d接入图示方向的电流I，左、右表面e、f之间就会形成电势差U，该电势差可以反映磁感应强度B的强弱，则下列说法正确的是（　　 ）

A. 若元件是正离子导电，则e面电势高于f面电势

B. 若元件是自由电子导电，则e面电势高于f面电势

C. 在测量沿竖直方向的地球北极上方的地磁场强弱时，元件的工作面应保持竖直

D. 在测量沿水平方向的地球赤道上方的地磁场强弱时，元件的工作面应保持水平

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（15分）反射式速调管是常用的微波器件之一，它利用电子团在电场中的振荡来产生微波，其振荡原理与下述过程类似。如图所示，在虚线MN两侧分别存在着方向相反的两个匀强电场，一带电微粒从A点由静止开始，在电场力作用下沿直线在A、B两点间往返运动。已知电场强度的大小分别是E₁=2.0×10³N/C和E₂=4.0×10³N/C，方向如图所示。带电微粒质量m=1.0×10^-20kg，带电量q=-1.0×10^-9C，A点距虚线MN的距离d₁=1.0cm，不计带电微粒的重力，忽略相对论效应。求：

⑴B点到虚线MN的距离d₂；

⑵带电微粒从A点运动到B点所经历的时间t。

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如图9所示，一导电金属板置于匀强磁场中，当电流方向向上时，金属板两侧电子多少及电势高低，判断正确的是    (    )

A.左侧电子较多，左侧电势较高     B.左侧电子较多，右侧电势较高

C.右侧电子较多，左侧电势较高     D.右侧电子较多，右侧电势较高

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