高三物理填空题中等难度题
高三物理填空题中等难度题查看答案及解析
在如图(a)所示的虚线框内有匀强磁场,设图示磁场方向为正,磁感应强度随时间变化规律如图(b)所示.边长为L,电阻为R的正方形均匀线框abcd有一半处在磁场中,磁场方向垂直于线框平面,此时线框的发热功率为P,则
A.线框中的感应电流方向会发生改变
B.cd边所受的安培力大小不变,方向改变
C.线框中的感应电动势为
D.线框中的电流大小为
高三物理选择题困难题查看答案及解析
高三物理选择题中等难度题查看答案及解析
在如图所示的虚线框内有匀强磁场,设图示磁场方向为正,磁感应强度随时间变化规律如图所示.边长为l、电阻为R的正方形均匀线框abcd有一半处在磁场中,磁场方向垂直于线框平面,此时线框ab边的发热功率为P,则下列说法正确的是( )
A. 磁感应强度
B. 线框中感应电流为
C. 线框cd边的发热功率为P
D. a端电势高于b端电势
高三物理多选题困难题查看答案及解析
如图甲所示,一个100匝的正方形线圈,边长a=1m,电阻R=1Ω,线圈有一半的面积处在有理想边界的磁场中,线圈平面与磁场垂直,磁场的磁感应强度与时间的变化关系如图乙所示,图甲所示的磁感应强度方向为正方向,下列说法中正确的是
A. 在t=0.01s时线圈中的电流为零
B. 在t=0到t=0.005s内线圈中有顺时针方向的电流
C. 线圈中电动势的最大值为
D. 一个周期内线圈产生的热量为25π2J
高三物理多选题简单题查看答案及解析
高三物理解答题中等难度题查看答案及解析
如图所示,相距为d的两水平虚线p1、p2表示方向垂直纸面向里的匀强磁场的上下边界,磁场的磁感应强度为B。正方形线框abcd的边长为L(L<d)、质量为m、电阻为R,线框处在磁场正上方,ab边与虚线p1相距h。线框由静止释放,下落过程中线框平面始终在竖直平面内,线框的ab边刚进人磁场时的速度和ab边刚离开磁场时的速度相同。在线框从进入到全部穿过磁场的过程中,下列说法正确的是( )
A.线框克服安培力所做的功为2mgd
B.线框克服安培力所做的功为mg(L+d)
C.线框的最小速度为
D.线框的最小速度为
高三物理选择题中等难度题查看答案及解析
如图所示,相距为d的两水平虚线p1、p2表示方向垂直纸面向里的匀强磁场中的上下边界,磁场的磁感应强度为B.正方形abcd的边长为L(L<d)、质量为m、电阻为R,线框处在磁场正上方,ab边与虚线p1相距h.线框由静止释放,下落过程中线框平面始终在竖直平面内,线框的ab边刚进入磁场时的速度和ab边刚离开磁场时的速度相同.在线框从进入到全部穿过磁场的过程中,下落说法正确的是
A.线框克服安培力所做的功为2mgd
B.线框克服安培力所做的功为mgd
C.线框的最小速度为错误!未找到引用源。
D.线框的最小速度为错误!未找到引用源。
高三物理选择题简单题查看答案及解析
如图所示,边长为L=0.2m的正方形线圈abcd,其匝数为n=100、总电阻为r=2Ω,外电路的电阻为R=8Ω,ab的中点和cd的中点的连线OO′恰好位于匀强磁场的边界线上,磁场的磁感应强度B=1T,若线圈从图示位置开始,以角速度ω=2rad/s绕OO′轴匀速转动,则以下判断中正确的是
A. 在t=时刻,磁场穿过线圈的磁通量为0,故此时磁通量变化率为0
B. 闭合电路中感应电动势的瞬时表达式e=4sin2t(V)
C. 从t=0时刻到t=时刻,电阻R上产生的热量为Q=0.16πJ
D. 从t=0时刻到t=时刻,通过R的电荷量q=0.2C
高三物理多选题中等难度题查看答案及解析
如图甲所示,空间有一宽为0.2m的匀强磁场区域,磁感应强2T,方向垂直纸面向外,abcd是由均匀电阻丝做成的边长0.1m的正方形线框,总电阻为1Ω,线框以垂直磁场边界的速度10m/s匀速通过磁场区域,在运动过程中,线框ab 、cd两边始终与磁场边界平行,设线框刚进入磁场的位置t=0求:
(1)线框穿过磁场的过程中,线框中产生的焦耳热;
(2)画出线框穿过磁场过程中,cd两端电势差Ucd随时间t变化的图象(不需要分析说明)
高三物理计算题中等难度题查看答案及解析