如图一所示,abcd为用导体做成的框架,其所在平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒MN与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中,t=0时磁场方向向上。磁感应强度B的变化情况如图二所示,MN始终静止。则在0~t2时间段内,下面的分析正确的是( )
A、t1时刻感应电流为零
B、t1时刻MN受到的安培力为零
C、MN中产生的感应电流随时间均匀变化
D、MN受到的安培力随时间均匀变化
高二物理选择题简单题
如图一所示,abcd为用导体做成的框架,其所在平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒MN与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中,t=0时磁场方向向上。磁感应强度B的变化情况如图二所示,MN始终静止。则在0~t2时间段内,下面的分析正确的是( )
A、t1时刻感应电流为零
B、t1时刻MN受到的安培力为零
C、MN中产生的感应电流随时间均匀变化
D、MN受到的安培力随时间均匀变化
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如图甲所示,abcd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQ与ab,cd接触良好静止在框架上,回路的总电阻为R,整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中,磁场的磁感应强度B的变化情况如图乙所示(取图中B的方向为正方向)。而PQ始终保持静止.则下列关于PQ与框架间的摩擦力在时间0~t1内的变化情况的说法中,有可能正确的是( )
A. 一直不变 B. 一直减小 C. 先减小,后增大 D. 先增大,后减小
高二物理选择题中等难度题查看答案及解析
如图甲中abcd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中,磁感强度B随时间变化规律如图乙,PQ始终静止,在时间0~t内,PQ受到的摩擦力f的大小变化可能是( )
A. f一直增大
B. f一直减小
C. f先减小后增大
D. f先增大后减小
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如图甲中abcd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中,磁感应强度B随时间变化规律如图乙所示,PQ始终静止,在时间0~t内,PQ 受到的摩擦力f的大小变化可能是
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图甲bacd为导体做成的框架,其平面与水平面成角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中,磁感应强度的变化如图乙,PQ始终静止,在时间( )
A. PQ受安培力方向始终沿轨道斜面向上
B. PQ受安培力方向始终沿轨道斜面向下
C. PQ受到的摩擦力可能一直增大
D. PQ受到的摩擦力可能先减小后增大
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如图甲所示,abcd是由导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的面积为S。整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中,磁感应强度随时间变化情况如图乙所示,PQ始终静止。则下面说法正确的是( )
A.导体棒中感应电流的方向由P到Q
B.导体棒中感应电流大小恒定
C.导体棒PQ所受安培力的方向水平向右
D.导体棒PQ所受安培力的大小恒定
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图甲中bacd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中,磁感应强度随时间的变化如图乙,导体棒PQ始终静止,在0~t1时间内( )
A. 导体棒PQ所受安培力的方向始终沿轨道斜面向上
B. 导体棒PQ所受安培力的方向始终沿轨道斜面向下
C. 导体棒PQ受到的摩擦力可能一直增大
D. 导体棒PQ受到的摩擦力可能先减小后增大
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如图甲所示,bacd为用导体做成的框架,其平面与水平面成角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中,磁感应强度B的变化情况如图乙所示,PQ始终静止,则在0~t2 s内(t=0时刻,安培力大于mgsin),对PQ受到的摩擦力F的分析正确的是
A.F先减小后增大,且在t1时刻为零
B.F先减小后增大,且在t1时刻F=mgsin
C.F先增大后减小,且在时刻为最大值
D.F先增大后减小,且在t1时刻F=mgsin
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