在光滑的水平面上，有一竖直向下的匀强磁场，分布在宽度为L的区域内，现有一边长为d（d<L）的正方形闭合线框以垂直于磁场边界的初速度v0滑过磁场，线框刚好能穿过磁场，下列说法正确的是
A. 线圈在滑进磁场的过程与滑出磁场的过程均做变加速直线运动
B. 线圈在滑进磁场的过程中与滑出磁场的过程中通过线框横截面的电荷量相同
C. 线圈在滑进磁场的过程中速度的变化量与滑出磁场的过程中速度的变化量不同
D. 线圈在滑进磁场的过程中产生的热量Q1与滑出磁场的过程中产生的热量Q2之比为3:1
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在光滑的水平面上，有一竖直向下的匀强磁场，分布在宽度为L的区域内，现有一边长为d（d<L）的正方形闭合线框以垂直于磁场边界的初速度v0滑过磁场，线框刚好能穿过磁场，下列说法正确的是
A. 线圈在滑进磁场的过程与滑出磁场的过程均做变加速直线运动
B. 线圈在滑进磁场的过程中与滑出磁场的过程中通过线框横截面的电荷量相同
C. 线圈在滑进磁场的过程中速度的变化量与滑出磁场的过程中速度的变化量不同
D. 线圈在滑进磁场的过程中产生的热量Q1与滑出磁场的过程中产生的热量Q2之比为3:1
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如图所示，在光滑的水平面上，有一垂直向下的匀强磁场分布在宽为L的区域内，现有一个边长为
的正方形闭合线圈以速度
垂直磁场边界滑过磁场后速度变为
）那么（ ）
A. 完全进入磁场时线圈的速度大于
/2
B. .完全进入磁场时线圈的速度等于/2
C. 完全进入磁场时线圈的速度小于/2
D. 以上情况AB均有可能，而C是不可能的
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如图所示，在光滑的水平面上，有一垂直向下的匀强磁场分布在宽为L的区域内，现有一个边长为 的正方形闭合线圈以速度垂直磁场边界滑过磁场后速度变为 ）那么（ ）
A. 完全进入磁场时线圈的速度大于/2
B. .完全进入磁场时线圈的速度等于/2
C. 完全进入磁场时线圈的速度小于/2
D. 以上情况AB均有可能，而C是不可能的
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光滑绝缘水平面上存在竖直向下的匀强磁场
，宽度为2
，一边长为、电阻为
．用同种材料做成的正方形线框以初速度
从左侧冲进磁场区域，俯视图如图所示，当线框完全离开磁场时速度恰好为零．以
边刚进入磁场时为时间和位移的零点，用
表示线框速度（以右为正方向），
表示回路中的感应电流（以逆时针方向为正，
表示零时刻回路的感应电流），
表示
、
两点间的电压，
表示边所受的安培力（向左为正，
表示零时刻边所受的安培力）．则关于以上四个物理量对时间
或对位移
的图象中正确的是
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如图，一有界区域内，存在着磁感应强度大小均为B，方向分别垂直于光滑水平桌面向下和向上的匀强磁场，磁场宽度均为L。现有一边长为
的正方形线框abcd，在外力作用下，保持ac垂直磁场边缘，并以沿x轴正方向的速度水平匀速地通过磁场区域，若以逆时针方向为电流正方向，下图中能反映线框中感应电流变化规律的图是 ( )
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光滑绝缘水平面上存在竖直向下的匀强磁场B，宽度为2L，一边长为L、电阻为R．用同种材料做成的正方形线框以初速度v0从左侧冲进磁场区域，俯视图如图21 -（a）所示，当线框完全离开磁场时速度恰好为零．以ab边刚进入磁场时为时间和位移的零点，用v表示线框速度（以右为正方向），i表示回路中的感应电流（以逆时针方向为正，i0表示零时刻回路的感应电流），Uab表示a、b两点间的电压，Fab表示ab边所受的安培力（向左为正，F0表示零时刻ab边所受的安培力）．则关于以上四个物理量对时间t或对位移x的图象中正确的是（ ）
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光滑绝缘水平面上存在竖直向下的匀强磁场B，宽度为2L，一边长为L、电阻为R，用同种材料做成的正方形线框以初速度v0从左侧冲进磁场区域，俯视图如图21（a）所示，当线框完全离开磁场时速度恰好为零，以ab边刚进入磁场时为时间和位移的零点，用v表示线框速度（以右为正方向），i表示回路中的感应电流（以逆时针方向为正，i0表示零时刻回路的感应电流），Uab表示a、b两点间的电势差，Fab表示ab边所受的安培力（向左为正，F0表示零时刻ab边所受的安培力）。则关于以上四个物理量的时间t或对位移x的图象中正确的是 （ ）
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