高二物理选择题中等难度题
高二物理选择题中等难度题查看答案及解析
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如图甲所示，abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab，cd接触良好静止在框架上，回路的总电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中，磁场的磁感应强度B的变化情况如图乙所示(取图中B的方向为正方向)。而PQ始终保持静止．则下列关于PQ与框架间的摩擦力在时间0～t1内的变化情况的说法中，有可能正确的是( )
A. 一直不变 B. 一直减小 C. 先减小，后增大 D. 先增大，后减小
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如图甲所示，abcd是由导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的面积为S。整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度随时间变化情况如图乙所示，PQ始终静止。则下面说法正确的是（ ）
A．导体棒中感应电流的方向由P到Q
B．导体棒中感应电流大小恒定
C．导体棒PQ所受安培力的方向水平向右
D．导体棒PQ所受安培力的大小恒定
高二物理选择题困难题查看答案及解析
如图甲中abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中，磁感强度B随时间变化规律如图乙，PQ始终静止，在时间0～t内，PQ受到的摩擦力f的大小变化可能是（ ）
A. f一直增大
B. f一直减小
C. f先减小后增大
D. f先增大后减小
高二物理多选题困难题查看答案及解析
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如图一所示，abcd为用导体做成的框架，其所在平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒MN与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中，t=0时磁场方向向上。磁感应强度B的变化情况如图二所示，MN始终静止。则在0~t2时间段内，下面的分析正确的是（ ）
A、t1时刻感应电流为零
B、t1时刻MN受到的安培力为零
C、MN中产生的感应电流随时间均匀变化
D、MN受到的安培力随时间均匀变化
高二物理选择题简单题查看答案及解析
如图甲中abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中，磁感应强度B随时间变化规律如图乙所示，PQ始终静止，在时间0～t内，PQ 受到的摩擦力f的大小变化可能是
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B．f一直减小
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C．f先减小后增大 
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D．f先增大后减小 高二物理选择题简单题查看答案及解析
如图9所示，光滑的“∏”形金属导体框竖直放置，质量为m的金属棒MN与框架接触良好．磁感应强度分别为B1、B2的有界匀强磁场方向相反，但均垂直于框架平面，分别处在abcd和cdef区域．现从图示位置由静止释放金属棒MN，当金属棒进入磁场B1区域后，恰好做匀速运动．以下说法中正确的有( )
A．若B2＝B1，金属棒进入B2区域后将加速下滑
B．若B2＝B1，金属棒进入B2区域后仍将保持匀速下滑
C．若B2<B1，金属棒进入B2区域后可能先加速后匀速下滑
D．若B2>B1，金属棒进入B2区域后可能先减速后匀速下滑
高二物理选择题简单题查看答案及解析
如图所示，光滑的“
”形金属导体框竖直放置，质量为m的金属棒MN与框架接触良好.磁感应强度分别为B1、B2的有界匀强磁场方向相反，但均垂直于框架平面，分别处于abcd和cdef区域.现从图示位置由静止释放金属棒MN，当金属棒刚进入磁场B1区域时，恰好做匀速运动.以下说法正确的是( )
A.若B2=B1，金属棒进入B2区域后将加速下滑
B.若B2=B1，金属棒进入B2区域后仍将保持匀速下滑
C.若B2＜B1，金属棒进入B2区域后可能先加速后匀速下滑
D.若B2＞B1，金属棒进入B2区域后可能先匀减速后匀速下滑
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