在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁...

在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定宽度的匀强磁场区域，如图所示，已知离子P+在磁场中转过30°后从磁场右边界射出。在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+

A．在电场中的加速度之比为1:1

B．在磁场中运动的半径之比为3:1

C．在磁场中转过的角度之比为1:2

D．离开电场区域时的动能之比为1:3

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在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+（　　）

A. 在电场中的加速度之比为1：1

B. 在磁场中运动的半径之比为 3：1

C. 在磁场中转过的角度之比为1：2

D. 离开电场区域时的动能之比为1：3

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在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+（　　）

A. 在电场中的加速度之比为1：1

B. 在磁场中运动的半径之比为 3：1

C. 在磁场中转过的角度之比为1：2

D. 离开电场区域时的动能之比为1：3

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在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+（　　）

A. 在电场中的加速度之比为1：1

B. 在磁场中运动的半径之比为 3：1

C. 在磁场中转过的角度之比为1：2

D. 离开电场区域时的动能之比为1：3

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在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P＋和P3＋，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里、有一定宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P＋在磁场中转过θ＝30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P＋和P3＋(　　)

A. 在电场中的加速度之比为1∶1　　 B. 在磁场中运动的半径之比为

C. 在磁场中转过的角度之比为1∶2　　 D. 离开电场区域时的动能之比为1∶3

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在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+ (　　)

A. 在电场中的加速度之比为1:1

B. 在磁场中运动的半径之比为

C. 在磁场中转过的角度之比为1:2

D. 离开电场区域时的动能之比为1:3

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在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P＋和P3＋，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里、有一定宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P＋在磁场中转动θ＝30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P＋和P3＋

A．在电场中的加速度之比为1∶1

B．在磁场中运动的半径之比为∶1

C．在磁场中转过的角度之比为1∶2

D．离开电场区域时的动能之比为1∶3

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在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P＋和P3＋，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里、有一定宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P＋在磁场中转过θ＝30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P＋和P3＋(　　)

A. 在电场中的加速度之比为1∶1　　 B. 在磁场中运动的半径之比为

C. 在磁场中转过的角度之比为1∶2　　 D. 离开电场区域时的动能之比为1∶3

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在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+ (　　)

A. 在电场中的加速度之比为1:1

B. 在磁场中运动的半径之比为

C. 在磁场中转过的角度之比为1:2

D. 离开电场区域时的动能之比为1:3

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