半导体内导电的粒子——“载流子”有两种:自由电子和空穴(空穴可视为能自由移动带正电的粒子),以空穴导电为主的半导体叫P型半导体,以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体。图为检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的原理图,图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中,磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时,会产生霍尔电势差U,若每个载流子所带电量的绝对值为e,下列说法中正确的是
A. 如果上表面电势高,则该半导体为P型半导体
B. 如果上表面电势高,则该半导体为N型半导体
C. 其它条件不变,增大c时,U增大
D. 其它条件不变,电流I取值越大,电势差U越大
高二物理多选题中等难度题
半导体内导电的粒子——“载流子”有两种:自由电子和空穴(空穴可视为能自由移动带正电的粒子),以空穴导电为主的半导体叫P型半导体,以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体。图为检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的原理图,图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中,磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时,会产生霍尔电势差U,若每个载流子所带电量的绝对值为e,下列说法中正确的是
A. 如果上表面电势高,则该半导体为P型半导体
B. 如果上表面电势高,则该半导体为N型半导体
C. 其它条件不变,增大c时,U增大
D. 其它条件不变,电流I取值越大,电势差U越大
高二物理多选题中等难度题查看答案及解析
半导体内导电的粒子——“载流子”有两种:自由电子和空穴(空穴可视为能自由移动带正电的粒子),以空穴导电为主的半导体叫P型半导体,以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体。图为检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的原理图,图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中,磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时,会产生霍尔电势差U,若每个载流子所带电量的绝对值为e,下列说法中正确的是
A. 如果上表面电势高,则该半导体为P型半导体
B. 如果上表面电势高,则该半导体为N型半导体
C. 其它条件不变,增大c时,U增大
D. 其它条件不变,电流I取值越大,电势差U越大
高二物理多选题中等难度题查看答案及解析
半导体内导电的粒子一“载流子”有两种:自由电子和空穴(空穴可视为能自由移动带正电的粒子),以空穴导电为主的半导体叫P型半导体,以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体,如图为检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的原理图,图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中,磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时,会产生霍尔电势差,若每个载流子所带电量的绝对值为e,下列说法中正确的是( )
A. 如果上表面电势低,则该半导体为N型半导体
B. 如果上表面电势低,则该半导体为P型半导体
C. 其它条件不变,增大c时,增大
D. 样品板在单位体积内参与导电的载流子数目为
高二物理多选题中等难度题查看答案及解析
半导体内导电的粒子—“载流子”有两种:自由电子和空穴(空穴可视为能自由移动带正电的粒子),以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体,以空穴导电为主的半导体叫P型半导体。图为检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的原理图,图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中,磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时,会在与z轴垂直的两个侧面之间产生霍尔电势差UH,霍尔电势差大小满足关系,其中k为材料的霍尔系数。若每个载流子所带电量的绝对值为e,下列说法中正确的是( )
A. 如果上表面电势高,则该半导体为P型半导体
B. 霍尔系数越大的材料,其内部单位体积内的载流子数目越多
C. 若将磁场方向改为沿z轴正方向,则在垂直y轴的两个侧面间会产生的霍尔电势差变小。
D. 若将电流方向改为沿z轴正方向,则在垂直x轴的两个侧面间会产生的霍尔电势差变大。
高二物理多选题中等难度题查看答案及解析
高二物理选择题中等难度题查看答案及解析
高二物理选择题中等难度题查看答案及解析
现代广泛应用的半导体材料分为两大类:一类是N型半导体,其载流子是电子,另一类是P型半导体,其载流子称为“空穴”,相当于带正电的粒子.如果把某种导电材料制成长方体放在匀强磁场中,磁场方向如图所示,且与长方体的前后侧面垂直,当长方体中通有向右的电流I时,测得长方体的上下表面的电势分别为φ上和φ下,则( )
A. 长方体如果是N型半导体,必有φ上<φ下
B. 长方体如果是P型半导体,必有φ上<φ下
C. 长方体如果是P型半导体,必有φ上>φ下
D. 长方体如果是金属导体,必有φ上>φ下
高二物理多选题中等难度题查看答案及解析
半导体中参与导电的电流载体称为载流子。N型半导体的载流子是带负电的电子,P型半导体的载流子是带正电的“空穴”,如图所示,一块厚度为d、宽度为L的长方形半导体样品,置于方向如图所示、磁感应强度大小为B的匀强磁场中,当半导体样品中通以向右的电流强度为I的恒定电流时,样品上、下底面出现恒定电势差U,且上表面带正电、下表面带负电。设半导体样品中每个载流子带电荷量为q,半导体样品中载流子的密度(单位体积内载流子的个数)用n表示(已知电流I=nqvS,其中v为载流子定向移动的速度,S为导体横截面积),则下列关于样品材料类型的判断和其中载流子密度n大小的表达式正确的是( )
A.是N型半导体,
B.是P型半导体 ,
C.是N型半导体 ,
D.是P型半导体 ,
高二物理选择题中等难度题查看答案及解析
半导体中参与导电的电流载体称为载流子.N型半导体的载流子是带负电的电子,P型半导体的载流子是带正电的“空穴”,如图所示,一块厚度为d、宽度为L的长方形半导体样品,置于方向如图所示、磁感应强度大小为B的匀强磁场中,当半导体样品中通以向右的电流强度为I的恒定电流时,样品上、下底面出现恒定电势差U,且上表面带正电、下表面带负电.设半导体样品中每个载流子带电荷量为q,半导体样品中载流子的密度(单位体积内载流子的个数)用n表示(已知电流I=nqvS,其中v为载流子定向移动的速度,S为导体横截面积),则下列关于样品材料类型的判断和其中载流子密度n大小的表达式正确的是
( )
A.是N型半导体,n= B.是P型半导体,n=
C.是N型半导体,n= D.是P型半导体,n=
高二物理选择题中等难度题查看答案及解析
常用的温差发电装置的主要结构是半导体热电偶。如图所示,热电偶由N型半导体和P型半导体串联而成,N型半导体的载流子(形成电流的自由电荷)是电子,P型半导体的载流子是空穴,空穴带正电且电荷量等于元电荷e。若两种半导体相连一端和高温热源接触,而另一端A、B与低温热源接触,两种半导体中的载流子都会从高温端向低温端扩散,最终在A、B两端形成稳定的电势差,且电势差的大小与高温热源、低温热源间的温度差有确定的函数关系。下列说法正确的是( )
A. B端是温差发电装置的正极
B. 热电偶内部非静电力方向和载流子扩散方向相反
C. 温差发电装置供电时不需要消耗能量
D. 可以利用热电偶设计一种测量高温热源温度的传感器
高二物理单选题中等难度题查看答案及解析