如图所示，一块长度为a、宽度为b、厚度为d的金属导体，当加有与侧面垂直的匀强磁场B，且通以...

如图，为探讨霍尔效应,取一块长度为a、宽度为b、厚度为d的金属导体, 給金属导体加与侧面垂直的匀强磁场B, 且通以图示方向的电流I时, 用电压表测得导体上、下表面M、N间电压为U. 已知自由电子的电荷量为e. 下列说法中正确的是

A. M板比N板电势高

B. 导体单位体积内自由电子数越多, 电压表的示数越大

C. 导体中自由电子定向移动的速度为v=U/Bd

D. 导体单位体积内的自由电子数为

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如图，为探讨霍尔效应，取一块长度为a、宽度为b、厚度为d的金属导体，给金属导体加与侧面垂直的匀强磁场B，且通以图示方向的电流I时，用电压表测得导体上、下表面M、N间电压为已知自由电子的电荷量为e。下列说法中正确的是

A. M板比N板电势高

B. 霍尔元件是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器

C. 导体中自由电子定向移动的速度为

D. 导体单位体积内的自由电子数

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如图所示, 一块长度为a、宽度为b、厚度为d的金属导体, 当加有与侧面垂直的匀强磁场B, 且通以图示方向的电流I时, 用电压表测得导体上、下表面M、N间电压为U. 已知自由电子的电荷量为e. 下列说法中正确的是(　　)

A.M板比N板电势高

B.导体单位体积内自由电子数越多, 电压表的示数越大

C.导体中自由电子定向移动的速度为v=U/Bd

D.导体单位体积内的自由电子数为

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（2011•南通模拟）如图所示，一块长度为a、宽度为b、厚度为d的金属导体，当加有与侧面垂直的匀强磁场B，且通以图示方向的电流I时，用电压表测得导体上、下表面MN间电压为U．已知自由电子的电量为e．下列说法中正确的是（　 ）

A.M板比N板电势高

B.导体单位体积内自由电子数越多，电压表的示数越大

C.导体中自由电子定向移动的速度为

D.导体单位体积内的自由电子数为

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（2011•南通模拟）如图所示，一块长度为a、宽度为b、厚度为d的金属导体，当加有与侧面垂直的匀强磁场B，且通以图示方向的电流I时，用电压表测得导体上、下表面MN间电压为U．已知自由电子的电量为e．下列说法中正确的是（　 ）

A.M板比N板电势高

B.导体单位体积内自由电子数越多，电压表的示数越大

C.导体中自由电子定向移动的速度为

D.导体单位体积内的自由电子数为

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如图所示，一块长度为a、宽度为b、厚度为d的金属导体，当加有与侧面垂直的匀强磁场B，且通以图示方向的电流I时，用电压表测得导体上、下表面MN间电压为U．已知自由电子的电量为e．下列说法中正确的是（　 ）

A．M板比N板电势高

B．导体单位体积内自由电子数越多，电压表的示数越大

C．导体中自由电子定向移动的速度为

D．导体单位体积内的自由电子数为

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如图所示，一块长度为a、宽度为b、厚度为d的金属导体，当加有与侧面垂直的匀强磁场B，且通以图示方向的电流I时，用电压表测得导体上、下表面MN间电压为U。已知自由电子的电量为e。下列说法中正确的是

A．M板比N板电势高

B．导体单位体积内自由电子数越多，电压表的示数越大

C．导体中自由电子定向移动的速度为v=U/Bd

D．导体单位体积内的自由电子数为BI/eUb

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如右图，为探讨霍尔效应,取一块长度为a、宽度为b、厚度为d的金属导体, 給金属导体加与侧面垂直的匀强磁场B, 且通以图示方向的电流I时, 用电压表测得导体上、下表面M、N间电压为U. 已知自由电子的电荷量为e. 下列说法中正确的是

A. M板比N板电势低

B. 导体单位体积内自由电子数越多, 电压表的示数越大

C. 导体中自由电子定向移动的速度为v=U/B　

D. 导体单位体积内的自由电子数为

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