如图所示,水平虚线下方存在大小为B、方向水平向里的匀强磁场。正方形金属线框abcd边长为L,质量为m,电阻为R。将线框在虚线上方一定高度处由静止释放,运动过程中ab边始终水平,线框始终在竖直面内,所受空气阻力恒为f。线框进入磁场的过程做匀速直线运动。重力加速度为g。则线框释放时ab边与水平虚线间的高度差为
A. B.
C. D.
高三物理单选题中等难度题
如图所示,水平虚线下方存在大小为B、方向水平向里的匀强磁场。正方形金属线框abcd边长为L,质量为m,电阻为R。将线框在虚线上方一定高度处由静止释放,运动过程中ab边始终水平,线框始终在竖直面内,所受空气阻力恒为f。线框进入磁场的过程做匀速直线运动。重力加速度为g。则线框释放时ab边与水平虚线间的高度差为
A. B.
C. D.
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如图,空间中存在一匀强磁场区域,磁感应强度大小为B,磁场方向与竖直面纸面垂直,磁场的上、下边界虚线均为水平面,间距为2L,纸面内磁场上方有一个质量为m、电阻为R的正方形导线框abcd,边长为L,其上、下两边均与磁场边界平行,若线框从上边界上方某处自由下落,恰能匀速进入磁场,则
A. 线框释放处距离磁场上边界的高度为
B. 线圈进入磁场的过程中机械能的减少量为mgL
C. 线圈进入磁场的过程中流过线圈横截面的电量为
D. 线圈的ab边到达磁场下边界时的速度为
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如图所示,绝缘斜面倾角为θ,虚线下方有方向垂直于斜面向上、磁感应强度为B的匀强磁场,虚线与斜面底边平行.将质量为m,电阻为R,边长为l的正方形金属框abcd从斜面上由静止释放,释放时cd边与磁场边界距离为x0,不计摩擦,重力加速度为g.求:
(1) 金属框cd边进入磁场时,金属框中的电动势大小E;
(2) 金属框cd边进入磁场时的加速度大小a;
(3) 金属框进入磁场的整个过程中,通过金属框的电荷量q.
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如图所示,绝缘斜面倾角为θ,虚线下方有方向垂直于斜面向上、磁感应强度为B的匀强磁场,虚线与斜面底边平行.将质量为m,电阻为R,边长为l的正方形金属框abcd从斜面上由静止释放,释放时cd边与磁场边界距离为x0,不计摩擦,重力加速度为g.求:
(1) 金属框cd边进入磁场时,金属框中的电动势大小E;
(2) 金属框cd边进入磁场时的加速度大小a;
(3) 金属框进入磁场的整个过程中,通过金属框的电荷量q.
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如图为俯视图,虚线MN的右侧存在一个竖直向上的匀强磁场,磁感应强度为B. 电阻为R、质量为m,边长为L的正方形单匝金属线框abcd放在光滑水平面上,ab边在磁场外侧紧靠MN虚线边界.当线框以初速度v0向左离开磁场过程中,安培力对线框所做的功为W.求:
(1)初速度v0时刻,线框中感应电流I大小和方向;
(2)线框cd边穿出磁场时速度v;
(3)线框穿出磁场一半过程中,通过线框截面的电量q
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如图为俯视图,虚线MN的右侧存在一个竖直向上的匀强磁场,磁感应强度为B. 电阻为R、质量为m,边长为L的正方形单匝金属线框abcd放在光滑水平面上,ab边在磁场外侧紧靠MN虚线边界.当线框以初速度v0向左离开磁场过程中,安培力对线框所做的功为W.求:
(1)初速度v0时刻,线框中感应电流I大小和方向;
(2)线框cd边穿出磁场时速度v;
(3)线框穿出磁场一半过程中,通过线框截面的电量q
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如图为俯视图,虚线MN的右侧存在一个竖直向上的匀强磁场,磁感应强度为B. 电阻为R、质量为m,边长为L的正方形单匝金属线框abcd放在光滑水平面上,ab边在磁场外侧紧靠MN虚线边界.当线框以初速度v0向左离开磁场过程中,安培力对线框所做的功为W.求:
(1)初速度v0时刻,线框中感应电流I大小和方向;
(2)线框cd边穿出磁场时速度v;
(3)线框穿出磁场一半过程中,通过线框截面的电量q
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如图为俯视图,虚线MN的右侧存在一个竖直向上的匀强磁场,磁感应强度为B. 电阻为R、质量为m,边长为L的正方形单匝金属线框abcd放在光滑水平面上,ab边在磁场外侧紧靠MN虚线边界.当线框以初速度v0向左离开磁场过程中,安培力对线框所做的功为W.求:
(1)初速度v0时刻,线框中感应电流I大小和方向;
(2)线框cd边穿出磁场时速度v;
(3)线框穿出磁场一半过程中,通过线框截面的电量q
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