如图所示，在容器A中有同一种元素的两种同位素正粒子，它们的初速度几乎为0，粒子可从容器A下方的小孔S1飘入加速电场，然后经过S3沿着与磁场垂直的方向进入匀强磁场中，最后第一种同位素粒子打到照相底片D上的M点，第二种同位素粒子打到照相底片D上的N点。不计同位素粒子重力。量出M点、N点到S3的距离分别为x1、x2，则第一种与第二种同位素粒子在磁场中运动的时间之比为（ ）
A.
B.
C.
D.
高三物理单选题简单题
如图所示，在容器A中有同一种元素的两种同位素正粒子，它们的初速度几乎为0，粒子可从容器A下方的小孔S1飘入加速电场，然后经过S3沿着与磁场垂直的方向进入匀强磁场中，最后第一种同位素粒子打到照相底片D上的M点，第二种同位素粒子打到照相底片D上的N点。不计同位素粒子重力。量出M点、N点到S3的距离分别为x1、x2，则第一种与第二种同位素粒子在磁场中运动的时间之比为（ ）
A. B. C. D.
高三物理单选题简单题
质谱仪是测量带电粒子的比荷和分析同位素的重要工具．如图所示，带电粒子从容器
下方的小孔
飘入电势差为
的加速电场，其初速度几乎为零，然后经过
沿着与磁场垂直的方向进入磁感应强度为
的匀强磁场中，最后打到照相底片
上．现有某种元素的三种同位素的原子核由容器进入质谱仪，最后分别打在底片
、
、
三个位置．不计粒子重力．则打在处的粒子( )
A. 质量最小 B. 比荷最小 C. 动能最小 D. 动量最小
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质谱仪是测量带电粒子的比荷和分析同位素的重要工具．如图所示，带电粒子从容器下方的小孔飘入电势差为的加速电场，其初速度几乎为零，然后经过沿着与磁场垂直的方向进入磁感应强度为的匀强磁场中，最后打到照相底片上．现有某种元素的三种同位素的原子核由容器进入质谱仪，最后分别打在底片、、三个位置．不计粒子重力．则打在处的粒子( )
A. 质量最小 B. 比荷最小 C. 动能最小 D. 动量最小
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质谱仪是测量带电粒子的比荷和分析同位素的重要工具．如图所示，带电粒子从容器
下方的小孔
飘入电势差为
的加速电场，其初速度几乎为零，然后经过
沿着与磁场垂直的方向进入磁感应强度为
的匀强磁场中，最后打到照相底片
上．现有某种元素的三种同位素的原子核由容器进入质谱仪，最后分别打在底片
、
、
三个位置．不计粒子重力．则打在处的粒子( )
A.质量最小 B.比荷最小 C.动能最小 D.动量最小
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质谱仪是测量带电粒子的比荷和分析同位素的重要工具。如图所示，带电粒子从容器A下方的小孔S1飘入电势差为U的加速电场，其初速度几乎为零，然后经过S3沿着与磁场垂直的方向进入磁感应强度为B的匀强磁场中，最后打到照相底片D上。现有某种元素的三种同位素的原子核由容器A进入质谱仪，最后分别打在底片P1、P2、P3三个位置。不计粒子重力。则打在P1处的粒子
A．质量最小 B．比荷最小
C．动能最小 D．动量最小
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质谱仪是一种精密仪器，是测量带电粒子的质量和分析同位素的重要工具。图中所示的质谱仪是由加速电场和偏转磁场组成。带电粒子从容器A下方的小孔S1飘入电势差为U的加速电场，其初速度几乎为0，然后经过S3沿着与磁场垂直的方向进入磁感应强度为B的匀强磁场中，最后打到照相底片D上。不计粒子重力。
（1）若由容器A进入电场的是质量为m、电荷量为q的粒子，求：
a．粒子进入磁场时的速度大小v；
b．粒子在磁场中运动的轨道半径R。
（2）若由容器A进入电场的是互为同位素的两种原子核P1、P2，由底片上获知P1、P2在磁场中运动轨迹的直径之比是
: 1。求P1、P2的质量之比m1 :m2。
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质谱仪是一种精密仪器，是测量带电粒子的质量和分析同位素的重要工具
图中所示的质谱仪是由加速电场和偏转磁场组成带电粒子从容器A下方的小孔
飘入电势差为U的加速电场，其初速度几乎为0，然后经过
沿着与磁场垂直的方向进入磁感应强度为B的匀强磁场中，最后打到照相底片D上不计粒子重力．
若由容器A进入电场的是质量为m、电荷量为q的粒子，求：
粒子进入磁场时的速度大小v；
粒子在磁场中运动的轨道半径
若由容器A进入电场的是互为同位素的两种原子核
、
，由底片上获知、在磁场中运动轨迹的直径之比是
：
求、的质量之比
：
．
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如图所示，在容器A中有同一种元素的两种同位素正粒子，它们的初速度几乎为0，粒子可从容器A下方的小孔S1飘入加速电场，然后经过S3沿着与磁场垂直的方向进入匀强磁场中，最后第一种同位素粒子打到照相底片D上的M点，第二种同位素粒子打到照相底片D上的N点。不计同位素粒子重力。量出M点、N点到S3的距离分别为x1、x2，则第一种与第二种同位素粒子在磁场中运动的时间之比为（ ）
A. B. C. D.
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质谱仪是分析同位素的重要工具，其原理简图如图所示。容器A 中有电荷量均为+q、质量不同的两种粒子，它们从小孔S1不断飘入电压为U 的加速电场（不计粒子的初速度），并沿直线从小孔S2（S1与S2连线与磁场边界垂直）进入磁感应强度大小为B 、方向垂直纸面向外的匀强磁场，最后打在照相底片D上，形成a、b两条“质谱线”。已知打在a处粒子的质量为m。不计粒子重力及粒子间的相互作用。
（1）求打在a处的粒子刚进入磁场时的速率v；
（2）求S2距a 处的距离xa；
（3）若S2距b处的距离为xb，且xb=
，求打在b处粒子的质量mb（用m表示）。
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