用相同导线绕制的边长为L或2L的四个闭合导体线框，以相同的速度匀速进入右侧匀强磁场，如图所...

用相同导线绕制的边长为L或2L的四个闭合导体线框，以相同的速度匀速进入右侧匀强磁场，如图所示．在每个线框进入磁场的过程中，M、N两点间的电压分别为U_a、U_b、U_c和U_d．下列判断正确的是（ 　）（所有长边是2L ,短边是L）

A．                    B．

C．                   D．

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用相同导线绕制的边长为L或2L的四个闭合导体线框，以相同的速度匀速进入右侧匀强磁场，如图所示。在每个线框进入磁场的过程中，M、N两点间的电压分别为U_a、U_b、U_c和U_d。下列判断正确的是：

（A）U_a＜U_b＜U_c＜U_d           

（B）U_a＜U_b＜U_d＜U_c 

（C）U_a＝U_b＜U_c＝U_d

（D）U_b＜U_a＜U_d＜U_c

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用相同导线绕制的边长为L或2L的四个闭合导体线框，以相同的速度匀速进入右侧匀强磁场，如图所示。在每个线框进入磁场的过程中，M、N两点间的电压分别为U_a、U_b、U_c和U_d。下列判断正确的是：

（A）U_a＜U_b＜U_c＜U_d           

（B）U_a＜U_b＜U_d＜U_c 

（C）U_a＝U_b＜U_c＝U_d

（D）U_b＜U_a＜U_d＜U_c

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用相同导线绕制的边长为L或2L的四个闭合导体线框，以相同的速度匀速进入右侧匀强磁场，如图所示。在每个线框进入磁场的过程中，M、N两点间的电压分别为U_a、U_b、U_c和U_d。下列判断正确的是：

（A）U_a＜U_b＜U_c＜U_d           

（B）U_a＜U_b＜U_d＜U_c 

（C）U_a＝U_b＜U_c＝U_d

（D）U_b＜U_a＜U_d＜U_c

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用相同导线绕制的四个闭合导体线框A、B、C、D，已知短边的边长为L，长边的边长为2L，若它们分别以相同的速度进入右侧匀强磁场中，如图所示，则在每个线框进入磁场的过程中，M、N两点间的电压分别为U_A、U_B、U_C和U_D. 下列判断正确的是……………………（    ）

A．U_A＜U_B＜U_C＜U_D                 B．U_A＜U_B＜U_D＜U_C

C．U_A=U_B=U_C=U_D                        D．U_B＜U_A＜U_D＜U_C

高三物理单选题极难题查看答案及解析

如图所示，一导线折成动长为a的正三角形闭合回路，虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂直于回路所在的平面，回路以速度v向右匀速进入磁场，边长CD始终与MN垂直，从D点到达边界开始到C点进入磁场为止，下列结论中正确的是

A. 导线框受到安培力方向始终向上　　 B. 导线框受到安培力方向始终向下

C. 感应电动势的最大值为　　 D. 感应电动势平均值为

高三物理多选题中等难度题查看答案及解析

如图所示，一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路。虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂直于回路所在的平面。回路以速度v向右匀速进入磁场，直径CD始终与MN垂直。在闭合回路进入磁场的过程中，下列结论正确的是   （     ）

A．感应电流方向始终为逆时针方向

B．CD段直线始终不受安培力

C．感应电动势最大值E＝Bav

D．感应电动势平均值

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如图所示，一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路。虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂直于回路所在的平面。回路以速度v向右匀速进入磁场，直径CD始终与MN垂直。在闭合回路进入磁场的过程中，下列结论正确的是   （     ）

A．感应电流方向始终为逆时针方向

B．CD段直线始终不受安培力

C．感应电动势最大值E＝Bav

D．感应电动势平均值

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