如图甲中abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角。质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中，磁感强度B随时间变化规律如图乙，PQ始终保持静止。在0～t时间内，PQ受到的摩擦力f的大小变化情况是
A．f保持不变
B．f一直增大
C．f一直减小
D．f先增大后减小
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如图甲中abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角。质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中，磁感强度B随时间变化规律如图乙，PQ始终保持静止。在0～t时间内，PQ受到的摩擦力f的大小变化情况是
A．f保持不变
B．f一直增大
C．f一直减小
D．f先增大后减小
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如图甲中abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角。质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中，磁感强度B随时间变化规律如图乙，PQ始终保持静止。在0～t时间内，PQ受到的摩擦力f的大小变化情况是
A．f保持不变
B．f一直增大
C．f一直减小
D．f先增大后减小
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如图3中的甲所示，ａｂｃｄ为导体做成的框架，其平面与水平面成
角，质量为ｍ的导体棒ＰＱ与ａｄ、ｂｃ接触良好，回路的总电阻为Ｒ，整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中，磁场的磁感应强度Ｂ随时间ｔ的变化情况如图3中的乙所示（设图甲中Ｂ的方向为正方向）。若ＰＱ始终静止，关于ＰＱ与框架间的摩擦力在0-
时间内的变化情况，以下对摩擦力变化情况的判断可能的是（ ）
A.一直增大 B.一直减小 C.先减小后增大 D.先增大后减小
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