高三物理选择题中等难度题
高三物理选择题中等难度题查看答案及解析
高三物理选择题中等难度题查看答案及解析
如图1所示，虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界，磁场宽度为L，方向竖直向下。边长为l的正方形闭合金属线框abcd，以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动，经过一段时间线框通过了磁场区域。已知l<L，甲、乙两位同学对该过程进行了分析，当线框的ab边与MN重合时记为t=0，分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线，如图2、图3所示，图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积。关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系，下列说法正确的是
A．图2正确，且S1>S2 B．图2正确，且S1=S2
C．图3正确，且S3>S4 D．图3正确，且S3=S4
高三物理单选题中等难度题查看答案及解析
如图1所示，虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界，磁场宽度为L，方向竖直向下。边长为l的正方形闭合金属线框abcd，以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动，经过一段时间线框通过了磁场区域。已知l<L，甲、乙两位同学对该过程进行了分析，当线框的ab边与MN重合时记为t=0，分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线，如图2、图3所示，图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积。关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系，下列说法正确的是
A．图2正确，且S1>S2 B．图2正确，且S1=S2
C．图3正确，且S3>S4 D．图3正确，且S3=S4
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高三物理选择题中等难度题查看答案及解析
如图所示，在光滑绝缘的水平面上方，有两个方向相反的水平方向匀强磁场，PQ为两个磁场的边界，磁场范围足够大，磁感应强度的大小分别为
、
一个竖直放置的边长为质量为m、电阻为R的正方形金属线框，以速度
垂直磁场方向从图中实线位置开始向右运动，当线框运动到分别有一半面积在两个磁场中时，线框的速度为
，则下列结论中正确的是
A. 此过程中通过线框横截面的电量为
B. 此过程中回路产生的电能为
C. 此时线框的加速度为
D. 此时线框中的电功率为
高三物理多选题中等难度题查看答案及解析
如图所示，在光滑绝缘的水平面上方，有两个方向相反的水平方向匀强磁场，PQ为两个磁场的边界，磁场范围足够大，磁感应强度的大小分别为B1＝B、B2＝2B。一个竖直放置的边长为a、质量为m、电阻为R的正方形金属线框，以速度v垂直磁场方向从图中实线位置开始向右运动，当线框运动到分别有一半面积在两个磁场中时，线框的速度为v/2，则下列结论中正确的是（ ）
（A）此过程中通过线框截面的电量为
（B）此过程中回路产生的电能为0.5mv2
（C）此时线框的加速度为
（D）此时线框中的电功率为
高三物理选择题中等难度题查看答案及解析
如图所示，在光滑绝缘的水平面上方，有两个方向相反的水平方向匀强磁场，PQ为两个磁场的边界，磁场范围足够大，磁感应强度的大小分别为B1＝B、B2＝2B。一个竖直放置的边长为a、质量为m、电阻为R的正方形金属线框，以速度v垂直磁场方向从图中实线位置开始向右运动，当线框运动到分别有一半面积在两个磁场中时线框的速度为
，则下列结论中正确的是
A. 此过程中通过线框截面的电量为
B. 此过程中回路产生的电能为
mv2
C. 此时线框的加速度为
D. 此时线框中的电功率为
高三物理多选题中等难度题查看答案及解析
如图所示，在光滑绝缘的水平面上方，有两个方向相反的水平方向匀强磁场，PQ为两个磁场的边界，磁场范围足够大，磁感应强度的大小分别为B1＝B、B2＝2B。一个竖直放置的边长为a、质量为m、电阻为R的正方形金属线框，以速度v垂直磁场方向从图中实线位置开始向右运动，当线框运动到分别有一半面积在两个磁场中时线框的速度为，则下列结论中正确的是
A. 此过程中通过线框截面的电量为
B. 此过程中回路产生的电能为mv2
C. 此时线框的加速度为
D. 此时线框中的电功率为
高三物理多选题中等难度题查看答案及解析
如图所示，在光滑绝缘的水平面上方，有两个方向相反的水平方向匀强磁场，PQ为两个磁场的边界，磁场范围足够大，磁感应强度的大小分别为B1＝B、B2＝2B。一个竖直放置的边长为a、质量为m、电阻为R的正方形金属线框，以速度v垂直磁场方向从图中实线位置开始向右运动，当线框运动到分别有一半面积在两个磁场中时，线框的速度为v/2，则下列结论中正确的是
A．此过程中通过线框截面的电量为
B．此过程中回路产生的电能为
C．此时线框的加速度为
D．此时线框中的电功率为
高三物理选择题简单题查看答案及解析