如图所示，两光滑金属导轨，间距d=0.2m，在桌面上的部分是水平的，处在磁感应强度B=0.1T、方向竖直向下的有界磁场中，电阻R=3Ω，桌面高H=0.8m，金属杆ab质量m=0.2kg、电阻r=1Ω，在导轨上距桌面h=0.2m高处由静止释放，落地点距桌面左边缘的水平距离s=0.4m，g=10m/s2，求：
（1）金属杆刚进入磁场时，杆中的电流大小和方向；
（2）整个过程中R上放出的热量．
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如图所示，两光滑金属导轨，间距d=0.2m，在桌面上的部分是水平的，处在磁感应强度B=0.1T、方向竖直向下的有界磁场中，电阻R=3Ω，桌面高H=0.8m，金属杆ab质量m=0.2kg、电阻r=1Ω，在导轨上距桌面h=0.2m高处由静止释放，落地点距桌面左边缘的水平距离s=0.4m，g=10m/s2，求：
（1）金属杆刚进入磁场时，杆中的电流大小和方向；
（2）整个过程中R上放出的热量．
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如图所示，两光滑金属导轨，间距d=0.2 m，在桌面上的部分是水平的，处在磁感应强度B=0.1 T、方向竖直向下的有界磁场中，电阻R=3 Ω，桌面高H=0.8 m，金属杆ab质量m=0.2 kg、电阻r=1 Ω，在导轨上距桌面h=0.2 m高处由静止释放，落地点距桌面左边缘的水平距离s=0.4 m，g=10 m/s2，求：
（1）金属杆刚进入磁场时，R上的电流大小；
（2）整个过程中R放出的热量．
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如图所示，两光滑金属导轨，间距d=0.2m，在桌面上的部分是水平的，处在磁感应强度B=0.1T、方向竖直向下的有界磁场中，电阻R=3Ω，桌面高H=0.8m，金属杆ab质量m=0.2kg、电阻r=1Ω，在导轨上距桌面h=0.2m高处由静止释放，落地点距桌面左边缘的水平距离s=0.4m，g=10m/s2，求：
（1）金属杆刚进入磁场时，杆中的电流大小和方向；
（2）整个过程中R上放出的热量．
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如图所示，两光滑金属导轨，间距d＝0.2m，在桌面上的部分是水平的，处在磁感应强度B＝0.1T、方向竖直向下的有界磁场中，电阻R＝3Ω，桌面高H＝0.8m，金属杆ab质量m＝0.2kg、电阻r＝1Ω，在导轨上距桌面h＝0.2m高处由静止释放，落地点距桌面左边缘的水平距离s＝0.4m，g＝10m/s2，求：
（1）金属杆刚进入磁场时，杆中的电流大小和方向；
（2）整个过程中R上放出的热量。
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如图所示，两光滑金属导轨，间距d＝0.2m，在桌面上的部分是水平的，处在磁感应强度B＝0.1T、方向竖直向下的有界磁场中，电阻R＝3Ω，桌面高H＝0.8m，金属杆ab的质量m＝0.2kg，电阻r＝1Ω，在导轨上距桌面h＝0.2m的高处由静止释放，落地点距桌面左边缘的水平距离s＝0.4m，g＝10m/s2. 求：
(1)金属杆进入磁场时，R上的电流大小；
(2)整个过程中R上产生的热量．
(3)整个过程中通过R的电荷量.
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如图所示，两光滑金属导轨，间距d＝0.2m，在桌面上的部分是水平的，处在磁感应强度B＝0.1T、方向竖直向下的有界磁场中，电阻R＝3Ω，桌面高H＝0.8m，金属杆ab的质量m＝0.2kg，电阻r＝1Ω，在导轨上距桌面h＝0.2m的高处由静止释放，落地点距桌面左边缘的水平距离s＝0.4m，g＝10m/s2. 求：
(1)金属杆进入磁场时，R上的电流大小；
(2)整个过程中R上产生的热量．
(3)整个过程中通过R的电荷量.
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如图所示，两光滑金属导轨，间距d＝0.2m，在桌面上的部分是水平的，处在磁感应强度B＝0.1T、方向竖直向下的有界磁场中，电阻R＝3Ω，桌面高H＝0.8m，金属杆ab的质量m＝0.2kg，电阻r＝1Ω，在导轨上距桌面h＝0.2m的高处由静止释放，落地点距桌面左边缘的水平距离s＝0.4m，g＝10m/s2. 求：
(1)金属杆刚进入磁场时，R上的电流大小；
(2)整个过程中R上产生的热量．
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如下图所示，两光滑金属导轨，间距d＝0.2m，在桌面上的部分是水平的，处在磁感应强度B＝0.1T、方向竖直向下的有界磁场中，电阻R＝3Ω，桌面高H＝0.8m，金属杆ab质量m＝0.2kg、电阻r＝1Ω，在导轨上距桌面h＝0.2m高处由静止释放，落地点距桌面左边缘的水平距离s＝0.4m，g＝10m/s2，求：
(1)金属杆刚进入磁场时，R上的电流大小和方向；
(2)整个过程中R上放出的热量．
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如图所示，两光滑金属导轨间距d=0.2m，在桌面上的部分是水平的。处在磁感应强度B=0.1T，方向竖直向下的有界础场中，电阻R=3Ω，桌面高H=0.8m，金属杆b质量m=0.2kg.接入电路的电阻r=1Ω，在导轨上距桌面h=0.2高处由静止释放，幕地点距集菌左地缘的水平距离s=0.4m，g取10m/s²，水平桌面摩擦不计。
求：(1)金属杆刚进入磁场时，杆中的电流大小和方向；
（2）整个过程中回路放出的热量.
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如图所示，两光滑金属导轨间距为1m，固定在绝缘桌面上的部分是水平的，处在磁感应强度大小为1T、方向竖直向下的有界匀强磁场中(导轨其他部分无磁场)，电阻R的阻值为2Ω，桌面距水平地面的高度为1.25m，金属杆ab的质量为0.1kg，有效电阻为1Ω。现将金属杆ab从导轨上距桌面高度为0.45m的位置由静止释放，其落地点距桌面左边缘的水平距离为1m。取g=10m/s2，空气阻力不计，离开桌面前金属杆ab与金属导轨垂直且接触良好。下列判断正确的是（ ）
A. 金属杆刚进入磁场时，其速度大小为3m/s
B. 金属杆刚进入磁场时，电阻R上通过的电流大小为1.5A
C. 金属杆穿过匀强磁场的过程中，克服安培力所做的功为0.25J
D. 金属杆穿过匀强磁场的过程中，通过金属杆某一横截面的电荷量为0.2C
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