如图所示，倾角θ为30°的光滑斜面上，有一垂直于斜面向下的有界匀强磁场区域PQNM，磁场区...

如图所示，倾角θ为30°的光滑斜面上，有一垂直于斜面向下的有界匀强磁场区域PQNM，磁场区域宽度L=0.1m．将一匝数n=10匝、质量m=0.02kg、边长L=0.1m、总电阻R=0.4Ω的正方形闭合线圈abcd由静止释放，释放时ab边水平，且到磁场上边界PQ的距离也为L，当ab边刚进入磁场时，线圈恰好匀速运动．（g=10m/s2）．求： （1）ab边刚进入磁场时，线圈所受安培力的大小及方向； （2）ab边刚进入磁场时，线圈的速度及磁场磁感应强度B的大小； （3）线圈穿过磁场过程产生的热量．

高二物理简答题极难题查看答案及解析

如图所示，倾角θ为30°的光滑斜面上，有一垂直于斜面向下的有界匀强磁场区域PQNM，磁场区域宽度L=0.1m．将一匝数n=10匝、质量m=0.02kg、边长L=0.1m、总电阻R=0.4Ω的正方形闭合线圈abcd由静止释放，释放时ab边水平，且到磁场上边界PQ的距离也为L，当ab边刚进入磁场时，线圈恰好匀速运动．（g=10m/s2）．求： （1）ab边刚进入磁场时，线圈所受安培力的大小及方向； （2）ab边刚进入磁场时，线圈的速度及磁场磁感应强度B的大小； （3）线圈穿过磁场过程产生的热量．

高二物理简答题极难题查看答案及解析

如图所示，倾角θ为30°的光滑斜面上，有一垂直于斜面向下的有界匀强磁场区域PQNM，磁场区域宽度L=0.1m．将一匝数n=10匝、质量m=0.02kg、边长L=0.1m、总电阻R=0.4Ω的正方形闭合线圈abcd由静止释放，释放时ab边水平，且到磁场上边界PQ的距离也为L，当ab边刚进入磁场时，线圈恰好匀速运动．（g=10m/s2）．求： （1）ab边刚进入磁场时，线圈所受安培力的大小及方向； （2）ab边刚进入磁场时，线圈的速度及磁场磁感应强度B的大小； （3）线圈穿过磁场过程产生的热量．

高二物理简答题极难题查看答案及解析

如图，PQNM是表面光滑、倾角为30°的绝缘斜面，斜面上宽度为L的矩形区域P′Q′N′M′内存在垂直于斜面向下、磁感应强度为B的匀强磁场．现将质量为m、边长为L的单匝正方形金属线框abcd放在斜面上，使其由静止开始沿斜面下滑．若已知cd∥N′M′∥NM，线框开始运动时cd边与P′Q′的距离为2L，线框恰能做匀速运动通过磁场区域，重力加速度为g.求：

（1）线框的电阻；

（2）线框在通过磁场区域的过程中产生的热量.

高二物理简答题中等难度题查看答案及解析

在如图所示的倾角为的光滑斜面上，存在着两个磁感应强度大小为 B 的匀强磁场，区域 I 的磁场方向垂直斜面向上，区域Ⅱ的磁场方向垂直斜面向下，磁场的宽度均为 L，一个 质量为 m、电阻为 R、边长也为 L 的正方形导线框，由静止开始沿斜面下滑，当 ab 边刚越 过 GH 进入磁场Ⅰ区时，恰好以速度 v1 做匀速直线运动；当 ab 边下滑到 JP 与 MN 的中间位 置时，线框又恰好以速度 v2 做匀速直线运动，从 ab 进入 GH 到 MN 与 JP 的中间位置的过程 中，线框的动能变化量为△Ek（末动能减初动能），重力对线框做功为 W1，安培力对线框做 功为 W2，下列说法中正确的有 （　　 ）

A. 在下滑过程中，由于重力做正功，所以有 v2＞v1

B. 从 ab 进入 GH 到 MN 与 JP 的中间位置的过程中，机械能守恒

C. 从 ab 进入 GH 到 MN 与 JP 的中间位置的过程，有（W1－△Ek）机械能转化为电能

D. 从 ab 进入 GH 到 MN 与 JP 的中间位置的过程中，线框动能的变化量大小为△Ek=W1+W2

高二物理多选题中等难度题查看答案及解析

在如图所示的倾角为θ的光滑斜面上，存在着两个磁感应强度大小均为B的强磁场区域，区域I的磁场方向垂直斜面向上，区域II的磁场方向垂直斜面向下，磁场的宽度HP及PN均为L，一个质量为m、电阻为R、边长也为L的正方形导线框，由静止开始沿斜面下滑，t1时刻ab边刚越过GH进入磁场I区域，此时导线框恰好以速度v1做匀速直线运动；t2时刻ab边下滑到JP与MN的中间位置，此时导线框又恰好以速度v2做匀速直线运动。重力加速度为g，下列说法中正确的是（　　 ）

A．当ab边刚越过JP时，导线框具有加速度大小为a=gsinθ

B．导线框两次匀速直线运动的速度v1:v2=4:1

C．从t1到t2的过程中，导线框克服安培力做功的大小等于重力势能的减少

D．从t1到t2的过程中，有+机械能转化为电能

高二物理选择题困难题查看答案及解析

在如图所示的倾角为θ的光滑斜面上，存在着两个磁感应强度大小均为B的强磁场区域，区域I的磁场方向垂直斜面向上，区域II的磁场方向垂直斜面向下，磁场的宽度HP及PN均为L，一个质量为m、电阻为R、边长也为L的正方形导线框，由静止开始沿斜面下滑，t1时刻ab边刚越过GH进入磁场I区域，此时导线框恰好以速度v1做匀速直线运动；t2时刻ab边下滑到JP与MN的中间位置，此时导线框又恰好以速度v2做匀速直线运动。重力加速度为g，下列说法中正确的是（　　 ）

A．当ab边刚越过JP时，导线框具有加速度大小为

B．导线框两次匀速直线运动的速度v1:v2=4:1

C．从t1到t2的过程中，导线框克服安培力做功的大小等于电路中产生的焦耳热

D．从t1到t2的过程中，有+机械能转化为电能

高二物理选择题简单题查看答案及解析

在如图所示的倾角为θ的光滑斜面上，存在着两个磁感应强度大小均为B的强磁场区域，区域I的磁场方向垂直斜面向上，区域II的磁场方向垂直斜面向下，磁场的宽度HP及PN均为L，一个质量为m、电阻为R、边长也为L的正方形导线框，由静止开始沿斜面下滑，t1时刻ab边刚越过GH进入磁场I区域，此时导线框恰好以速度v1做匀速直线运动；t2时刻ab边下滑到JP与MN的中间位置，此时导线框又恰好以速度v2做匀速直线运动。重力加速度为g，下列说法中正确的是（　　 ）

A．当ab边刚越过JP时，导线框具有加速度大小为a=gsinθ

B．导线框两次匀速直线运动的速度v1:v2=4:1

C．从t1到t2的过程中，导线框克服安培力做功的大小等于重力势能的减少

D．从t1到t2的过程中，有+机械能转化为电能

高二物理选择题困难题查看答案及解析

如图所示，在倾角为口的光滑斜面上，存在着两个磁感应强度大小均为B的匀强磁场，区域Ⅰ磁场方向垂直斜面向下，区域Ⅱ磁场方向垂直斜面向上，磁场宽度均为L，一个质量为m，电阻为R，边长也为L的正方形线框，由静止开始下滑，沿斜面滑行一段距离后ab边刚越过ee’进入磁场区域时，恰好做匀速直线运动，若当ab边到达gg’与ff’的中间位置时，线框又恰好做匀速直线运动。求:

（1）当ab边到达gg’与ff’的中间位置时做匀速直线运动的速度v.

（2）当ab边刚越过ff’进入磁场区域Ⅱ时，线框的加速度a.

（3）线框从ab边开始进入磁场Ⅰ至ab边到达gg’与ff’的中间位置的过程中产生的热量Q.

高二物理计算题中等难度题查看答案及解析

在如图所示的倾角为θ的光滑斜面上，存在着两个磁感应强度大小均为B的匀强磁场区域，区域I的磁场方向垂直斜面向上，区域Ⅱ的磁场方向垂直斜面向下，磁场宽度均为L,一个质量为m,电阻为R,边长也为L的正方形导线框，由静止开始沿斜面下滑，t1时刻ab边刚越过CH进入磁场I区域，此时导线框恰好以速度做匀速直线运动;t2时刻ab边下滑到JP与MN的正中间位置，此时导线框又恰好以速度v2做匀速直线运动。重力加速度为g，下列说法中正确的是

A. 当ab边刚越过JP时，导线框的加速度大小为a=3gsinθ

B. 导线框两次匀速直线运动的速度v1:v2=2:1

C. 从t2开始运动到ab边到位置过程中，通过导线框的电量

D. 从t1到ab边运动到MN位置的过程中，有 机械能转化为电能

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