利用图甲所示电路研究光电效应中金属的遏制电压Uc与入射光频率v的关系，描绘出图乙中的图像，由此算出普朗克常量h，图乙中U1、v1、v0均已知，电子电荷量用e表示，当入射光的频率增大时，为了测定遏制电压，滑动变阻器的滑片P应向_________（选填“M”或“N”）端移动，由Uc-v图像可求得普朗克常量h=_________________。（用题中字母表示）。
高三物理填空题简单题
利用图甲所示电路研究光电效应中金属的遏制电压Uc与入射光频率v的关系，描绘出图乙中的图像，由此算出普朗克常量h，图乙中U1、v1、v0均已知，电子电荷量用e表示，当入射光的频率增大时，为了测定遏制电压，滑动变阻器的滑片P应向_________（选填“M”或“N”）端移动，由Uc-v图像可求得普朗克常量h=_________________。（用题中字母表示）。
高三物理填空题简单题
利用图甲所示电路研究光电效应中金属的遏制电压Uc与入射光频率v的关系，描绘出图乙中的图像，由此算出普朗克常量h，图乙中U1、v1、v0均已知，电子电荷量用e表示，当入射光的频率增大时，为了测定遏制电压，滑动变阻器的滑片P应向_________（选填“M”或“N”）端移动，由Uc-v图像可求得普朗克常量h=_________________。（用题中字母表示）。
高三物理填空题简单题查看答案及解析
美国物理学家密立根利用图示的电路研究金属的遏制电压Uc与入射光频率
的关系，描绘出图乙中的图像，由此算出普朗克常量h，电子电量用e表示，下列说法正确的是（ ）
A．入射光的频率增大，测遏制电压时，应使滑动变阻器的滑片P向M端移动
B．增大入射光的强度，光电子的最大初动能也增大
C．由Uc-图像可知，这种金属截止频率为c
D．由Uc-图像可求普朗克常量表达式为h = 
高三物理选择题中等难度题查看答案及解析
利用图甲所示电路研究光电效应中金属的遏止电压Uc与入射光频率ν的关系，描绘出图乙中的图象，由此算出普朗克常量h．图乙中U1、ν1、ν0均已知，电子电荷量用e表示．当入射光的频率增大时，为了测定遏止电压，滑动变阻器的滑片P应向______(选填“M”或“N”)端移动，由Uc─ν图象可求得普朗克常量h＝________(用题中字母表示)．
高三物理填空题简单题查看答案及解析
如图甲所示为研究某金属光电效应的电路图，图乙为采用不同频率的光照射时遏止电压
与入射光频率v的关系图，图中频率
，遏制电压
及电子的电荷量e均为已知，则下列说法正确的是
A. 普朗克常量
B. 普朗克常量
C. 该金属的截止频率为
D. 该金属的截止频率为
高三物理单选题简单题查看答案及解析
在某次光电效应实验中，得到的遏制电压Uc与入射光的频率
的关系如图所示，若该直线的斜率和截距分别为
和
，电子电荷量的绝对值为
，则普朗克常量可表示为 ，所用材料的逸出功可表示为 。
高三物理实验题中等难度题查看答案及解析
（5分）在某次光电效应实验中，得到的遏制电压
与入射光的频率
的关系如图所示，若该直线的斜率和截距分别为
和
，电子电荷量的绝对值为
，则普朗克常量可表示为，所用材料的逸出功可表示为。
高三物理填空题简单题查看答案及解析
在某次光电效应实验中，得到的遏制电压u0与入射光的频率v的关系如图所示，若该直线的斜率为k、横截距为b，电子电荷量的绝对值为e，则普朗克常量可表示为 ，所用材料的逸出功可表示为 ．
高三物理多选题简单题查看答案及解析
如图所示，某次光电效应实验中得到某金属的遏止电压Uc与入射光频率v关系图像(电子所带电荷量为e，图像中a、b为已知量)，由图像可求得( )
A. 图线斜率表示普朗克常量
B. 普朗克常量
C. 纵轴截距的绝对值表示逸出功
D. 该金属的逸出功
高三物理单选题中等难度题查看答案及解析
在某次光电效应实验中，分别用频率为
和
两种光得到的遏制电压Uc1和Uc2，电子电荷量为-e，已知>，则Uc1 Uc2（填“>”或“<”）。普朗克常量可表示为 。
高三物理填空题中等难度题查看答案及解析
高三物理解答题中等难度题查看答案及解析