霍尔元件可以用来检测磁场及其变化。图甲为使用霍尔元件测量通电直导线产生磁场的装置示意图，由...

霍尔元件可以用来检测磁场及其变化。图甲为使用霍尔元件测量通电直导线产生磁场的装置示意图，由于磁芯的作用，霍尔元件所处区域磁场可看做匀强磁场。测量原理如乙图所示，直导线通有垂直纸面向里的电流，霍尔元件前、后、左、右表面有四个接线柱，通过四个接线柱可以把霍尔元件接入电路。所用器材已在图中给出，部分电路已经连接好。为测量霍尔元件所处区域的磁感应强度B；

（1）制造霍尔元件的半导体参与导电的自由电荷带负电，电流从乙图中霍尔元件左侧流入，右侧流出，霍尔元件　　 （填“前表面”或“后表面”）电势高；

（2）在图中画线连接成实验电路图；

（3）已知霍尔元件单位体积内自由电荷数为，每个自由电荷的电荷量为，霍尔元件的厚度为，为测量霍尔元件所处区域的磁感应强度，还必须测量的物理量有　　　　 （写出具体的物理量名称及其符号），计算式　　　　 。

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用图示装置可以检测霍尔效应。利用电磁铁产生磁场，电流表检测输入霍尔元件的电流，电压表检测元件输出的电压。已知图中的霍尔元件是半导体，与金属导体不同，它内部形成电流的“载流子”是空穴，空穴可视为能自由移动的带正电的粒子。图中的1、2、3、4是霍尔元件上的四个接线端。当开关S1、S2闭合后，电流表A和电流表B、C都有明显示数，下列说法中正确的是

A. 电表B为电压表，电表C为电流表

B. 接线端4的电势低于接线端2的电势

C. 若调整电路，使通过电磁铁和霍尔元件的电流与原电流方向相反，但大小不变，则电压表的示数将保持不变

D. 若增大R1、增大R2，则电压表示数增大

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用图示装置可以检测霍尔效应。利用电磁铁产生磁场，电流表检测输入霍尔元件的电流，电压表检测元件输出的电压。已知图中的霍尔元件是半导体，与金属导体不同，它内部形成电流的“载流子”是空穴，空穴可视为能自由移动的带正电的粒子。图中的1、2、3、4是霍尔元件上的四个接线端。当开关S1、S2闭合后，电流表A和电流表B、C都有明显示数，下列说法中正确的是

A. 电表B为电压表，电表C为电流表

B. 接线端4的电势低于接线端2的电势

C. 若调整电路，使通过电磁铁和霍尔元件的电流与原电流方向相反，但大小不变，则电压表的示数将保持不变

D. 若增大R1、增大R2，则电压表示数增大

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用图示装置可以检测霍尔效应。利用电磁铁产生磁场，电流表检测输入霍尔元件的电流，电压表检测元件输出的电压。已知图中的霍尔元件是半导体，与金属导体不同，它内部形成电流的“载流子”是空穴，空穴可视为能自由移动的带正电的粒子。图中的1、2、3、4是霍尔元件上的四个接线端。当开关S1、S2闭合后，电流表A和电流表B、C都有明显示数，下列说法中正确的是

A. 电表B为电压表，电表C为电流表

B. 接线端4的电势低于接线端2的电势

C. 若调整电路，使通过电磁铁和霍尔元件的电流与原电流方向相反，但大小不变，则电压表的示数将保持不变

D. 若增大R1、增大R2，则电压表示数增大

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用图示装置可以检测霍尔效应。利用电磁铁产生磁场，电流表检测输入霍尔元件的电流，电压表检测元件输出的电压。已知图中的霍尔元件是半导体，与金属导体不同，它内部形成电流的“载流子”是空穴，空穴可视为能自由移动的带正电的粒子。图中的1、2、3、4是霍尔元件上的四个接线端。当开关S1、S2闭合后，电流表A和电表B、C都有明显示数，下列说法中正确的是（　　　 ）

A. 电表B为电流表，电表C为电压表

B. 接线端4的电势高于接线端2的电势

C. 若调整电路，使通过电磁铁和霍尔元件的电流与原电流方向相反，但大小不变，则电压表的示数将保持不变

D. 若增大R1、增大R2，则电压表示数减小

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用图示装置可以检测霍尔效应。利用电磁铁产生磁场，电流表检测输入霍尔元件的电流，电压表检测元件输出的电压，已知图中的霍尔元件是半导体，与金属导体不同，它内部形成电流的“载流子”是空穴，空穴可视为能自由移动的带正电的粒子，图中的1、2、3、4是霍尔元件上的四个接线端，当开关S1、S2闭合后，电流表A和电表B、C都有明显示数，下列说法中正确的是

A. 电表B为电压表，电表C为电流表

B. 接线端4的电势低于接线端2的电势

C. 若增大R1，则电压表示数增大

D. 若增大R2，则电压表示数减小

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用图示装置可以检测霍尔效应。利用电磁铁产生磁场，电流表检测输入霍尔元件的电流，电压表检测元件输出的电压，已知图中的霍尔元件是半导体，与金属导体不同，它内部形成电流的“载流子”是空穴，空穴可视为能自由移动的带正电的粒子，图中的1、2、3、4是霍尔元件上的四个接线端，当开关S1、S2闭合后，电流表A和电表B、C都有明显示数，下列说法中正确的是

A. 电表B为电压表，电表C为电流表

B. 接线端4的电势低于接线端2的电势

C. 若增大R1，则电压表示数增大

D. 若增大R2，则电压表示数减小

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霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴方向的磁场，磁感应强度、k均为常数将传感器固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变方向如图所示，当物体沿z轴方向移动时，由于位置不同，霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同则　　

A. 传感器灵敏度与上、下表面的距离有关

B. 当物体沿z轴方向移动时，上、下表面的电势差U变小

C. 传感器灵敏度与通过的电流有关

D. 若图中霍尔元件是电子导电，则下板电势高

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霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴方向的磁场，磁感应强度、k均为常数将传感器固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变方向如图所示，当物体沿z轴方向移动时，由于位置不同，霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同则　　

A. 传感器灵敏度与上、下表面的距离有关

B. 当物体沿z轴方向移动时，上、下表面的电势差U变小

C. 传感器灵敏度与通过的电流有关

D. 若图中霍尔元件是电子导电，则下板电势高

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霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场，磁感应强度B=B₀+kz(B₀、k均为常数)。将霍尔元件固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图9所示)，当物体沿z轴正方向平移时，由于位置不同，霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同。则    (    )

A.磁感应强度B越大，上、下表面的电势差U越大

B.k越大，传感器灵敏度()越高

C.若图中霍尔元件是电子导电，则下板电势高

D.电流越大，上、下表面的电势差U越小

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