如图所示，相距为d的两水平虚线分别是水平向里的匀强磁场的边界，磁场的磁感应强度为B，正方形...

如图所示，相距为d的两水平虚线分别是水平向里的匀强磁场的边界，磁场的磁感应强度为B，正方形线框abcd边长为L(L<d)、质量为m.将线框在磁场上方高h处由静止开始释放，当ab边进入磁场时速度为v0，cd边刚穿出磁场时速度也为v0.从ab边刚进入磁场到cd边刚穿出磁场的整个过程中(　　)

A. 线框一直都有感应电流

B. 线框有一阶段的加速度为g

C. 线框产生的热量为mg(d＋h＋L)

D. 线框一直加速运动

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如图所示，相距为d的两水平虚线p1、p2表示方向垂直纸面向里的匀强磁场的上下边界，磁场的磁感应强度为B。正方形线框abcd的边长为L（L<d）、质量为m、电阻为R，线框处在磁场正上方，ab边与虚线p1相距h。线框由静止释放，下落过程中线框平面始终在竖直平面内，线框的ab边刚进人磁场时的速度和ab边刚离开磁场时的速度相同。在线框从进入到全部穿过磁场的过程中，下列说法正确的是（　　 ）

A．线框克服安培力所做的功为2mgd

B．线框克服安培力所做的功为mg（L+d）

C．线框的最小速度为

D．线框的最小速度为

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如图所示，相距为d的两水平虚线p₁、p₂表示方向垂直纸面向里的匀强磁场中的上下边界，磁场的磁感应强度为B.正方形abcd的边长为L（L<d）、质量为m、电阻为R，线框处在磁场正上方，ab边与虚线p₁相距h.线框由静止释放，下落过程中线框平面始终在竖直平面内，线框的ab边刚进入磁场时的速度和ab边刚离开磁场时的速度相同.在线框从进入到全部穿过磁场的过程中，下落说法正确的是

A.线框克服安培力所做的功为2mgd

B.线框克服安培力所做的功为mgd

C.线框的最小速度为错误！未找到引用源。

D.线框的最小速度为错误！未找到引用源。

高三物理选择题简单题查看答案及解析

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如图所示，相距为d的两水平直线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界，磁场的磁感应强度为B，均匀材质制成的正方形线框abcd边长为L(L＜d)，质量为m，总电阻为R。现将线框从在磁场上方ab边距L1为h处由静止开始释放，ab边刚进入磁场时速度与刚穿出磁场时速度相同。则以下说法正确的是

A. ab边刚进入磁场时a点的电势低于b点电势

B. 线框进入磁场过程可能先加速后匀速运动

C. 线框穿过磁场区域过程产生的焦耳热为2mgd

D. 线框从刚下落到cd边刚进入磁场的时间t>

高三物理多选题中等难度题查看答案及解析

如图所示，相距为 d 的两水平线 和分别是水平向里的匀强磁场的边界，磁场的磁感应强度 为 B，正方形线框 abcd 边长为 L（L<d）、质量为 m，电阻为 R。将线框在磁场上方高 h 处由静止释放， ab 边刚进入磁场和穿出磁场时的速度恰好相等。则在线框全部穿过磁场的过程中（ ）

A. ab 边刚进入磁场时 ab 两端的电势差为

B. 感应电流所做功为 mgd

C. 感应电流所做功为 2mgd

D. 线框最小速度为

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如图所示，相距为d的两水平线L₁和L₂分别是水平向里的匀强磁场的边界，磁场的磁感应强度为B，正方形线框abcd边长为L(L<d)、质量为m。将线框在磁场上方高h处由静止开始释放，当ab边进入磁场时速度为v₀，cd边刚穿出磁场时速度也为v₀，从ab边刚进入磁场到cd边刚穿出磁场的整个过程中(     )

A．线框一直都有感应电流    　 B．线框有一阶段的加速度为g

C．线框产生的热量为mg(d+h+L)  D．线框有一阶段经历减速运动

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如图所示，相距为d的两水平线和分别是水平向里的匀强磁场的边界，磁场的磁感应强度为B，正方形线框abcd边长为L（L<d）、质量为m，电阻为R。将线框在磁场上方高h处由静止释放，ab边刚进入磁场和穿出磁场时的速度都为。在线框全部穿过磁场的过程中

A．感应电流所做功为

B．感应电流所做功为

C．线框产生的热量为

D．线框最小速度一定为

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如图所示，相距为d的两水平线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界，磁场的磁感应强度为B，正方形线框abcd边长为L（L<d）、质量为m，电阻为R。将线框在磁场上方高h处由静止释放，ab边刚进入磁场和穿出磁场时的速度恰好相等。则在线框全部穿过磁场的过程中

A．ab边刚进入磁场时ab两端的电势差为BL

B．感应电流所做功为mgd

C．感应电流所做功为2mgd

D．线框最小速度为

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