如图所示,虚线abcd为矩形匀强磁场区域,磁场方向竖直向下,圆形闭合金属线圈以某初速度沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动。图乙给出的是圆形闭合金属线圈的四个可能到达的位置,不计空气阻力,下列说法正确的是( )
A. ①位置线圈中感应电流方向为顺时针
B. ②位置线圈中一定没有感应电流
C. ①④位置线圈的速度可能为零
D. ②③位置线圈的速度可能为零
高三物理多选题中等难度题
如图所示,虚线abcd为矩形匀强磁场区域,磁场方向竖直向下,圆形闭合金属线圈以某初速度沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动。图乙给出的是圆形闭合金属线圈的四个可能到达的位置,不计空气阻力,下列说法正确的是( )
A. ①位置线圈中感应电流方向为顺时针
B. ②位置线圈中一定没有感应电流
C. ①④位置线圈的速度可能为零
D. ②③位置线圈的速度可能为零
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如图所示,虚线框a′b′c′d′内有一匀强磁场区域,
磁场方向竖直向下.矩形闭合金属线框abcd以一定的速度
沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动.图4中所给出的是金属
框的四个可能达到的位置,则金属框的速度不可能为零的位
置是 ( )
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如图3所示,虚线框a′b′c′d′内有一匀强磁场区域,磁场方向竖直向下.矩形闭合金属线框abcd以一定的速度沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动.图4中所给出的是金属框的四个可能达到的位置,则金属框的速度不可能为零的位置是 ( )
高三物理选择题简单题查看答案及解析
如图1所示,虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界,磁场宽度为L,方向竖直向下。边长为l的正方形闭合金属线框abcd,以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动,经过一段时间线框通过了磁场区域。已知l<L,甲、乙两位同学对该过程进行了分析,当线框的ab边与MN重合时记为t=0,分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线,如图2、图3所示,图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积。关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系,下列说法正确的是
A.图2正确,且S1>S2 B.图2正确,且S1=S2
C.图3正确,且S3>S4 D.图3正确,且S3=S4
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如图1所示,虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界,磁场宽度为L,方向竖直向下。边长为l的正方形闭合金属线框abcd,以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动,经过一段时间线框通过了磁场区域。已知l<L,甲、乙两位同学对该过程进行了分析,当线框的ab边与MN重合时记为t=0,分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线,如图2、图3所示,图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积。关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系,下列说法正确的是
A.图2正确,且S1>S2 B.图2正确,且S1=S2
C.图3正确,且S3>S4 D.图3正确,且S3=S4
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如图所示,金属线框 abcd 置于光滑水平桌面上,其右方存在一个有理想边界的方向竖直向下的矩形匀强磁场区,磁场宽度大于线圈宽度。金属线框以速度v0开始向右运动最终穿过磁场区域,ab 边始终保持与磁场边界平行,则在线框进入磁场区域和离开磁场区域过程
A.线框受到的安培力方向相同
B.线框受到的安培力大小相同
C.通过线框导体横截面的电量相同
D.线框中产生的热量相同
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