如图3所示，虚线框a′b′c′d′内有一匀强磁场区域，磁场方向竖直向下．矩形闭合金属线框abcd以一定的速度沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动．图4中所给出的是金属框的四个可能达到的位置，则金属框的速度不可能为零的位置是 ( )
高三物理选择题简单题
如图3所示，虚线框a′b′c′d′内有一匀强磁场区域，磁场方向竖直向下．矩形闭合金属线框abcd以一定的速度沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动．图4中所给出的是金属框的四个可能达到的位置，则金属框的速度不可能为零的位置是 ( )
高三物理选择题简单题
如图所示，虚线框a′b′c′d′内有一匀强磁场区域，
磁场方向竖直向下．矩形闭合金属线框abcd以一定的速度
沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动．图4中所给出的是金属
框的四个可能达到的位置，则金属框的速度不可能为零的位
置是 ( )
高三物理选择题中等难度题查看答案及解析
如图3所示，虚线框a′b′c′d′内有一匀强磁场区域，磁场方向竖直向下．矩形闭合金属线框abcd以一定的速度沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动．图4中所给出的是金属框的四个可能达到的位置，则金属框的速度不可能为零的位置是 ( )
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如图所示，虚线abcd为矩形匀强磁场区域，磁场方向竖直向下，圆形闭合金属线圈以某初速度沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动。图乙给出的是圆形闭合金属线圈的四个可能到达的位置，不计空气阻力，下列说法正确的是（ ）
A. ①位置线圈中感应电流方向为顺时针
B. ②位置线圈中一定没有感应电流
C. ①④位置线圈的速度可能为零
D. ②③位置线圈的速度可能为零
高三物理多选题中等难度题查看答案及解析
如图1所示，虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界，磁场宽度为L，方向竖直向下。边长为l的正方形闭合金属线框abcd，以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动，经过一段时间线框通过了磁场区域。已知l<L，甲、乙两位同学对该过程进行了分析，当线框的ab边与MN重合时记为t=0，分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线，如图2、图3所示，图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积。关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系，下列说法正确的是
A．图2正确，且S1>S2 B．图2正确，且S1=S2
C．图3正确，且S3>S4 D．图3正确，且S3=S4
高三物理单选题中等难度题查看答案及解析
如图1所示，虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界，磁场宽度为L，方向竖直向下。边长为l的正方形闭合金属线框abcd，以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动，经过一段时间线框通过了磁场区域。已知l<L，甲、乙两位同学对该过程进行了分析，当线框的ab边与MN重合时记为t=0，分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线，如图2、图3所示，图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积。关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系，下列说法正确的是
A．图2正确，且S1>S2 B．图2正确，且S1=S2
C．图3正确，且S3>S4 D．图3正确，且S3=S4
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如图所示，金属线框 abcd 置于光滑水平桌面上，其右方存在一个有理想边界的方向竖直向下的矩形匀强磁场区，磁场宽度大于线圈宽度。金属线框以速度v0开始向右运动最终穿过磁场区域，ab 边始终保持与磁场边界平行，则在线框进入磁场区域和离开磁场区域过程
A.线框受到的安培力方向相同
B.线框受到的安培力大小相同
C.通过线框导体横截面的电量相同
D.线框中产生的热量相同
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高三物理填空题中等难度题查看答案及解析
（12分）如图甲所示，空间存在一有界匀强磁场，磁场的左边界如虚线所示，虚线右侧足够大区域存在磁场，磁场方向竖直向下．在光滑绝缘水平面内有一长方形金属线框， ab边长为l=0.2m,线框质量m=0.1kg、电阻R=0.1Ω，在水平向右的外力F作用下，以初速度v0=1m/s匀加速进入磁场，外力F大小随时间t变化的图线如图乙所示．以线框右边刚进入磁场时开始计时，求：
（1）匀强磁场的磁感应强度B
（2）线框进入磁场的过程中，通过线框的电荷量q；
（3）若线框进入磁场过程中F做功为WF=0.27J，求在此过程中线框产生的焦耳热Q。
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如图所示，空间存在一有界匀强磁场，磁场的左边界如虚线所示，虚线右侧足够大区域存在磁场，磁场方向竖直向下，在光滑绝缘水平面内有一长方形金属线框，ab边长为L=0.2m，线框质量m=0.1kg，电阻R=0.1Ω，在水平向右的外力F作用下，以初速度
=1m/s匀加速进入磁场，外力F大小随时间t变化的图线如图所示，以线框右边刚进入磁场时开始计时，求：
（1）匀强磁场的磁感应强度B；
（2）线框进入磁场的过程中，通过线框的电荷量；
（3）若线框进入磁场过程中F做功为
=0.27J，求在此过程中线框产生的焦耳热Q。
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