已知X、Y、Z、W原子序数都不超过18，它们的离子aX (n+1)+、bY n+、cZ (...

已知A、B、C、D的原子序数都不超过18，它们的离子aAm+、bBn+ 、cCm- 、dDn- （m＞n）均具有相同的电子层结构，则下列叙述正确的是 （　　 ）

A．原子序数：a＞b＞c＞d

B．离子半径：aAm+＞bBn+＞cCm-＞dDn-

C．离子还原性：aA（n+1）+ ＞bBn+，离子氧化性：cCm- ＞dDn-

D．单质还原性：B＞A，单质氧化性：D＞C

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已知X、Y、Z、W原子序数都不超过18，它们的离子aX（n+1）+、bYn+、cZ（n+1）﹣、dWn﹣具有相同的电子层结构，则下列说法正确的是（　　　 ）

A. 原子序数：a＞b＞c＞d

B. 离子半径：X（n+1）+＞Yn+＞Z（n+1）﹣＞Wn﹣

C. 离子氧化性：X（n+1）+＞Yn+

D. 单质氧化性：Z＞W

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已知A、B、C、D的原子序数都不超过18，它们的离子_aA^（n+1）+ 、_bBⁿ⁺ 、_cC^（n+1）- 、_dD^n- 均具有相同的电子层结构，则下列叙述正确的是

A．原子序数：a＞b＞c＞d

B．离子半径：A（n+1）+＞Bn+＞C（n+1）-＞Dn^-

C．离子还原性：A（n+1）+＞Bn+，离子氧化性：C（n+1）-＞Dn^-

D．单质还原性：B＞A，单质氧化性：D＞C

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已知A、B、C、D的原子序数都不超过18，它们的离子aAm+、bBn+ 、cCm- 、dDn- （m＞n）均具有相同的电子层结构，则下列叙述正确的是

A.原子序数：a＞b＞c＞d B.离子半径：aAm+＞bBn+＞cCm-＞dDn-

C.离子还原性：aAm+ ＞bBn+，离子氧化性：cCm- ＞dDn- D.单质还原性：B＞A，单质氧化性：D＞C

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已知A、B、C、D的原子序数都不超过18，它们的离子_aA^(n＋1)＋、_bB^n＋、_cC^(n＋1)－、_dD^n－均具有相同的电子层结构，则下列叙述正确的是 (　　)

A．原子序数：a＞b＞c＞d

B．离子半径：A^(n＋1)＋＞B^n＋＞C^(n＋1)－＞D^n－

C．离子还原性：A^(n＋1)＋＞B^n＋，离子氧化性：C^(n＋1)－＞D^n－

D．单质还原性：B＞A，单质氧化性：D＞C

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已知A、B、C、D的原子序数都不超过18，它们的离子_aA^(n＋1)＋、_bB^n＋、_cC^(n＋1)－、_dD^n－均具有相同的电子层结构，则下列叙述正确的是(　　)

A．原子序数：a＞b＞c＞d

B．离子半径：A^(n＋1)＋＞B^n＋＞C^(n＋1)－＞D^n－

C．离子还原性：A^(n＋1)＋＞B^n＋，离子氧化性：C^(n＋1)－＞D^n－

D．单质还原性：B＞A，单质氧化性：D＞C

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已知A、B、C、D的原子序数都不超过18，它们的离子aA（n+1）+、bBn+、cC（n+1）-、dDn-均具有相同的电子层结构，则下列叙述正确的是(　　　 )

A．原子序数：a＞b＞c＞d

B．离子半径：A（n+1）+＞Bn+＞C（n+1）-＞Dn-

C．原子半径：A＞B＞C＞D

D．单质还原性：B＞A，单质氧化性：D＞C

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已知A、B、C、D的原子序数都不超过18，它们的离子_aA⁽ⁿ⁺¹⁾⁺、_bBⁿ⁺、_cC^(n+1)-、_dD^n-具有相同的电子层结构，则下列说法正确的是（    ）

A．原子序数：a＞b＞c＞d

B．离子半径：A⁽ⁿ⁺¹⁾⁺＞Bⁿ⁺＞C^(n+1)-＞D^n-

C．离子还原性：A⁽ⁿ⁺¹⁾⁺＞Bⁿ⁺    离子氧化性：C^(n+1)-＞D^n-

D．单质还原性：B＞A        单质氧化性：D＞C

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