用矩形半导体薄片制成一个霍尔元件，E、F、M、N为其四个侧面。在E、F间通入恒定电流，同时...

用矩形半导体薄片制成一个霍尔元件，E、F、M、N为其四个侧面。在E、F间通入恒定电流，同时外加与薄片上下表面垂直的匀强磁场，电流和磁感应强度B的方向如图所示。若半导体可自由移动电荷为正电荷，M、N间产生的电势差为UH。下列说法正确的是

A. N板电势高于M板电势

B. N板电势低于M板电势

C. 只增大磁感应强度B，则UH变大

D. 只增大通入霍尔元件的电流I，则UH变大

高三物理多选题中等难度题查看答案及解析

高三物理解答题中等难度题查看答案及解析

(19分)在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件(如图)，在E、F间通人恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现了电压U_H，称为霍尔电压。

（1）电流和磁场方向如图中所示，载流子是电子，M、N两端中哪端电势较高?

（2）试证明： ，K为与材料有关的常量。

（3）为了提高霍尔元件的灵敏度，可采用哪些方法?[

高三物理计算题简单题查看答案及解析

在一个很小的厚度为d的矩形半导体薄片上，制作四个电极 E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件，如图所示。在E、F间通入恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，则薄片中的载流子（形成电流的自由电荷）就在洛伦兹力的作用下，向着与电流和磁场都垂直的方向漂移，使M、N 间出现了电压，称为霍尔电压UH。可以证明UH=kIB/d，k为霍尔系数，它的大小与薄片的材料有关。下列说法正确的是

A. 若M的电势高于N的电势，则载流子带正电

B. 霍尔系数k较大的材料，其内部单位体积内的载流子数目较多

C. 借助霍尔元件能够把电压表改装成磁强计（测定磁感应强度）

D. 霍尔电压UH越大，载流子受到磁场的洛仑兹力越小

高三物理单选题中等难度题查看答案及解析

在一个很小的厚度为d的矩形半导体薄片上，制作四个电极 E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件，如图所示。在E、F间通入恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，则薄片中的载流子（形成电流的自由电荷）就在洛伦兹力的作用下，向着与电流和磁场都垂直的方向漂移，使M、N 间出现了电压，称为霍尔电压UH。可以证明UH=kIB/d，k为霍尔系数，它的大小与薄片的材料有关。下列说法正确的是

A. 若M的电势高于N的电势，则载流子带正电

B. 霍尔系数k较大的材料，其内部单位体积内的载流子数目较多

C. 借助霍尔元件能够把电压表改装成磁强计（测定磁感应强度）

D. 霍尔电压UH越大，载流子受到磁场的洛仑兹力越小

高三物理单选题中等难度题查看答案及解析

在一个很小的厚度为d的矩形半导体薄片上，制作四个电极 E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件，如图所示。在E、F间通入恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，则薄片中的载流子（形成电流的自由电荷）就在洛伦兹力的作用下，向着与电流和磁场都垂直的方向漂移，使M、N 间出现了电压，称为霍尔电压UH。可以证明UH=kIB/d，k为霍尔系数，它的大小与薄片的材料有关。下列说法正确的是

A. 若M的电势高于N的电势，则载流子带正电

B. 霍尔系数k较大的材料，其内部单位体积内的载流子数目较多

C. 借助霍尔元件能够把电压表改装成磁强计（测定磁感应强度）

D. 霍尔电压UH越大，载流子受到磁场的洛仑兹力越小

高三物理单选题中等难度题查看答案及解析

在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，做成了一个霍尔元件，在E、F间通入恒定电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，M、N间的电压为UH．已知半导体薄片中的载流子为正电荷，电流与磁场的方向如图所示，下列说法正确的有（　　）

A. N板电势高于M板电势

B. 磁感应强度越大，MN间电势差越大

C. 将磁场方向变为与薄片的上、下表面平行，UH不变

D. 将磁场和电流分别反向，N板电势低于M板电势

高三物理多选题困难题查看答案及解析

在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，做成了一个霍尔元件，在E、F间通入恒定电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，M、N间的电压为UH．已知半导体薄片中的载流子为正电荷，电流与磁场的方向如图所示，下列说法正确的有（　　）

A. N板电势高于M板电势

B. 磁感应强度越大，MN间电势差越大

C. 将磁场方向变为与薄片的上、下表面平行，UH不变

D. 将磁场和电流分别反向，N板电势低于M板电势

高三物理多选题困难题查看答案及解析

在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，做成了一个霍尔元件，在E、F间通入恒定电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，M、N间的电压为UH．已知半导体薄片中的载流子为正电荷，电流与磁场的方向如图所示，下列说法正确的有（　　）

A. N板电势高于M板电势

B. 磁感应强度越大，MN间电势差越大

C. 将磁场方向变为与薄片的上、下表面平行，UH不变

D. 将磁场和电流分别反向，N板电势低于M板电势

高三物理多选题困难题查看答案及解析

在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，做成了一个霍尔元件，在E、F间通入恒定电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，M、N间的电压为UH．已知半导体薄片中的载流子为正电荷，电流与磁场的方向如图所示，下列说法正确的有（　　）

A. N板电势高于M板电势

B. 磁感应强度越大，MN间电势差越大

C. 将磁场方向变为与薄片的上、下表面平行，UH不变

D. 将磁场和电流分别反向，N板电势低于M板电势

高三物理多选题困难题查看答案及解析