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在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件（如图），在E、F间通入恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现了电压U_H，称为霍尔电压．
（1）电流和磁场方向如图中所示，载流子是电子，M、N两端中哪端电势较高？
（2）试证明：U_H=K

，K为与材料有关的常量．
（3）为了提高霍尔元件的灵敏度，可采用哪些方法？

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在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，做成了一个霍尔元件，在E、F间通入恒定电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，M、N间的电压为UH．已知半导体薄片中的载流子为正电荷，电流与磁场的方向如图所示，下列说法正确的有（　　）
A. N板电势高于M板电势
B. 磁感应强度越大，MN间电势差越大
C. 将磁场方向变为与薄片的上、下表面平行，UH不变
D. 将磁场和电流分别反向，N板电势低于M板电势

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在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，做成了一个霍尔元件，在E、F间通入恒定电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，M、N间的电压为UH．已知半导体薄片中的载流子为正电荷，电流与磁场的方向如图所示，下列说法正确的有（　　）
A. N板电势高于M板电势
B. 磁感应强度越大，MN间电势差越大
C. 将磁场方向变为与薄片的上、下表面平行，UH不变
D. 将磁场和电流分别反向，N板电势低于M板电势

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A. N板电势高于M板电势
B. 磁感应强度越大，MN间电势差越大
C. 将磁场方向变为与薄片的上、下表面平行，UH不变
D. 将磁场和电流分别反向，N板电势低于M板电势

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A. N板电势高于M板电势
B. 磁感应强度越大，MN间电势差越大
C. 将磁场方向变为与薄片的上、下表面平行，UH不变
D. 将磁场和电流分别反向，N板电势低于M板电势

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A. N板电势高于M板电势
B. 磁感应强度越大，MN间电势差越大
C. 将磁场方向变为与薄片的上、下表面平行，UH不变
D. 将磁场和电流分别反向，N板电势低于M板电势

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在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件（如图），在E、F间通入恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现了电压U_H，称为霍尔电压．
（1）电流和磁场方向如图中所示，载流子是电子，M、N两端中哪端电势较高？
（2）试证明：U_H=K，K为与材料有关的常量．
（3）为了提高霍尔元件的灵敏度，可采用哪些方法？

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(19分)在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件(如图)，在E、F间通人恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现了电压U_H，称为霍尔电压。
（1）电流和磁场方向如图中所示，载流子是电子，M、N两端中哪端电势较高?
（2）试证明：，K为与材料有关的常量。
（3）为了提高霍尔元件的灵敏度，可采用哪些方法?[

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在一个很小的厚度为d的矩形半导体薄片上，制作四个电极 E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件，如图所示。在E、F间通入恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，则薄片中的载流子（形成电流的自由电荷）就在洛伦兹力的作用下，向着与电流和磁场都垂直的方向漂移，使M、N 间出现了电压，称为霍尔电压UH。可以证明UH=kIB/d，k为霍尔系数，它的大小与薄片的材料有关。下列说法正确的是
A. 若M的电势高于N的电势，则载流子带正电
B. 霍尔系数k较大的材料，其内部单位体积内的载流子数目较多
C. 借助霍尔元件能够把电压表改装成磁强计（测定磁感应强度）
D. 霍尔电压UH越大，载流子受到磁场的洛仑兹力越小

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A. 若M的电势高于N的电势，则载流子带正电
B. 霍尔系数k较大的材料，其内部单位体积内的载流子数目较多
C. 借助霍尔元件能够把电压表改装成磁强计（测定磁感应强度）
D. 霍尔电压UH越大，载流子受到磁场的洛仑兹力越小

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A. 若M的电势高于N的电势，则载流子带正电
B. 霍尔系数k较大的材料，其内部单位体积内的载流子数目较多
C. 借助霍尔元件能够把电压表改装成磁强计（测定磁感应强度）
D. 霍尔电压UH越大，载流子受到磁场的洛仑兹力越小

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