如图所示,离子源产生的正离子由离子源飞出时的速度可忽略不计,离子离开离子源后进入一加速电压为的加速电场,加速后从偏转电场中央射入偏转电场,偏转电场极板间的距离为,极板长为,忽略离子的重力,试计算离子恰好能射出偏转电场时的偏转电压。
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如图所示,离子源产生的正离子由离子源飞出时的速度可忽略不计,离子离开离子源后进入一加速电压为的加速电场,加速后从偏转电场中央射入偏转电场,偏转电场极板间的距离为,极板长为,忽略离子的重力,试计算离子恰好能射出偏转电场时的偏转电压。
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如图甲所示,离子源在源源不断地产生正离子(质量为m,电量为q),离子由离子源飞出时的速度可以忽略不计,离子离开离子源后进入一加速电压为U0的加速电场,偏转电场两极板M、N正对且板间距为d,极板长L=d,紧挨偏转极板右侧空间有一宽度L=d的长条形区域,区域内有垂直于纸面向里的匀强磁场。在偏转电场的两板间接一周期为T的变化电压,如图乙所示。离子经过加速电场加速后从两板中央垂直进入偏转电场,已知离子穿越偏转极板过程所用时间非常短,可认为在这段时间内加在M、N板上的电压不变。不计离子的重力以及离子间的相互作用力。求:
(1)离子刚进入偏转电场时的速度v0多大;
(2)在一个周期内,有离子从偏转极板射出的时间为多少;
(3)为使从偏转极板射出的离子不从磁场的右边界射出,磁感应强度至少为多大。
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初速度为零的正离子经加速电场后进入偏转电场,进入时速度与偏转电场方向垂直。若加速电压为U1,偏转电压为U2,要使离子在偏转电场中沿电场方向偏移量y变为2y,可采用以下哪些办法(设各种情况均能射出电场) ( )
A、只使U1变为原来的一半
B、只使U2变为原来的两倍
C、只使偏转极板间距减为原来的一半
D、只使偏转极板长度变为原来的两倍
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如图甲所示,热电子由阴极飞出时的初速度忽略不计,电子发射装置的加速电压为,偏转电场板间距离L=8cm,极板长为2L,下极板接地,偏转电场极板右端到荧光的距离也是2L,在两极板间接有一交变电压,电压变化周期T=4s,上极板的电热随时间变化的图像如图乙所示,大量电子从偏转电场中央持续射入,穿过平行板的时间都时间极短,可认为电子穿过平行板的过程中电压是不变的。
(1)求电子进入偏转电场时的速度(用电子比荷,加速电压表示);
(2)在电势变化的每个周期内荧光屏会出现“黑屏”现象,即无电子击中屏幕,求每个周期内的“黑屏”时间多长?
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如图所示,设电子刚刚离开金属丝时的速度可忽略不计,经加速电场加速后,沿平行于板面的方向射入偏转电场,并从另一侧射出。已知电子质量为m,电荷量为e,加速电场电压为U0。偏转电场可看做匀强电场,极板间电压为U,极板长度为L,板间距为d,不计电子所受重力。求:
(1)电子射入偏转电场时初速度的大小;
(2)电子从偏转电场射出时沿垂直板面方向的偏转距离y。
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一电子电量大小为e、质量为m,从静止经电压U加速后,垂直场强方向射入一匀强电场。已知产生偏转电场的平行金属板长为L、场强为E;若电子能够飞出偏转电场,求电子刚离开偏转电场时速度的大小和方向?
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(16分)、如图所示,离子发生器发射出一束质量为m,电荷量为q的离子,从静止经加速电压U1加速后,获得速度,并沿垂直于电场线方向射入两平行板中央,受偏转电压U2作用后,以速度离开电场,已知平行板长为,两板间距离为d,求:
①的大小和离子在偏转电场中运动时间
②离子在偏转电场中受到的电场力的大小F和离子在偏转电场中的加速度
③离子在离开偏转电场时的横向速度和离子在离开偏转电场时的速度的大小
④离子在离开偏转电场时的偏转量y和离子离开偏转电场时的偏转角θ的正切值tanθ
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(14分)如图所示,离子发生器发射出一束质量为m,电荷量为q的离子,从静止经加速电压U1加速后,获得速度,并沿垂直于电场线方向射入两平行板中央,受偏转电压U2作用后,以速度离开电场,已知平行板长为,两板间距离为d,求:
①的大小;
②离子在偏转电场中运动时间;
③离子在偏转电场中受到的电场力的大小F;
④离子在偏转电场中的加速度;
⑤离子在离开偏转电场时的横向速度;
⑥离子在离开偏转电场时的速度的大小;
⑦离子在离开偏转电场时的横向偏移量y;
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如图所示,离子发生器发射出一束质量为m,电荷量为q的离子,从静止经加速电压U1加速后,获得速度,并沿垂直于电场线方向射入两平行板中央,受偏转电压U2作用后,以速度离开电场,已知平行板长为,两板间距离为d,求:
①的大小;
② 离子在偏转电场中运动时间;
③ 离子在偏转电场中受到的电场力的大小F;
④ 离子在偏转电场中的加速度;
⑤ 离子在离开偏转电场时的横向速度;
⑥ 离子在离开偏转电场时的速度的大小;
⑦ 离子在离开偏转电场时的横向偏移量y;
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