氮化镓(GaN)被称为第三代半导体材料，其应用取得了突破性的进展。一种镍催化法生产GaN的工艺如图：
(1)“热转化”时Ga转化为GaN的化学方程式是_____。
(2)“酸浸”的目的是_____，“操作Ⅰ”中包含的操作是_____。
某学校化学兴趣小组在实验室利用图装置模拟制备氮化镓：
(3)仪器X中的试剂是_____，仪器Y的名称是_____，装置G的作用是_____。
(4)加热前需先通入一段时间的H2，原因是_____。
(5)取某GaN样品m克溶于足量热NaOH溶液，发生反应 GaN+OH﹣+H2O
GaO2-+NH3↑，用H3BO2溶液将产生的NH3完全吸收，滴定吸收液时消耗浓度为c mol/L的盐酸V mL，则样品的纯度是_____。（已知：NH3+H3BO3=NH3•H3BO3；NH3•H3BO3+HCl=NH4Cl+H3BO3）
(6)科学家用氮化镓材料与铜组装成如图所示的人工光合系统，成功地实现了用CO2和H2O合成CH4，请写出铜极的电极反应式_____。
高三化学实验题中等难度题
氮化镓(GaN)被称为第三代半导体材料，其应用取得了突破性的进展。一种镍催化法生产GaN的工艺如图：
(1)“热转化”时Ga转化为GaN的化学方程式是_____。
(2)“酸浸”的目的是_____，“操作Ⅰ”中包含的操作是_____。
某学校化学兴趣小组在实验室利用图装置模拟制备氮化镓：
(3)仪器X中的试剂是_____，仪器Y的名称是_____，装置G的作用是_____。
(4)加热前需先通入一段时间的H2，原因是_____。
(5)取某GaN样品m克溶于足量热NaOH溶液，发生反应 GaN+OH﹣+H2OGaO2-+NH3↑，用H3BO2溶液将产生的NH3完全吸收，滴定吸收液时消耗浓度为c mol/L的盐酸V mL，则样品的纯度是_____。（已知：NH3+H3BO3=NH3•H3BO3；NH3•H3BO3+HCl=NH4Cl+H3BO3）
(6)科学家用氮化镓材料与铜组装成如图所示的人工光合系统，成功地实现了用CO2和H2O合成CH4，请写出铜极的电极反应式_____。
高三化学实验题中等难度题查看答案及解析
氮化镓(GaN)被称为第三代半导体材料，其应用已经取得了突破性的进展。
已知：（i）氮化镓性质稳定，不与水、酸反应，只在加热时溶于浓碱。
（ii）NiCl2 溶液在加热时，先转化为Ni(OH)2，后分解为NiO。
（iii）制备氮化镓的反应为：2Ga+2NH3
2GaN+3H2
某学校化学兴趣小组实验室制备氮化镓，设计实验装置如图所示：
设计实验步骤如下：
①滴加几滴NiCl2 溶液润湿金属镓粉末，置于反应器内。
②先通入一段时间后的H2，再加热。
③停止通氢气，改通入氨气，继续加热一段时间。
④停止加热，继续通入氨气,直至冷却。
⑤将反应器内的固体转移到盛有盐酸的烧杯中，充分反应过滤、洗涤、干燥。
（1）仪器X中的试剂是___________，仪器Y的名称是__________________。
（2）指出该套装置中存在一处明显的错误是________________________。
（3）步骤①中选择NiCl2 溶液，不选择氧化镍的原因是____________________。
a.增大接触面积，加快化学反应速率
b使镍能均匀附着在镓粉的表面，提高催化效率
c.为了能更好形成原电池，加快反应速率
（4）步骤③中制备氮化镓，则判断该反应接近完成时观察到的现象是____________________。
（5）请写出步骤⑤中检验产品氮化镓固体洗涤干净的操作________________________。
（6）镓元素与铝同族，其性质与铝类似，请写出氮化镓溶于热NaOH溶液的离子方程式：______________________。
高三化学综合题中等难度题查看答案及解析
氮化镓(GaN)被称为第三代半导体材料，其应用已经取得了突破性的进展。
已知：（i）氮化镓性质稳定，不与水、酸反应，只在加热时溶于浓碱。
（ii）NiCl2 溶液在加热时，先转化为Ni(OH)2，后分解为NiO。
（iii）制备氮化镓的反应为：2Ga+2NH32GaN+3H2
某学校化学兴趣小组实验室制备氮化镓，设计实验装置如图所示：
设计实验步骤如下：
①滴加几滴NiCl2 溶液润湿金属镓粉末，置于反应器内。
②先通入一段时间后的H2，再加热。
③停止通氢气，改通入氨气，继续加热一段时间。
④停止加热，继续通入氨气,直至冷却。
⑤将反应器内的固体转移到盛有盐酸的烧杯中，充分反应过滤、洗涤、干燥。
（1）仪器X中的试剂是___________，仪器Y的名称是__________________。
（2）指出该套装置中存在一处明显的错误是________________________。
（3）步骤①中选择NiCl2 溶液，不选择氧化镍的原因是____________________。
a.增大接触面积，加快化学反应速率
b使镍能均匀附着在镓粉的表面，提高催化效率
c.为了能更好形成原电池，加快反应速率
（4）步骤③中制备氮化镓，则判断该反应接近完成时观察到的现象是____________________。
（5）请写出步骤⑤中检验产品氮化镓固体洗涤干净的操作________________________。
（6）镓元素与铝同族，其性质与铝类似，请写出氮化镓溶于热NaOH溶液的离子方程式：______________________。
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氮化镓(GaN)被称为第三代半导体材料，其应用已经取得了突破性的进展。
已知：（i）氮化镓性质稳定，不与水、酸反应，只在加热时溶于浓碱。
（ii）NiCl2 溶液在加热时，先转化为Ni(OH)2，后分解为NiO。
（iii）制备氮化镓的反应为：2Ga+2NH32GaN+3H2
某学校化学兴趣小组实验室制备氮化镓，设计实验装置如图所示：
设计实验步骤如下：
①滴加几滴NiCl2 溶液润湿金属镓粉末，置于反应器内。
②先通入一段时间后的H2，再加热。
③停止通氢气，改通入氨气，继续加热一段时间。
④停止加热，继续通入氨气,直至冷却。
⑤将反应器内的固体转移到盛有盐酸的烧杯中，充分反应过滤、洗涤、干燥。
（1）仪器X中的试剂是___________，仪器Y的名称是__________________。
（2）指出该套装置中存在一处明显的错误是________________________。
（3）步骤①中选择NiCl2 溶液，不选择氧化镍的原因是____________________。
a.增大接触面积，加快化学反应速率
b使镍能均匀附着在镓粉的表面，提高催化效率
c.为了能更好形成原电池，加快反应速率
（4）步骤③中制备氮化镓，则判断该反应接近完成时观察到的现象是____________________。
（5）请写出步骤⑤中检验产品氮化镓固体洗涤干净的操作________________________。
（6）镓元素与铝同族，其性质与铝类似，请写出氮化镓溶于热NaOH溶液的离子方程式：______________________。
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氮化镓(GaN)被称为第三代半导体材料，其应用已经取得了突破性的进展。
已知：（i）氮化镓性质稳定，不与水、酸反应，只在加热时溶于浓碱。
（ii）NiCl2溶液在加热时，先转化为Ni(OH)2，后分解为NiO。
（iii）制备氮化镓的反应为：2Ga+2NH3
2GaN+3H2
某学校化学兴趣小组实验室制备氮化镓，设计实验装置如图所示：
设计实验步骤如下：
①滴加几滴NiCl2 溶液润湿金属镓粉末，置于反应器内。
②先通入一段时间后的H2，再加热。
③停止通氢气，改通入氨气，继续加热一段时间。
④停止加热，继续通入氨气,直至冷却。
⑤将反应器内的固体转移到盛有盐酸的烧杯中，充分反应过滤、洗涤、干燥。
（1）仪器X中的试剂是___________，仪器Y的名称是__________________。
（2）指出该套装置中存在一处明显的错误是________________________。
（3）步骤①中选择NiCl2 溶液，不选择氧化镍的原因是____________________。
a.增大接触面积，加快化学反应速率
b.使镍能均匀附着在镓粉的表面，提高催化效率
c.为了能更好形成原电池，加快反应速率
（4）步骤③中制备氮化镓，则判断该反应接近完成时观察到的现象是____________________。
（5）请写出步骤⑤中检验产品氮化镓固体洗涤干净的操作________________________。
（6）镓元素与铝同族，其性质与铝类似，请写出氮化镓溶于热NaOH溶液的离子方程式：______________________。
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氮化镓(GaN)被称为第三代半导体材料，其应用已经取得了突破性的进展。
已知：（i）氮化镓性质稳定，不与水、酸反应，只在加热时溶于浓碱。
（ii）NiCl2溶液在加热时，先转化为Ni(OH)2，后分解为NiO。
（iii）制备氮化镓的反应为：2Ga+2NH32GaN+3H2
某学校化学兴趣小组实验室制备氮化镓，设计实验装置如图所示：
设计实验步骤如下：
①滴加几滴NiCl2 溶液润湿金属镓粉末，置于反应器内。
②先通入一段时间后的H2，再加热。
③停止通氢气，改通入氨气，继续加热一段时间。
④停止加热，继续通入氨气,直至冷却。
⑤将反应器内的固体转移到盛有盐酸的烧杯中，充分反应过滤、洗涤、干燥。
（1）仪器X中的试剂是___________，仪器Y的名称是__________________。
（2）指出该套装置中存在一处明显的错误是________________________。
（3）步骤①中选择NiCl2 溶液，不选择氧化镍的原因是____________________。
a.增大接触面积，加快化学反应速率
b.使镍能均匀附着在镓粉的表面，提高催化效率
c.为了能更好形成原电池，加快反应速率
（4）步骤③中制备氮化镓，则判断该反应接近完成时观察到的现象是____________________。
（5）请写出步骤⑤中检验产品氮化镓固体洗涤干净的操作________________________。
（6）镓元素与铝同族，其性质与铝类似，请写出氮化镓溶于热NaOH溶液的离子方程式：______________________。
高三化学综合题中等难度题查看答案及解析
氮化镓（GaN）是制造LED的重要材料，被誉为“第三代半导体材料”。镓（31Ga）的氧化物和氢氧化物均为两性化合物，工业制备氮化镓的工艺流程如图所示。下列判断正确的是
A.Ga位于第五周期第IIIA族 B.酸性：Al(OH)3>Ga(OH)3
C.Ga(OH)3可与NaOH反应生成NaGaO2 D.Ga与NH3反应的另一种生成物可用作航天燃料
高三化学多选题中等难度题查看答案及解析
第三代半导体材料氮化镓(GaN)适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常称为高温半导体材料。回答下列问题：
(1)基态Ga原子价层电子的轨道表达式为_________________________，第一电离能介于N和B之间的第二周期元素有_______种。
(2)HCN分子中σ键与π键的数目之比为_______，其中σ键的对称方式为___________。与CN—互为等电子体的分子为___________。
(3)NaN3是汽车安全气囊中的主要化学成分，其中阴离子中心原子的杂化轨道类型为_________。NF3的空间构型为____________。
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体硅类似，熔点如下表所示，分析其变化原因_________________________________________________________。
| GaN | GaP | GaAs | |
| 熔点 | 1700℃ | 1480℃ | 1238℃ |
(5)GaN晶胞结构如下图所示。已知六棱柱底边边长为a cm，阿伏加德罗常数的值为NA。
① 晶胞中Ga原子采用六方最密堆积方式，每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为_____________；
② GaN的密度为______________________g·cm−3(用a、NA表示)。
高三化学综合题困难题查看答案及解析
金属镓有“电子工业脊梁”的美誉，镓及其化合物应用广泛。
（1）一种镍催化法生产GaN的工艺如图：
①镓（Ga）的原子结构示意图为
，镓元素在周期表中的位置是___。
②“热转化”时Ga转化为GaN的化学方程式是___。
③“酸浸”操作目的是___。
（2）某学校化学兴趣小组在实验室利用如图装置模拟制备氮化镓：
①仪器X中的试剂是__，加热前需先通入一段时间的H2，原因是__。
②取某GaN样品m克溶于足量热NaOH溶液，发生反应GaN+OH﹣+H2OGaO2-+NH3↑，用H3BO3溶液将产生
NH3完全吸收，滴定吸收液时消耗浓度为cmol/L的盐酸VmL，则样品的纯度是___。
已知：NH3+H3BO3=NH3•H3BO3；NH3•H3BO3+HCl=NH4Cl+H3BO3
高三化学综合题困难题查看答案及解析
金属镓有“电子工业脊梁”的美誉，镓及其化合物应用广泛。
（1）一种镍催化法生产GaN的工艺如图：
①镓（Ga）的原子结构示意图为，镓元素在周期表中的位置是___。
②“热转化”时Ga转化为GaN的化学方程式是___。
③“酸浸”操作目的是___。
（2）某学校化学兴趣小组在实验室利用如图装置模拟制备氮化镓：
①仪器X中的试剂是__，加热前需先通入一段时间的H2，原因是__。
②取某GaN样品m克溶于足量热NaOH溶液，发生反应GaN+OH﹣+H2OGaO2-+NH3↑，用H3BO3溶液将产生NH3完全吸收，滴定吸收液时消耗浓度为cmol/L的盐酸VmL，则样品的纯度是___。
已知：NH3+H3BO3=NH3•H3BO3；NH3•H3BO3+HCl=NH4Cl+H3BO3
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