如图所示，H1、H2是同种金属材料（自由电荷为电子）、上下表面为正方形的两个霍尔元件，H1的边长和厚度均为H2边长和厚度的2倍。将两个霍尔元件放置在同一匀强磁场B中，磁场方向垂直于两元件正方形表面。在两元件上加相同的电压，形成图示方向的电流，M、N两端形成霍尔电压U，下列说法正确的是（ ）
A.H1中的电流强度是H2中电流强度的2倍
B.H1、H2上M端电势高于N端电势
C.H1中产生的霍尔电压是H2中产生的霍尔电压的2倍
D.H1中产生的霍尔电压等于H2中产生的霍尔电压
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如图所示，H1、H2是同种金属材料（自由电荷为电子）、上下表面为正方形的两个霍尔元件，H1的边长和厚度均为H2边长和厚度的2倍。将两个霍尔元件放置在同一匀强磁场B中，磁场方向垂直于两元件正方形表面。在两元件上加相同的电压，形成图示方向的电流，M、N两端形成霍尔电压U，下列说法正确的是（ ）
A.H1中的电流强度是H2中电流强度的2倍
B.H1、H2上M端电势高于N端电势
C.H1中产生的霍尔电压是H2中产生的霍尔电压的2倍
D.H1中产生的霍尔电压等于H2中产生的霍尔电压
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中国科学家发现了量子反常霍尔效应，杨振宁称这一发现是诺贝尔奖级。如图所示，厚度为
，宽度为
的金属导体，当磁场方向与电流方向（自由电子定向移动形成电流）垂直时在上下表面会产生电势差，这种现象称为霍尔效应。下列说法正确的是
A．上表面的电势高于下表面
B．下表面的电势高于上表面
C．增大时，上下表面的电势差增大
D．增大时，上下表面的电势差增大
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霍尔元件是能够把磁感应强度这个磁学量转换为电压这个电学量的电学元件。如图所示，有一厚度为d、宽度为b的金属导体，当匀强磁场B与恒定电流I二者方向垂直时，在导体上下表面产生的电势差称为霍尔电压UH。已知该金属导体单位体积中的自由电子数为n，电子电荷量为e，自由电子所做的定向移动可视为匀速运动，关于霍尔电压Uh和上下表面电势的高低，下列说法正确的是
A.
，上表面电势高
B.，下表面电势高
C.
，上表面电势高
D.，下表面电势高
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如图，为探讨霍尔效应,取一块长度为a、宽度为b、厚度为d的金属导体, 給金属导体加与侧面垂直的匀强磁场B, 且通以图示方向的电流I时, 用电压表测得导体上、下表面M、N间电压为U. 已知自由电子的电荷量为e. 下列说法中正确的是
A. M板比N板电势高
B. 导体单位体积内自由电子数越多, 电压表的示数越大
C. 导体中自由电子定向移动的速度为v=U/Bd
D. 导体单位体积内的自由电子数为
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如图，为探讨霍尔效应，取一块长度为a、宽度为b、厚度为d的金属导体，给金属导体加与侧面垂直的匀强磁场B，且通以图示方向的电流I时，用电压表测得导体上、下表面M、N间电压为
已知自由电子的电荷量为e。下列说法中正确的是
A. M板比N板电势高
B. 霍尔元件是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器
C. 导体中自由电子定向移动的速度为
D. 导体单位体积内的自由电子数
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如图所示，为探讨霍尔效应，取一块长度为a、宽度为b、厚度为d的金属导体，给金属导体加与前后侧面垂直的匀强磁场B，且通以图示方向的电流I时，用电压表测得导体上、下表面M、N间电压为U，已知自由电子的电荷量为e。下列说法中正确的是( )
A.M板比N板电势高
B.导体单位体积内自由电子数越多，电压表的示数越大
C.导体中自由电子定向移动的速度为
D.导体单位体积内的自由电子数为
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用矩形半导体薄片制成一个霍尔元件，E、F、M、N为其四个侧面。在E、F间通入恒定电流，同时外加与薄片上下表面垂直的匀强磁场，电流和磁感应强度B的方向如图所示。若半导体可自由移动电荷为正电荷，M、N间产生的电势差为UH。下列说法正确的是
A. N板电势高于M板电势
B. N板电势低于M板电势
C. 只增大磁感应强度B，则UH变大
D. 只增大通入霍尔元件的电流I，则UH变大
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信息时代，霍尔元件被广泛应用。如图所示，宽度为h、厚度为d的金属霍尔元件，单位体积内自由电子数为n，电子电量为e。将它放在与之垂直的磁感应强度大小为B＝B0sinωt的匀强磁场中。当恒定电流I通过霍尔元件时，在它的前后两个侧面之间会产生交流电压，这样就实现了将直流输入转化为交流输出。在元件的前后两个侧面接入交流电压表(图中未画出)，则电压表示数为
A. 
B. 
C. 
D. 
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信息时代，霍尔元件被广泛应用。如图所示，宽度为h、厚度为d的金属霍尔元件，单位体积内自由电子数为n，电子电量为e。将它放在与之垂直的磁感应强度大小为B＝B0sinωt的匀强磁场中。当恒定电流I通过霍尔元件时，在它的前后两个侧面之间会产生交流电压，这样就实现了将直流输入转化为交流输出。在元件的前后两个侧面接入交流电压表(图中未画出)，则电压表示数为
A. 
B. 
C. 
D. 
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