(多选) 如图所示,有一竖直向下的匀强磁场分布在宽为L的区域内。现有一个边长为a(a<L)的单匝正方形闭合线圈以初速度v0垂直磁场方向从左边界水平向右进入磁场,最后从磁场的右边界离开磁场,线圈在完全离开磁场时的速度为v,不计线圈的重力,则( )
A. 线圈完全进入磁场时的感应电动势为BLv0
B. 线圈完全进入磁场时的速度等于
C. 线圈在进入和离开磁场的两个过程中,通过导线横截面的电荷量相等
D. 线圈在进入磁场的过程中产生的焦耳热大于线圈离开磁场过程中产生的焦耳热
高三物理多选题中等难度题
如图所示,在光滑的水平面上,有一垂直向下的匀强磁场分布在宽为L的区域内,现有一个边长为 的正方形闭合线圈以速度垂直磁场边界滑过磁场后速度变为 )那么( )
A. 完全进入磁场时线圈的速度大于/2
B. .完全进入磁场时线圈的速度等于/2
C. 完全进入磁场时线圈的速度小于/2
D. 以上情况AB均有可能,而C是不可能的
高三物理单选题中等难度题查看答案及解析
如图所示,在光滑的水平面上,有一垂直向下的匀强磁场分布在宽为L的区域内,现有一个边长为 的正方形闭合线圈以速度垂直磁场边界滑过磁场后速度变为 )那么( )
A. 完全进入磁场时线圈的速度大于/2
B. .完全进入磁场时线圈的速度等于/2
C. 完全进入磁场时线圈的速度小于/2
D. 以上情况AB均有可能,而C是不可能的
高三物理单选题中等难度题查看答案及解析
(多选) 如图所示,有一竖直向下的匀强磁场分布在宽为L的区域内。现有一个边长为a(a<L)的单匝正方形闭合线圈以初速度v0垂直磁场方向从左边界水平向右进入磁场,最后从磁场的右边界离开磁场,线圈在完全离开磁场时的速度为v,不计线圈的重力,则( )
A. 线圈完全进入磁场时的感应电动势为BLv0
B. 线圈完全进入磁场时的速度等于
C. 线圈在进入和离开磁场的两个过程中,通过导线横截面的电荷量相等
D. 线圈在进入磁场的过程中产生的焦耳热大于线圈离开磁场过程中产生的焦耳热
高三物理多选题中等难度题查看答案及解析
在光滑水平面上,有一竖直向下的匀强磁场分布在宽为L的区域内,磁感应强度为B。正方形闭合线圈的边长为L,沿x轴正方向运动,未进入磁场时以速度V0匀速运动,并能垂直磁场边界穿过磁场,那么
A. bc边刚进入磁场时bc两端的电压为
B. 线圈进入磁场过程中的电流方向为顺时针方向
C. 线圈进入磁场做匀减速直线运动
D. 线圈进入磁场过程产生的焦耳热大于离开磁场过程产生的焦耳热
高三物理选择题中等难度题查看答案及解析
在光滑的水平面上,有一竖直向下的匀强磁场,分布在宽度为L的区域内,现有一边长为d(d<L)的正方形闭合线框以垂直于磁场边界的初速度v0滑过磁场,线框刚好能穿过磁场,下列说法正确的是
A. 线圈在滑进磁场的过程与滑出磁场的过程均做变加速直线运动
B. 线圈在滑进磁场的过程中与滑出磁场的过程中通过线框横截面的电荷量相同
C. 线圈在滑进磁场的过程中速度的变化量与滑出磁场的过程中速度的变化量不同
D. 线圈在滑进磁场的过程中产生的热量Q1与滑出磁场的过程中产生的热量Q2之比为3:1
高三物理多选题中等难度题查看答案及解析
如图所示,在光滑的水平面上宽度为L的区域内,有一竖直向下的匀强磁场.现有一个边长为a(a<L)的正方形闭合线圈以垂直于磁场边界的初速度v0向右滑动,穿过磁场后速度减为v,那么当线圈完全处于磁场中时,其速度大小( )
A.大于
B.等于
C.小于
D.以上均有可能
高三物理单选题中等难度题查看答案及解析
如图所示,在光滑水平面上,有竖直向下的匀强磁场,分布在宽度为L的区域内,两个边长均为a(a<L)的单匝闭合正方形线圈甲和乙,分别用相同材料不同粗细的导线绕制而成(甲为细导线),将线圈置于光滑水平面上且位于磁场的左边界,并使两线圈获得大小相等、方向水平向右的初速度,若甲线圈刚好能滑离磁场,则( )
A.乙线圈也刚好能滑离磁场
B.两线圈进入磁场过程中通过导线横截面积电量相同
C.两线圈进入磁场过程中产生热量相同
D.甲线圈进入磁场过程中产生热量Q1与离开磁场过程中产生热量Q2之比为
高三物理多选题困难题查看答案及解析
如图所示,在光滑水平面上,有竖直向下的匀强磁场,分布在宽度为L的区域内,两个边长均为a(a<L)的单匝闭合正方形线圈甲和乙,分别用相同材料不同粗细的导线绕制而成(甲为细导线),将线圈置于光滑水平面上且位于磁场的左边界,并使两线圈获得大小相等、方向水平向右的初速度,若甲线圈刚好能滑离磁场,则( )
A.乙线圈也刚好能滑离磁场
B.两线圈进入磁场过程中通过导线横截面积电量相同
C.两线圈进入磁场过程中产生热量相同
D.甲线圈进入磁场过程中产生热量Q1与离开磁场过程中产生热量Q2之比为
高三物理选择题中等难度题查看答案及解析
如图1所示,虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界,磁场宽度为L,方向竖直向下。边长为l的正方形闭合金属线框abcd,以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动,经过一段时间线框通过了磁场区域。已知l<L,甲、乙两位同学对该过程进行了分析,当线框的ab边与MN重合时记为t=0,分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线,如图2、图3所示,图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积。关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系,下列说法正确的是
A.图2正确,且S1>S2 B.图2正确,且S1=S2
C.图3正确,且S3>S4 D.图3正确,且S3=S4
高三物理单选题中等难度题查看答案及解析
如图1所示,虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界,磁场宽度为L,方向竖直向下。边长为l的正方形闭合金属线框abcd,以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动,经过一段时间线框通过了磁场区域。已知l<L,甲、乙两位同学对该过程进行了分析,当线框的ab边与MN重合时记为t=0,分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线,如图2、图3所示,图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积。关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系,下列说法正确的是
A.图2正确,且S1>S2 B.图2正确,且S1=S2
C.图3正确,且S3>S4 D.图3正确,且S3=S4
高三物理选择题中等难度题查看答案及解析