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2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家．材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度．若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻比值一磁感应强度特性曲线，其中R_B、R分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值．

（1）为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值R_B，已知无磁场时阻值R=150Ω．现将磁敏电阻置入待测磁场中，在室温下用伏安法测得其两端的电压和通过的电流数据如下表：

	1	2	3	4	5
U（V）	0.45	0.91	1.50	1.78	2.71
I（mA）	0.30	0.60	1.00	1.20	1.80

根据上表可求出磁敏电阻的测量值R_B=______Ω，结合图中电阻比值一磁感应强度特性曲线可知待测磁场的磁感应强度B=______T．（均保留两位有效数字）
（2）请用下列器材设计一个电路：将一小量程的电流表G改装成一能测量磁感应强度的仪表，要求设计简单，操作方便．（环境温度一直处在室温下）
A．磁敏电阻，无磁场时阻值R=150Ω
B．电流表G，量程I_g=2mA，内阻约50Ω
C．滑动变阻器R，全电阻约1500Ω
D．直流电源E，电动势E=3V，内阻约为1Ω
E．开关S，导线若干
①在图2中的虚线框内完成实验电路图；
②改装后，电流表表盘上电流刻度要转换成磁感应强度B．
若2.0mA处标0T，那么1.0mA处标______T．（保留两位有效数字）

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2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家．材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度．
若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中R_B、R分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值．为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值R_B．请按要求完成下列实验．
（1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路图，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）．要求误差较小．提供的器材如下：
A．磁敏电阻，无磁场时阻值R=150Ω
B．滑动变阻器R，全电阻约20Ω
C．电流表A，量程2.5mA，内阻约30Ω
D．电压表V，量程3V，内阻约3KΩ
E．直流电源E，电动势3V，内阻不计
F．开关S，导线若干
（2）正确连线后，将磁敏电阻置于待测磁场中，测量数据如下表：

1 2 3 4 5 6

U （V） 0.00 0.45 0.92 1.50 1.79 2.71

A （mA） 0.00 0.30 0.60 1.00 1.20 1.80

根据上表可求出磁敏电阻的测量值R_B=______，结合图1可知待测磁场的磁感应强度B=______T．
（3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？
（4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？
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2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家．材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度．
若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中R_B、R分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值．为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值R_B．请按要求完成下列实验．
（1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路图，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）．要求误差较小．提供的器材如下：
A．磁敏电阻，无磁场时阻值R=150Ω
B．滑动变阻器R，全电阻约20Ω
C．电流表A，量程2.5mA，内阻约30Ω
D．电压表V，量程3V，内阻约3KΩ
E．直流电源E，电动势3V，内阻不计
F．开关S，导线若干
（2）正确连线后，将磁敏电阻置于待测磁场中，测量数据如下表：

1 2 3 4 5 6

U （V） 0.00 0.45 0.92 1.50 1.79 2.71

A （mA） 0.00 0.30 0.60 1.00 1.20 1.80

根据上表可求出磁敏电阻的测量值R_B=______，结合图1可知待测磁场的磁感应强度B=______T．
（3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？
（4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？
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2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家．材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度．
若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中R_B、R分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值．为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值R_B．请按要求完成下列实验．
（1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路图，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）．要求误差较小．提供的器材如下：
A．磁敏电阻，无磁场时阻值R=150Ω
B．滑动变阻器R，全电阻约20Ω
C．电流表A，量程2.5mA，内阻约30Ω
D．电压表V，量程3V，内阻约3KΩ
E．直流电源E，电动势3V，内阻不计
F．开关S，导线若干
（2）正确连线后，将磁敏电阻置于待测磁场中，测量数据如下表：

1 2 3 4 5 6

U （V） 0.00 0.45 0.92 1.50 1.79 2.71

A （mA） 0.00 0.30 0.60 1.00 1.20 1.80

根据上表可求出磁敏电阻的测量值R_B=______，结合图1可知待测磁场的磁感应强度B=______T．
（3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？
（4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？
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2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度。若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻一磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。
(1)设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路,在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6~1.0T,不考虑磁场对电路其它部分的影响）。要求误差较小_________________．
提供的器材如下：
A．磁敏电阻，无磁场时阻值R0=150Ω
B．滑动变阻器R，全电阻约20Ω
C．电流表A，量程2.5mA，内阻约30Ω
D．电压表V，量程3v，内阻约3kΩ
E．直流电源E，电动势3v，内阻不计
F．开关S，导线若千
(2)正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中．测量数据如下表：
根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=______Ω，结合图l 可知待测磁场的磁感应强度B =______T。
(3)试结合图l 简要回答，磁感应强度B 在0 ~0.2T 和0.4 ~1.0T 范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？________________________
(4)某同学查阅相关资料时看到了图3 所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻~磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？__________________________

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2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家．材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度．若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻比值一磁感应强度特性曲线，其中R_B、R分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值．

（1）为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值R_B，已知无磁场时阻值R=150Ω．现将磁敏电阻置入待测磁场中，在室温下用伏安法测得其两端的电压和通过的电流数据如下表：

1 2 3 4 5

U（V） 0.45 0.91 1.50 1.78 2.71

I（mA） 0.30 0.60 1.00 1.20 1.80

根据上表可求出磁敏电阻的测量值R_B=______Ω，结合图中电阻比值一磁感应强度特性曲线可知待测磁场的磁感应强度B=______T．（均保留两位有效数字）
（2）请用下列器材设计一个电路：将一小量程的电流表G改装成一能测量磁感应强度的仪表，要求设计简单，操作方便．（环境温度一直处在室温下）
A．磁敏电阻，无磁场时阻值R=150Ω
B．电流表G，量程I_g=2mA，内阻约50Ω
C．滑动变阻器R，全电阻约1500Ω
D．直流电源E，电动势E=3V，内阻约为1Ω
E．开关S，导线若干
①在图2中的虚线框内完成实验电路图；
②改装后，电流表表盘上电流刻度要转换成磁感应强度B．
若2.0mA处标0T，那么1.0mA处标______T．（保留两位有效数字）
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（2014•四川模拟）2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家．某探究小组查到某磁敏电阻在室温下的电阻随磁感应强度变化曲线如图甲所示，其中R、R0分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值．为研究其磁敏特性设计了图乙所示电路．关于这个探究实验，下列说法中正确的是（　）
A.闭合开关S，图乙中只增加磁感应强度的大小时，伏特表的示数增大
B.闭合开关S，图乙中只改变磁场方向原来方向相反时，伏特表的示数减小
C.闭合开关S，图乙中只增加磁感应强度的大小时，流过ap段的电流可能减小
D.闭合开关S，图乙中只增加磁感应强度的大小时，电源的输出功率可能增大

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2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家．某探究小组查到某磁敏电阻在室温下的电阻随磁感应强度变化曲线如图甲所示，其中R、R分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值．为研究其磁敏特性设计了图乙所示电路．关于这个探究实验，下列说法中正确的是（）

A．闭合开关S，图乙中只增加磁感应强度的大小时，伏特表的示数增大
B．闭合开关S，图乙中只增加磁感应强度的大小时，安培表的示数增大
C．闭合开关S，图乙中只改变磁场方向原来方向相反时，伏特表的示数减小
D．闭合开关S，图乙中只改变磁场方向原来方向相反时，安培表的示数减小
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2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。某探究小组查到某磁敏电阻在室温下的电阻随磁感应强度变化曲线如图甲所示，其中R、R₀分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值。为研究其磁敏特性设计了图乙所示电路.关于这个探究实验，下列说法中正确的是（）
A．闭合开关S，图乙中只增加磁感应强度的大小时，伏特表的示数增大
B．闭合开关S，图乙中只改变磁场方向原来方向相反时，伏特表的示数减小
C．闭合开关S，图乙中只增加磁感应强度的大小时，流过ap段的电流可能减小
D．闭合开关S，图乙中只增加磁感应强度的大小时，电源的输出功率可能增大

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2007年，诺贝尔物理学奖授予了发现巨磁电阻效应（GMR）的科学家.如图所示是研究巨磁电阻特性的原理示意图，已知该GMR磁性材料随着磁场增强电阻显著减小，那么，当闭合左图中S后使滑片向左滑动过程中，下图中电流表和电压表的读数变化情况是（）
A．电压表示数变小，电流表示数变大
B．电压表示数变大，电流表示数变小
C．电压表示数变小，电流表示数变小
D．电压表示数变大，电流表示数变大

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2007年度诺贝尔物理学奖授予了法国和德国的两位科学家，以表彰他们发现“巨磁电阻效应”．基于巨磁电阻效应开发的用于读取硬盘数据的技术，被认为是纳米技术的第一次真正应用．在下列有关其他电阻应用的说法中，错误的是 (　　)
A．热敏电阻可应用于温度测控装置中
B．光敏电阻是一种光电传感器
C．电阻丝可应用于电热设备中
D．电阻在电路中主要起到通过直流、阻碍交流的作用

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