霍尔式位移传感器的测量原理如图所示,有一个沿z轴方向的磁场,磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数)。将传感器固定在物体上,保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如右图所示),当物体沿z轴方向移动时,由于位置不同,霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同。则( )
A.传感器灵敏度与上、下表面的距离有关
B.当物体沿z轴方向移动时,上、下表面的电势差U变小
C.传感器灵敏度与通过的电流有关
D.若图中霍尔元件是电子导电,则上板电势高
高二物理多选题简单题
霍尔式位移传感器的测量原理如图所示,有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场,磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数)。将霍尔元件固定在物体上,保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图),当物体沿z轴正方向平移时,由于位置不同,霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同。则( )
A.B越大,上、下表面的电势差U越大
B.k越大,传感器灵敏度越高
C.图中霍尔元件的上板电势可能比下板电势高
D.电流越大,上、下表面的电势差U越小
高二物理选择题中等难度题查看答案及解析
霍尔式位移传感器的测量原理如图所示,有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场,磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数)。将霍尔元件固定在物体上,保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图所示),当物体沿z轴正方向平移时,由于位置不同,霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同。则 ( )
A. 上、下表面的电势差U与磁感应强度B有关
B. 若图中霍尔元件是电子导电,则上表面电势高
C. 若图中霍尔元件是电子导电,则下表面电势高
D. 上、下表面的电势差U与电流无关
高二物理多选题中等难度题查看答案及解析
霍尔式位移传感器的测量原理如图所示,有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场,磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数).将霍尔元件固定在物体上,保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图所示),当物体沿z轴正方向平移时,由于位置不同,霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同.则( )
A. 磁感应强度B越大,上、下表面的电势差U越大
B. k越大,传感器灵敏度()越高
C. 若图中霍尔元件是电子导电,则下板电势高
D. 电流越大,上、下表面的电势差U越小
高二物理多选题困难题查看答案及解析
霍尔式位移传感器的测量原理如图所示,有一个沿z轴正方向的磁场,磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数且k为正数)。将霍尔元件固定在物体上,保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图所示),当物体沿z轴正方向平移时,由于位置不同,霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同,则( )
A.磁感应强度B越大,上、下表面的电势差U越大
B.k越大,传感器灵敏度()越高
C.若图中霍尔元件是电子导电,则上表面电势高
D.电流越大,上、下表面的电势差U越小
高二物理选择题极难题查看答案及解析
霍尔式位移传感器的测量原理如图所示,有一个沿z轴方向的磁场,磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数)。将传感器固定在物体上,保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如右图所示),当物体沿z轴方向移动时,由于位置不同,霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同。则( )
A.传感器灵敏度与上、下表面的距离有关
B.当物体沿z轴方向移动时,上、下表面的电势差U变小
C.传感器灵敏度与通过的电流有关
D.若图中霍尔元件是电子导电,则上板电势高
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霍尔效应是美国物理学家霍尔于1879年发现的,利用霍尔效应制成的霍尔位移传感器的测量原理如图所示,有一个沿x轴方向均匀变化的磁场,磁感应强度大小B=B0+kx (B0、k均为常数,且k>0)。在传感器中通以如图所示的电流I,则当传感器沿x轴正方向运动时( )
A. 霍尔位移传感器的上、下两表面的电势差U越来越大
B. k越大,位移传感器的灵敏度越高
C. 若该霍尔位移传感器是利用电子导电,则其上表面电势高
D. 通过该传感器的电流越大,则其上、下两表面间的电势差U越小
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霍尔效应是美国物理学家霍尔于1879年发现的,利用霍尔效应制成的霍尔位移传感器的测量原理如图所示,有一个沿x轴方向均匀变化的磁场,磁感应强度大小B=B0+kx (B0、k均为常数,且k>0)。在传感器中通以如图所示的电流I,则当传感器沿x轴正方向运动时( )
A. 霍尔位移传感器的上、下两表面的电势差U越来越大
B. k越大,位移传感器的灵敏度越高
C. 若该霍尔位移传感器是利用电子导电,则其上表面电势高
D. 通过该传感器的电流越大,则其上、下两表面间的电势差U越小
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利用霍尔效应测量磁感应强度的原理如图所示,元件中通以正x方向的电流I,置于沿z轴方向的磁场中,其前、后表明垂直于z轴,在元件上、下表面之间产生电势差U.若磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数),由于沿z轴方向位置不同,电势差U也不同,则( )
A.若该元件的载流子是电子,则下表面电势高
B.电势差U越大,该处磁感应强度B越大
C.在某一位置处,电流I越大,电势差U越大
D.k越大,在z轴上两不同位置上测得的电势差U的差值越大
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霍尔式位移传感器的测量原理如图所示,磁场方向沿x轴正方向,磁感应强度B随x的变化关系为( .均大于零的常数),薄形霍尔元件的工作面垂直于x轴,通过电流I沿z轴负方向,霍尔元件沿x轴正方向以速度v匀速运动,要使元件上.下表面产生的电势差变化得快,可以采取的方法是( )
A. 增大I B. 增大 C. 减小k D. 减小v
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霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应,人们利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器。这类磁传感器测出的是磁感应强度沿轴线方向的分量。如图(1)所示,陈同学将磁传感器调零后探究条形磁铁附近的磁场,计算机显示磁感应强度为正,他接下来用探头同样的取向研究长直螺线管(电流方向如图(2)所示)轴向的磁场,以螺线管中心点为坐标原点,沿轴线向右为X轴正方向,建立坐标系。下列图像可能正确的是( )
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