霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场，磁感应强度B=B0...

霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场，磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数)。将霍尔元件固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图)，当物体沿z轴正方向平移时，由于位置不同，霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同。则（　　 ）

A．B越大，上、下表面的电势差U越大

B．k越大，传感器灵敏度越高

C．图中霍尔元件的上板电势可能比下板电势高

D．电流越大，上、下表面的电势差U越小

高二物理选择题中等难度题查看答案及解析

霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场，磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数)。将霍尔元件固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图所示)，当物体沿z轴正方向平移时，由于位置不同，霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同。则　　 (　　 )

A. 上、下表面的电势差U与磁感应强度B有关

B. 若图中霍尔元件是电子导电，则上表面电势高

C. 若图中霍尔元件是电子导电，则下表面电势高

D. 上、下表面的电势差U与电流无关

高二物理多选题中等难度题查看答案及解析

霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场，磁感应强度B＝B0＋kz(B0、k均为常数)．将霍尔元件固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图所示)，当物体沿z轴正方向平移时，由于位置不同，霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同．则(　　)

A. 磁感应强度B越大，上、下表面的电势差U越大

B. k越大，传感器灵敏度()越高

C. 若图中霍尔元件是电子导电，则下板电势高

D. 电流越大，上、下表面的电势差U越小

高二物理多选题困难题查看答案及解析

霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴正方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz（B0、k均为常数且k为正数）。将霍尔元件固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变（方向如图所示），当物体沿z轴正方向平移时，由于位置不同，霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同,则（　　 ）

A．磁感应强度B越大，上、下表面的电势差U越大

B．k越大，传感器灵敏度（）越高

C．若图中霍尔元件是电子导电，则上表面电势高

D．电流越大，上、下表面的电势差U越小

高二物理选择题极难题查看答案及解析

霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数)。将传感器固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如右图所示)，当物体沿z轴方向移动时，由于位置不同，霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同。则(　　 )

A．传感器灵敏度与上、下表面的距离有关

B．当物体沿z轴方向移动时，上、下表面的电势差U变小

C．传感器灵敏度与通过的电流有关

D．若图中霍尔元件是电子导电，则上板电势高

高二物理多选题简单题查看答案及解析

霍尔效应是美国物理学家霍尔于1879年发现的，利用霍尔效应制成的霍尔位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿x轴方向均匀变化的磁场，磁感应强度大小B=B0+kx （B0、k均为常数,且k>0）。在传感器中通以如图所示的电流I，则当传感器沿x轴正方向运动时（　　 ）

A. 霍尔位移传感器的上、下两表面的电势差U越来越大

B. k越大，位移传感器的灵敏度越高

C. 若该霍尔位移传感器是利用电子导电，则其上表面电势高

D. 通过该传感器的电流越大，则其上、下两表面间的电势差U越小

高二物理多选题困难题查看答案及解析

霍尔效应是美国物理学家霍尔于1879年发现的，利用霍尔效应制成的霍尔位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿x轴方向均匀变化的磁场，磁感应强度大小B=B0+kx （B0、k均为常数,且k>0）。在传感器中通以如图所示的电流I，则当传感器沿x轴正方向运动时（　　 ）

A. 霍尔位移传感器的上、下两表面的电势差U越来越大

B. k越大，位移传感器的灵敏度越高

C. 若该霍尔位移传感器是利用电子导电，则其上表面电势高

D. 通过该传感器的电流越大，则其上、下两表面间的电势差U越小

高二物理多选题困难题查看答案及解析

利用霍尔效应测量磁感应强度的原理如图所示，元件中通以正x方向的电流I，置于沿z轴方向的磁场中，其前、后表明垂直于z轴，在元件上、下表面之间产生电势差U．若磁感应强度B=B₀+kz（B₀、k均为常数），由于沿z轴方向位置不同，电势差U也不同，则（  ）

A．若该元件的载流子是电子，则下表面电势高

B．电势差U越大，该处磁感应强度B越大

C．在某一位置处，电流I越大，电势差U越大

D．k越大，在z轴上两不同位置上测得的电势差U的差值越大

高二物理选择题简单题查看答案及解析

霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，磁场方向沿x轴正方向，磁感应强度B随x的变化关系为（ .均大于零的常数），薄形霍尔元件的工作面垂直于x轴，通过电流I沿z轴负方向，霍尔元件沿x轴正方向以速度v匀速运动，要使元件上.下表面产生的电势差变化得快，可以采取的方法是（　　 ）

A. 增大I　　 B. 增大　　 C. 减小k　　 D. 减小v

高二物理单选题困难题查看答案及解析

霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，人们利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器。这类磁传感器测出的是磁感应强度沿轴线方向的分量。如图（1）所示，陈同学将磁传感器调零后探究条形磁铁附近的磁场，计算机显示磁感应强度为正，他接下来用探头同样的取向研究长直螺线管（电流方向如图（2）所示）轴向的磁场，以螺线管中心点为坐标原点，沿轴线向右为X轴正方向，建立坐标系。下列图像可能正确的是（　　 ）

高二物理选择题困难题查看答案及解析