霍尔效应是美国物理学家霍尔于1879年发现的，利用霍尔效应制成的霍尔位移传感器的测量原理如...

霍尔效应是美国物理学家霍尔于1879年发现的，利用霍尔效应制成的霍尔位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿x轴方向均匀变化的磁场，磁感应强度大小B=B0+kx （B0、k均为常数,且k>0）。在传感器中通以如图所示的电流I，则当传感器沿x轴正方向运动时（　　 ）

A. 霍尔位移传感器的上、下两表面的电势差U越来越大

B. k越大，位移传感器的灵敏度越高

C. 若该霍尔位移传感器是利用电子导电，则其上表面电势高

D. 通过该传感器的电流越大，则其上、下两表面间的电势差U越小

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霍尔效应是美国物理学家霍尔于1879年发现的，利用霍尔效应制成的霍尔位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿x轴方向均匀变化的磁场，磁感应强度大小B=B0+kx （B0、k均为常数,且k>0）。在传感器中通以如图所示的电流I，则当传感器沿x轴正方向运动时（　　 ）

A. 霍尔位移传感器的上、下两表面的电势差U越来越大

B. k越大，位移传感器的灵敏度越高

C. 若该霍尔位移传感器是利用电子导电，则其上表面电势高

D. 通过该传感器的电流越大，则其上、下两表面间的电势差U越小

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霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场，磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数)。将霍尔元件固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图)，当物体沿z轴正方向平移时，由于位置不同，霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同。则（　　 ）

A．B越大，上、下表面的电势差U越大

B．k越大，传感器灵敏度越高

C．图中霍尔元件的上板电势可能比下板电势高

D．电流越大，上、下表面的电势差U越小

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霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场，磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数)。将霍尔元件固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图所示)，当物体沿z轴正方向平移时，由于位置不同，霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同。则　　 (　　 )

A. 上、下表面的电势差U与磁感应强度B有关

B. 若图中霍尔元件是电子导电，则上表面电势高

C. 若图中霍尔元件是电子导电，则下表面电势高

D. 上、下表面的电势差U与电流无关

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霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场，磁感应强度B＝B0＋kz(B0、k均为常数)．将霍尔元件固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图所示)，当物体沿z轴正方向平移时，由于位置不同，霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同．则(　　)

A. 磁感应强度B越大，上、下表面的电势差U越大

B. k越大，传感器灵敏度()越高

C. 若图中霍尔元件是电子导电，则下板电势高

D. 电流越大，上、下表面的电势差U越小

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霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，人们利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器。这类磁传感器测出的是磁感应强度沿轴线方向的分量。如图（1）所示，陈同学将磁传感器调零后探究条形磁铁附近的磁场，计算机显示磁感应强度为正，他接下来用探头同样的取向研究长直螺线管（电流方向如图（2）所示）轴向的磁场，以螺线管中心点为坐标原点，沿轴线向右为X轴正方向，建立坐标系。下列图像可能正确的是（　　 ）

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1879年美国物理学家E．H．霍尔观察到，在匀强磁场中放置一个矩形截面的载流导体，当磁场方向与电流方向垂直时，导体在磁场、电流方向都垂直的方向上出现了电势差，把这个现象称为霍尔效应，所产生的电势差称为霍尔电压．如图为一金属导体板，宽度为d，该导体板单位体积的自由电子数为n，所加匀强磁场的磁感应强度为B，方向沿y轴正向．当导体板中通以电流强度为I的x轴正向电流，上下两端的电势差稳定时，下列说法正确的是（　 ）

A．电子所受电场力的方向向上

B．金属板上端电势高

C．金属板下端电势高

D．霍尔电压大小为

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利用霍尔效应制作的霍尔元件，广泛应用于测量和自动控制等领域。如图是某种金属材料制成的霍尔元件的工作原理示意图，磁感应强度B垂直于霍尔元件的工作面向下，通入图示方向的电流I，C、D两侧面会形成电势差，下列说法中正确的是

A. D侧面电势高于C侧面电势

B. C侧面电势高于D侧面电势

C. 在测地球赤道上方的地磁场强弱时，元件的工作面应保持竖直

D. 在测地球赤道上方的地磁场强弱时，元件的工作面应保持水平

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霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴正方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz（B0、k均为常数且k为正数）。将霍尔元件固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变（方向如图所示），当物体沿z轴正方向平移时，由于位置不同，霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同,则（　　 ）

A．磁感应强度B越大，上、下表面的电势差U越大

B．k越大，传感器灵敏度（）越高

C．若图中霍尔元件是电子导电，则上表面电势高

D．电流越大，上、下表面的电势差U越小

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霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数)。将传感器固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如右图所示)，当物体沿z轴方向移动时，由于位置不同，霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同。则(　　 )

A．传感器灵敏度与上、下表面的距离有关

B．当物体沿z轴方向移动时，上、下表面的电势差U变小

C．传感器灵敏度与通过的电流有关

D．若图中霍尔元件是电子导电，则上板电势高

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